Роберт Хайнеманн - Визуальное моделирование электронных схем в PSPICE
- Название:Визуальное моделирование электронных схем в PSPICE
- Автор:
- Жанр:
- Издательство:ДМК Пресс
- Год:2008
- Город:Москва
- ISBN:978-5-94074-436-8
- Рейтинг:
- Избранное:Добавить в избранное
-
Отзывы:
-
Ваша оценка:
Роберт Хайнеманн - Визуальное моделирование электронных схем в PSPICE краткое содержание
PSPICE определяет промышленный стандарт программ-имитаторов и является самым популярным пакетом моделирования для OS/Windows как у профессионалов, так и у любителей по всему миру. Эта книга — лучшее на сегодняшний день учебное пособие по PSPICE. Курс построен по принципу «от простого к сложному». Первая часть посвящена основам работы с программой. В ней говорится о том, как строить и редактировать чертежи электронных схем, находить нужную информацию в выходном файле, моделировать цепи постоянного и переменного тока, строить диаграммы любой сложности, исследовать частотные характеристики схем. Во второй части подробно рассказывается о различных видах анализов, выполняемых с помощью PSPICE (анализ переходных процессов, параметрический анализ и т.д.). Также в ней содержится руководство по цифровому моделированию и использованию программы-осциллографа PROBE. Третья и четвертая части включают сведения об использовании PSPICE для расчета электрических цепей и цепей регулирования. Описывается, как создать и модифицировать модели компонентов схем.
Книга адресована пользователям различного уровня подготовки: в первую очередь инженерам и конструкторам, профессиональным разработчикам промышленных изделий (электронных схем, технологического оборудования, автомобилей и т.д.), студентам радиотехнических специальностей, а также радиолюбителям.
Прилагаемый к книге компакт-диск содержит рабочие версии программы PSPICE, подробный справочник по PSPICE (на английском языке), библиотеки компонентов, необходимые для работы с книгой, и учебные упражнения.
Визуальное моделирование электронных схем в PSPICE - читать онлайн бесплатно полную версию (весь текст целиком)
Интервал:
Закладка:
Этот источник можно использовать для анализа цепей как постоянного (DC-анализ), так и переменного (АС-анализ) тока, а также для анализа переходных процессов (Transient-анализ). При проведении анализа переходных процессов источник VSIN создает синусоидальное переменное напряжение. В табл. П4 описаны атрибуты источника напряжения VSIN. На рис. П1 дана диаграмма, соответствующая параметрам: VOFF=0 B; VAMPL=1 B; FREQ=1 кГц; TD=0.5 мс; DF=500; PHASE=45°.
Таблица П4. Атрибуты источника напряжения VSIN
Атрибут | Описание |
---|---|
Атрибуты DC-анализа | |
DC | Высота напряжения |
Атрибуты АС-анализа | |
АС | амплитуда |
Атрибуты анализа переходных процессов | |
VOFF | Смещение (Offset) |
VAMPL | Амплитуда |
FREQ | Частота |
TD | Время задержки. По умолчанию TD=0. Напряжение равно нулю для TD<0. Подача напряжения, соответствующего установкам прочих атрибутов, начинается только после завершения TD |
DF | Коэффициент затухания. По умолчанию DF=0. В этом случае источник подает синусоиду с ровной (постоянной) амплитудой. Если DF<0, то амплитуда затухает экспоненциально в соответствии с коэффициентом затухания (для сравнения см. уравнение, приведенное ниже) |
TC2 | Положение напряжения по фазе при начале его подачи |

Рис. П1. Диаграмма напряжения источника VSIN
Во время моделирования всегда действительны только те атрибуты, которые относятся к проводимому в данный момент анализу. Однако даже тогда, когда вы не собираетесь проводить анализ переходных процессов, вы, тем не менее, должны задать какие-нибудь значения для его атрибутов, так как в противном случае программа PSPICE откажется проводить моделирование. Диаграмма напряжения источника VSIN строится по следующей функции:
U(t) = VOFF + VAMPL * sin(2р * (FREQ * (t – TD) + PHASE / 360)) * e –(t–TD)*DF
Этот источник можно использовать для анализа цепей как постоянного (DC-анализ), так и переменного (АС-анализ) тока, а также для анализа переходных процессов (Transient-анализ). При проведении анализа переходных процессов источник VPULSE создает периодическую последовательность импульсов напряжения. В табл. П5 описаны атрибуты источника напряжения VPULSE. На рис. П2 дана диаграмма, соответствующая параметрам: V1=0.5 В; V2=2 В; TD=0.5 мс; TR=0.2 мс; TF=0.2 мс; PW=2 мс; PER=4 мс.
Таблица П5. Атрибуты источника напряжения VPULSE
Атрибут | Описание |
---|---|
Атрибуты DC-анализа | |
DC | Высота напряжения |
Атрибуты АС-анализа | |
AC | амплитуда |
Атрибуты анализа переходных процессов | |
V1 | минимальное напряжение (пьедестал) |
V2 | амплитуда импульса |
TD | Время задержки (Delay Time) |
TR | Время нарастания импульса (Rise Time) |
TF | Время спада импульса (Fall Time) |
PW | ширина импульса (Pulse Width). Этим атрибутом задается время, когда импульс имеет свое максимальное значение |
PER | период повторения серии импульсов |

Рис. П2. Диаграмма напряжения источника VPULSE
Этот источник можно использовать для анализа цепей как постоянного (DC-анализ), так и переменного (АС-анализ) тока, а также для анализа переходных процессов (Transient-анализ). При проведении анализа переходных процессов источник VEXP создает экспоненциально нарастающее и падающее напряжение. В табл. П6 описаны атрибуты источника напряжения VEXP. На рис. П3 дана диаграмма, соответствующая параметрам: V1=0.5 В; V2=2 В; TD1=0.5 мс; TD2=5 мс; ТС1=0.5 мс; ТС2=0.2 мс.
Таблица П6. Атрибуты источника напряжения VEXP
Атрибут | Описание |
---|---|
Атрибуты DC-анализа | |
DC | Высота напряжения |
Атрибуты АС-анализа | |
AC | амплитуда |
Атрибуты анализа переходных процессов | |
V1 | начальное значение напряжения |
V2 | максимальное (конечное) значение напряжения |
TD1 | задержка начала импульса |
TD2 | начало падения напряжения |
TC1 | постоянная времени нарастания напряжения |
TC2 | постоянная времени затухания напряжения |

Рис. П3. Диаграмма напряжения источника VEXP
Этот источник напряжения поддерживает связь с более ранними версиями программы PSPICE. Здесь вы можете вводить атрибуты всех источников напряжения непосредственно в том синтаксисе, которым пользуется PSPICE. Раньше, когда в программе еще не было такого удобного редактора проектирования схем, каким она располагает сейчас, это приходилось делать поневоле. Теперь уже вряд ли кто- нибудь станет вводить атрибуты источников по старинке добровольно.
В окне атрибутов этого источника напряжения вы можете вводить пары значений времени и напряжения. Затем каждая часть пары линейно связывается с соответствующей частью следующей пары (partwise linear), образуя таким образом диаграмму напряжения.
При использовании источника напряжения VPWL_ENH вам предоставляются расширенные (Enhanced) возможности применения источника VPWL. Данный источник напряжения позволяет очень гибкое программирование. Однако дело это непростое, и, если вы хотите ему научиться, вам придется основательно проштудировать соответствующую главу оригинального справочника по программе PSPICE, который находится на прилагаемом к книге компакт-диске.
С помощью этого источника можно модулировать синусоидальное напряжение носителя с синусоидальным напряжением более низкой частоты. Речь здесь идет о Single Frequency Frequency Modulation, то есть о частотной модуляции с чисто синусоидальным напряжением. В табл. П7 описаны атрибуты источника напряжения VSFFM. На рис. П4 дана диаграмма, соответствующая параметрам: VOFF=0; VAMPL=1; FC=1 кГц; MOD=8; FM=100 Гц.

Рис. П4. Диаграмма напряжения источника VSFFM
Таблица П7. Атрибуты источника напряжения VSFFM
Атрибут | Описание |
---|---|
VOFF | напряжение смещения |
VAMPL | амплитуда |
FC | частота носителя |
MOD | индекс модуляции |
FM | частота модуляционного напряжения |
Урок 1. Черчение схем
Читать дальшеИнтервал:
Закладка: