Дж. Кеоун - OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей
- Название:OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей
- Автор:
- Жанр:
- Издательство:ДМК Пресс, Питер
- Год:2008
- Город:Москва, Санкт-Петербург
- ISBN:978-5-9706-0009-2
- Рейтинг:
- Избранное:Добавить в избранное
-
Отзывы:
-
Ваша оценка:
Дж. Кеоун - OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей краткое содержание
Это руководство по работе в программе OrCAD Pspice предназначено для всех, кто знаком с основными разделами электротехники. При постепенном усложнении задач объясняются все необходимые аспекты работы в OrCAD Pspice, что позволяет творчески применять их при дальнейшем анализе электрических и электронных схем и устройств. Рассмотрение материала начинается с анализа цепей постоянного тока, продолжается анализом цепей переменного тока, затем переходит к различным разделам полупроводниковой электроники. Информация изложена таким образом, чтобы каждый, кто изучал или изучает определенный раздел электротехники, мог сразу же использовать OrCAD Pspice на практике. Больше внимания, чем в других книгах по этой теме, уделяется созданию собственных моделей и использованию встроенных моделей схем в OrCAD Pspice.
На прилагаемом к книге DVD вы найдете демонстрационную версию программы OrCAD PSpice Student Edition 9, которой можно пользоваться свободно. Кроме того, на диске размещена версия OrCAD 10.5 Demo Release, с которой можно работать в течение 30 дней после установки на компьютер.
OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей - читать онлайн бесплатно ознакомительный отрывок
Интервал:
Закладка:

Внимательное сравнение двух методов для предсказания измененного значения V 2показывает, что они не полностью идентичны. А при изменении, превышающем 1%, расхождение будет еще больше. Очевидно, значения чувствительности не должны использоваться для предсказания фактических значений выходного напряжения. Их роль состоит в том, чтобы показывать, какие из элементов являются более критическими при поддержании стабильности схемы.
При сравнении нормированных чувствительностей для нашей схемы мы рассматриваем большие значения как более критические. Например, самое большое значение показано в последнем столбце на рис. 3.40 для V s и составляет 0,0125. Таким образом, источник питания Vs является наиболее критическим элементом. Нормированные чувствительности для R и R 2одинаковы по величине. Поэтому они являются в равной степени чувствительными элементами.
Чувствительность по току смещения
На рис. 3.41 представлена наша модель для схемы смещения для биполярного транзистора. В этом примере транзистор имеет V BE =0,7 В и h FE = 80. Выходным напряжением считается напряжение коллектор-эмиттер V(3,2). Это напряжение будет предметом анализа чувствительности. Входной файл для такого анализа:
Sensitivity of Model Transistor-Biasing Circuit
VCC 4 0 12V
VA 1 2 0.7V
F 3 2 VA 80
R1 4 1 40k
R2 1 0 5k
RC 4 3 1k
RE 2 0 100
.OPT nopage
.SENS V(3,2)
.END

Рис. 3.41. Простая модель для исследования чувствительности биполярного транзистора
Проведем анализ и рассмотрим значения для элементной чувствительности в выходном файле, который приведен на рис. 3.42. Убедитесь, что при увеличении V CC на 0,12 В, V(3,2) увеличится на 0,02636 В, а из всех резисторов схемы, наиболее чувствительным в отношении V(3,2) является резистор R 1.
**** 09/15/99 11:57:07 *********** Evaluation PSpice (Nov 1998) **************
Sensitivity of Model Transistor Bias Circuit
VCC 4 0 12V
VA 1 2 0.7V
F 3 2 VA 80
R1 4 1 40k
R2 1 0 5k
RC 4 3 1k
RE 2 0 100
.SENS V(3,2) .OPT nopage .END
**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG С
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 1.1069 ( 2) .4089 ( 3) 7.9610 ( 4) 12.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VCC -4.311E-03
VA 5.049E-05
TOTAL POWER DISSIPATION 5.17Е-02 WATTS ****
DC SENSITIVITY ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG С
DC SENSITIVITIES OF OUTPUT V(3,2)
ELEMENT ELEMENT ELEMENT NORMALIZED
NAME VALUE SENSITIVITY SENSITIVITY
(VOLTS/UNIT) (VOLTS/PERCENT)
R1 4.000E+04 2.125E-04 6.499E-02
R2 5.000E+03 -1.385E-03 -6.923E-02
RC 1.000E+03 -4.039E-03 -4.039E-02
RE 1.000E+02 2.463E-02 2.463E-02
VCC 1.200E+01 2.197E-01 2.636E-02
VA 7.000E-01 7.023E+00 4.916E-02
Рис. 3.42. Выходной файл с результатами анализа схемы на рис. 3.41
Как упражнение используйте элементные значения чувствительности, чтобы аппроксимировать V(3,2), когда сначала на 1% увеличивается R 1и затем, когда R 2увеличивается на 1%. Не забудьте, что результаты, полученные этим методом, будут приблизительны и применятся только к инкрементным изменениям в элементных значениях.
Библиотека элементов PSpice
Библиотека элементов PSpice содержит тысячи компонентов, которые могут использоваться в аналоговых или цифровых схемах. Для выбора этих элементов вы можете воспользоваться приложением Е. Обратите внимание, что четыре типа биполярных транзисторов доступны в версии PSpice. Для этого примера мы выберем биполярный транзистор Q2N2222 типа npn.
Чтобы получить доступ к содержимому этой библиотеки, вы должны знать путь. На компьютере автора он отражается как:
E:\Program Files\OrCAD Demo\Capture\library\PSpice\evallib
Можно найти этот файл, используя Проводник Windows. При этом вы должны дважды нажать на соответствующий значок (который должен показать Adobe Acrobat Reader). При этом программа PSpice активизируется и отображает библиотеку. Если Вы предпочитаете находить файлы, применяя набор команд Start-Run-winfile, вы сможете увидеть следующий путь:
e:\progra~1\orcadd-l\capture\library\pap:e\eval.lib
(Ваш драйвер жесткого диска расположен, скорее всего, на диске с , а не на е .)
Чувствительность биполярных транзисторов из библиотеки PSpice
Когда при анализе чувствительности используется модель биполярного транзистора из библиотеки PSpice, чувствительность выходной переменной к изменениям в значениях параметров транзистора задана также в исходной информации. Как пример мы используем схему, показанную на рис. 3.43, где в качестве Q 1выбран транзистор типа Q2N2222 из библиотеки PSpice. Мы хотим получить чувствительность V(3,4), напряжения коллектор-эмиттер. Входной файл приведен на рис. 3.44.

Рис. 3.43. Встроенная модель для анализа чувствительности
Выходной файл, показанный на рис. 3.44, дает чувствительность по постоянному току для V(3,4) по отношению не только к внешним компонентам, но также и к параметрам транзистора. Для Q 1при анализе чувствительности приняты следующие обозначения: R B — сопротивление базы (внутреннее), R C— омическое сопротивление коллектора, R E— омическое сопротивление эмиттера и так далее. Особый интерес представляет чувствительность относительно прямого коэффициента усиления по постоянному току B F .
**** 09/16/05 07:08:47 ******** Evaluation PSpice (Nov 1999) **********
Sensitivity of BJT Biasing Circuit
VCC 2 0 12V
R1 2 1 40k
R2 1 0 3.3k
RC 2 3 7.7k
PE 4 0 220
Q1 3 1 4 Q2N2222
.SENS V(3,4)
.LIB EVAL.LIB
.END
Unable to find index file EVAL.ind for library file EVAL.LIB
Making new index file EVAL.ind for library file EVAL.LIB
Index has 344 entries from 1 file(s).
**** BJT MODEL PARAMETERS
Q2N2222
NPN
IS 14.340000E-15
BF 255.9
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) .8926 ( 2) 12.0000 ( 3) 3.4815 ( 4) .2450
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VCC -1.384E-03
TOTAL POWER DISSIPATION 1.66E-02 WATTS
**** DC SENSITIVITY ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG С
DC SENSITIVITIES OF OUTPUT V(3,4)
ELEMENT ELEMENT ELEMENT NORMALIZED
NAME VALUE SENSITIVITY SENSITIVITY
(VOLTS/UNIT) (VOLTS/PERCENT)
R1 4.000E+04 6.263E-04 2.505E-01
R2 3.300E+03 -7.395E-03 -2.440E-01
RC 7.700E+03 -1.086E-03 -8.363E-02
RE 2.200E+02 3.186E-02 7.009E-02
VCC 1.200E+01 -1.274E+00 -1.529E-01
Q1
RB 1.000E+01 2.127E-04 2.127E-05
RC 1.000E+00 2.020E-05 2.020E-07
RE 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
BF 2.559E+02 -1.586E-03 -4.059E-03
ISE 1.434E-14 2.022E+13 2.899E-03
BR 6.092E+00 3.790E-11 2.309E-12
Интервал:
Закладка: