БСЭ БСЭ - Большая Советская Энциклопедия (СЕ)

Возникновение поляризации при переходе С. в полярную фазу может быть вызвано либо смещением ионов (фазовый переход типа смещения, например в титанате бария, рис. 2 ), либо упорядочением ориентации электрических диполей, существовавших и в неполярной фазе (фазовый переход типа порядок — беспорядок, например в дигидрофосфате калия). В некоторых С. спонтанная поляризация может возникать как вторичный эффект, сопровождающий перестройку структуры кристалла, не связанную непосредственно с поляризацией. Такие С., называются несобственными (например, молибдат гадолиния), обладают рядом особенностей: e слабо зависит от Т, в точке Кюри значение e невелико, и др.

В области фазового перехода наблюдаются изменения и в фононном спектре кристалла (см. Колебания кристаллической решётки ) . Они наиболее четко выражены для переходов типа смещения. Частота одного из оптических колебаний кристаллической решётки существенно падает при приближении к Т с, особенно, если этот фазовый переход 2-го рода.

Все С. в полярной фазе являются пьезоэлектриками (см. Пьезоэлектричество ) . Пьезоэлектрические постоянные С. могут иметь сравнительно с другими пьезоэлектриками большие значения, что связано с большими величинами e. Большие значения имеют также пироэлектрические постоянные С. из-за сильной зависимости P s ( T ) .

Сегнетоэлектрическими свойствами обладают некоторые полупроводники и магнитоупорядоченные вещества. Сочетание различных свойств приводит к новым эффектам, например магнитоэлектрическим. В некоторых диэлектриках при фазовом переходе с изменением кристаллической структуры спонтанная поляризация не возникает, но наблюдаются, однако, диэлектрической аномалии, сходные с аномалиями при сегнетоэлектрических переходах: заметное изменение e, а также двойные петли гистерезиса. Такие диэлектрики часто называются антисегнетоэлектриками, хотя наблюдаемые свойства, как правило, не связаны с исторически возникшими представлениями об антипараллельных дипольных структурах.

Сегнетоэлектрические материалы (монокристаллы, керамика, плёнки) широко применяются в технике и в научном эксперименте. Благодаря большим значениям e их используют в качестве материала для конденсаторов высокой удельной ёмкости. Большие значения пьезоэлектрических констант обусловливают применение С. в качестве пьезоэлектрических материалов в приёмниках и излучателях ультразвука, в преобразователях звуковых сигналов в электрические и наоборот, в датчиках давления и др. Резкое изменение сопротивления вблизи температуры фазового перехода в некоторых С. используется в позисторах для контроля и измерения температуры. Сильная температурная зависимость спонтанной поляризации (большая величина пироэлектрические константы) позволяет применять С. в приёмниках электромагнитных излучений переменной интенсивности в широком диапазоне длин волн (от видимого до субмиллиметрового). Благодаря сильной зависимости e от электрического поля С. используют в нелинейных конденсаторах (варикондах), которые нашли применение в системах автоматики, контроля и управления. Зависимость показателя преломления от поля обусловливает использование С. в качестве электрооптических материалов в приборах и устройствах управления световыми пучками, включая визуализацию инфракрасного изображения. Перспективно применение С. в устройствах памяти вычислительных машин, дистанционного контроля и измерения температуры и др.

Лит.: Иона Ф., Ширане Д., Сегнетоэлектрические кристаллы, пер. с англ., М., 1965; Фейнман Р., Лэйтон Р., Сэндс М., Фейнмановские лекции по физике, [пер. с англ.], т. 5, М., 1966; Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики, Л., 1971; Жёлудев И. С., Основы сегнетоэлектричества, М., 1973.

А. П. Леванюк, Д. Г. Санников.

Рис. 5. Зависимость P s(T) и E(Т) для триглицинсульфата. Индексы а, b, с соответствуют направлению вдоль трёх кристаллографических осей. Спонтанная поляризация возникает вдоль оси b.

Рис. 3. Микрофотография доме'нов сегнетовой соли, полученная с использованием поляризованного света. Тёмные и светлые области отвечают доме'нам с противоположными направлениями спонтанной поляризации.

Рис. 2. Схематическое изображение элементарной ячейки сегнетоэлектрика в полярной фазе (а и б) и в неполярной фазе (в); стрелки указывают направление электрических дипольных моментов.

Рис. 4. Взаимодействие электрического поля Е одной части образца со спонтанной поляризацией другой его части.

Рис. 1. Схематическое изображение элементарной ячейки пироэлектрика. Стрелки указывают направления электрических дипольных моментов.

Сегнетоэлектри'чество,совокупность электрических свойств, характерных для группы диэлектриков, называющихся сегнетоэлектриками и являющихся разновидностью пироэлектриков.

Сего'вия(Segovia) Андрес (по уточнённым данным, р. 21.2.1893, Линарес, провинция Хаэн), испанский гитарист. Живёт в Женеве. Научился играть самостоятельно. Концертирует с 14 лет в странах Европы и Америки; в СССР — впервые в 1926. Игра С. отмечена исключительным виртуозным мастерством, глубиной интерпретаций; С. расширил технические и выразительные возможности гитары, ввёл в репертуар классическую и современную музыку (многие произведения в собственных обработках), поднял гитарное исполнительство на высокий художественный уровень. Для С. написаны и посвящены ему сочинения Х. Турины, Х. де Манена, А. Русселя, М. Кастельнуово-Тедеско, С. Скотта, Э. Вила Лобоса, А. Тансмана и др.

Лит.: Вайсборд М., Андрее Сеговия в Москве, «Музыкальная жизнь», 1971, №20; Gavoty В., A. Segovia, Gen. — Monaco, [1955]; Usillos С., Segovia, [Bilbao, 1973].

Сего'вия(Segovia), город в центральной Испании, в области Старая Кастилия, близ Мадрида. Административный центр провинции Сеговия. 41,9 тыс. жителей (1970). Химические (в т. ч. производство удобрений), резиновые, цементные, мукомольные предприятия.