БСЭ БСЭ - Большая Советская Энциклопедия (СС)

В 50-х гг. в СССР зародилась новая самостоятельная область науки и техники — квантовая электроника, главным достижением которой явилось создание в 1954—55 квантового (молекулярного) генератора (Н. Г. Басов, А. М. Прохоров).

Прогресс импульсной техники, сформировавшейся в 50-х гг. в самостоятельную область радиоэлектроники, был вызван, с одной стороны, бурным развитием радиолокации, телевидения, телеуправления, с другой — вычислительной техники и ядерной физики (в частности, в таких её аспектах, как разработка аппаратуры для ускорителей, измерительная техника). В эти же годы сложилась и начала быстро развиваться техника наносекундных импульсов как актуальное направление многих областей экспериментальной физики, измерительной и вычислительной техники.

Достижения физики твёрдого тела и теории полупроводников в конце 40-х гг. привели к развитию полупроводниковой электроники (а затем и интегральной микроэлектроники). Уже в начале 50-х гг. электронная промышленность СССР освоила производство маломощных ВЧ транзисторов для приёмной техники. За короткий срок полупроводниковые приборы заметно потеснили (а в некоторых областях применения практически вытеснили) приёмно-усилительные лампы. Так, на основе полупроводниковых приборов были разработаны ЭВМ 2-го поколения (в т. ч. бортовые — для размещения на самолётах и космических летательных аппаратах), системы автоматизированного управления, аппаратура связи; в 70-х гг. большинство выпускаемых радиовещательных приёмников — транзисторные. Благодаря достижениям полупроводниковой электроники и микроэлектроники успешно решается одна из важнейших проблем радиоэлектроники — повышение надёжности радиоаппаратуры и связанные с ней вопросы микроминиатюризации. Исключительно важную роль в развитии микроэлектроники сыграло появление (в конце 50-х гг.) и быстрое распространение планарной технологии, обусловившей интенсивное развитие полупроводниковой интегральной микроэлектроники, которая позволила осуществить переход к методу группового изготовления полупроводниковых приборов (создание на одном полупроводниковом кристалле функционально законченного электронного устройства — т. н. интегральной схемы). В связи с необходимостью быстрейшего освоения и внедрения технологии полупроводниковых приборов, разработки соответствующего оборудования и т. д. в 1953 в Москве был создан НИИ полупроводниковой электроники, а затем в разных городах — целая сеть НИИ, КБ и заводов. В обеспечении качественного и количественного развития полупроводниковой электроники и микроэлектроники участвовали организации АН СССР, Министерства цветной металлургии, химической промышленности и др. В создании электронной промышленности (в т. ч. полупроводниковой) большие заслуги принадлежат А. И. Шокину; в осуществлении перехода от «первого поколения» радиоаппаратуры (на основе электровакуумных приборов) ко «второму» (на полупроводниковых приборах) и «третьему» (на интегральных схемах) — В. Д. Калмыкову. Большой вклад в создание полупроводниковой электроники и микроэлектроники внесли учёные и инженеры А. Ф. Иоффе, Н. П. Сажин, Я. И. Френкель, Б. М. Вул, В. М. Тучкевич, Г. Б. Абдуллаев, Ж. И. Алферов, Л. В. Келдыш, Я. А. Федотов, К. А. Валиев, А. Ю. Малинин, С. Г. Калашников, В. Г. Колесников и мн. др.

Огромное распространение в радиоэлектронике нашли ферриты. Они используются в антенно-фидерных трактах СВЧ, в параметрических усилителях, контурах радиоаппаратуры и т. д. ферриты с прямоугольной петлёй гистерезиса применяются в ячейках магнитной памяти ЭВМ.

В связи с развитием в СССР космической связи, радиолокации, радиоастрономии, телевидения были разработаны параметрические и квантовые приёмно-усилительные устройства, обладающие чрезвычайно малыми собственными шумами. Чувствительность таких устройств достигает 10 -18 вт. На основе достижений теории радиоприёма (В. И. Сифоров и др.), теории потенциальной помехоустойчивости (В. А. Котельников и др.), статистической теории обнаружения, теории информации и кодирования удалось построить радиосистемы для приёма слабых сигналов (порядка 10 -22 вт/м 2 ) с космических кораблей и автоматических межпланетных станций, удалённых от Земли на десятки млн. км. Были решены многие теоретические вопросы распространения радиоволн, отражения и поглощения их атмосферой и другими объектами.

С середины 40-х гг. советское телевидение перешло на более высокий стандарт разложения телевизионного кадра (625 строк) и частотную модуляцию в канале звукового сопровождения; сложилась разветвленная передающая телевизионная сеть, в которой обмен программами между городами осуществляется по кабельным линиям (например, по 1920-канальной системе передачи по коаксиальному кабелю; разработана в 1958), радиорелейным, а с 1965 и спутниковым линиям связи (через спутник связи «Молния-1»; с 1967 — по системе «Орбита»). Успешно развивается цветное телевидение. Совместными усилиями специалистов СССР и Франции была разработана и в 1967 принята система цветного телевидения СЕКАМ, совместимая с системой черно-белого телевидения. В телевизионной аппаратуре всё шире используются полупроводниковые приборы. Получило развитие использование фототелевизионной аппаратуры при исследовании космического пространства (впервые была установлена на борту станции «Луна-3» в 1959).

В 1964 при СЭВ была создана постоянная Комиссия по радиопромышленности и электронной промышленности, координирующая деятельность специалистов социалистических стран в области радиотехники и электроники.

Для развития электросвязи в СССР характерны следующие тенденции: полная автоматизация процессов коммутации; применение ЭВМ для управления процессами соединений абонентов квазиэлектронных и электронных систем коммутации; внедрение унифицированных технических средств многоканальной связи, обеспечивающих возможность организации в одном тракте связи нескольких каналов, используемых для электросвязи различных видов (телефонной, телеграфной, факсимильной, передачи данных, видеотелефонной); разработка многоканальных систем с временным разделением каналов; разработка и освоение волноводных и световодных линий связи и др. Внедрение радиоэлектроники в связь продолжало оставаться актуальнейшей задачей, диктуемой стремительным ростом потоков информации и, как следствие, требованиями увеличения скорости и точности её передачи, повышения надёжности и помехоустойчивости аппаратуры связи. Решение этой задачи основано на разработке новых интегральных микросхем для систем с электронной коммутацией сообщений и каналов, систем с временным уплотнением линий связи (в частности, систем с импульсно-кодовой модуляцией). Число электронных компонентов в современной аппаратуре связи непрерывно возрастает (за десятилетие приблизительно в 10—20 раз). Развитие электросвязи в СССР идёт по пути создания разработанной в 60-х гг. и планомерно внедряемой Единой автоматизированной системы связи (ЕАСС). Многообразие форм обслуживания абонентов ЕАСС обусловливает целесообразность интеграции сетей связи на единой технической основе.