Адриан Вонг - Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам

Чтобы получить оптимальную производительность, используйте минимальное значение в соответствии с формулой: tRC = tRAS + tRP. Например, если вы настроили tRASна 7 циклов, а tRPна 4 цикла, вы получаете значение, равное 11 циклам.

SDRAM Trcd Timing Value (Значение SDRAM по времени Trcd)

Обычные опции:2, 3, 4.

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS.Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS.

Перед использованием сигнала CAS имеет место небольшая задержка. Так как задержка происходит между RAS и CAS, ее называют значение tRCDили tRCD.После задержки несколько столбцов в одной строке могут быть активированы без повторения задержки, если только не активируется новая строка, или не обновляется столбец.

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это вторая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, значение tRCDдля него будет равно 3 циклам.

Эта функция BIOS задает задержку между сигналами RASи CAS.Так как задержка имеет место при обновлении и активации строки, ее уменьшение позволяет повысить производительность.

Советуем уменьшить настройку данной опции до 3или 2,чтобы увеличить производительность. Но повышение производительности не будет таким же значительным, как при уменьшении времени ожидания CAS.

Если вы введете слишком низкое значение, контроллер памяти может создать сигнал CAS до того, как активная строка будет готова. Это может вызвать нестабильность в работе системы. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте задержку.

Интересно: увеличение значения может позволить модулю памяти работать на более высокой частоте. Если вы планируете разогнать ваши модули памяти SDRAM, попробуйте увеличить значение tRCD.

SDRAM Trp Timing Value (Значение SDRAM по времени Trp)

Обычные опции:2, 3, 4.

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS.Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS.Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.

Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Имеет место небольшая задержка перед активацией другой строки. Данная задержка называется RAS Precharge Timeили tRP.

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это третья цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка RAS Precharge Delayдля него будет равна 4 циклам.

Эта функция BIOS задает количество циклов, которое требуется для обновления RAS до активации другой строки. Если период RASслишком велик, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления до 2производительность повышается, так как новая строка может быть активирована быстрее.

Однако времени обновления 2может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. При этом активная строка может потерять свое содержимое до возврата в банк памяти. Это приведет к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считать данные или записать их в активную строку.

Мы советуем вам уменьшить настройку опции SDRAM Trp Timing Valueдо 2,чтобы увеличить производительность. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте значение параметра до 3или 4.

SDRAM Trrd Timing Value (Значение SDRAM по времени Trrd)

Обычные опции:2 Cycles, 3 Cycles.

Данная опция представляет собой настройку по времени устройства DDR для tRRD. Эта функция BIOS определяет минимальное время между успешными командами ACTIVATEдля одного и того же устройства DDR (даже для различных банков). Чем меньше задержка, тем быстрее может активироваться следующий банк для чтения или записи. Так как активация строки требует большой силы тока, короткая задержка может привести к выбросам тока.

Настройка этого параметра может различаться в зависимости от устройства DDR. Обычно производители DDR RAM указывают параметр tRRD (на основании того, как команды ACTIVATE ограничивают выбросы тока в устройстве). Если вы разрешите BIOS автоматически конфигурировать параметры DRAM, заданное производителем значение tRRD будет считано с чипа SPD (Serial Presence Detect– Распознавание последовательного присутствия).Вы можете вручную настроить этот параметр в соответствии с вашими предпочтениями.

При работе на обычном компьютере мы рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого значения. Причина состоит в том, что обычный компьютер не ограничен в питании, и даже мощности обычного вентилятора должно хватить для того, чтобы устранить последствия повышения температуры, вызванного выбросами тока. Повышенная производительность при настройке более короткой задержки заслуживает отдельного внимания. Более короткая задержка приводит к тому, что активация банк-банк занимает на один цикл меньше. Это позволяет улучшить производительность устройства DDR при чтении и записи.

Обратите внимание: короткая задержка (2 цикла) работает с большинством устройств DDR DIMM, даже при частоте 133 МГц (266 МГц DDR). Но устройства DDR DIMM с частотой выше 133 МГц (266 МГц DDR) могут потребовать использования задержки 3 цикла. Если возможно, выбирайте значение 2 Cycles,чтобы обеспечить оптимальную производительность DDR DRAM. Переключайтесь на 3 цикла только в том случае, если у вас возникли проблемы с настройкой на 2 цикла.

В мобильных устройствах (например, ноутбуках) рекомендуем использовать задержку в 3 цикла. Это позволит ограничить выбросы тока, вызванные активацией строк. Благодаря этому энергопотребление и рабочая температура устройства DDR будут снижены, что особенно полезно для пользователей мобильных устройств.

SDRAM Write Recovery Time (Время восстановления при записи SDRAM)

Обычные опции:1 Cycle, 2 Cycles, 3 Cycles.

Эта функция BIOS управляет параметром tWR(Write Recovery Time – Время восстановления при записи) для модулей памяти.

Данная опция указывает задержку (в циклах) между завершением операции записи и моментом, когда активный банк может быть обновлен. Задержка необходима для того, чтобы гарантировать запись данных из буферов записи в ячейки памяти до обновления.

Если задержка слишком мала, банк сможет обновиться до того, как активный банк сохранит записанные данные в ячейках памяти. В результате данные будут потеряны или повреждены.