БСЭ БСЭ - Большая Советская Энциклопедия (ТИ)

И. В. Крюкова.

Тире'сий,в древнегреческой мифологии слепой прорицатель из г. Фивы.

Тири'нф(Tiryns), древнегреческий город в Арголиде (Пелопоннес). Поселение на месте Т. возникло в эпоху неолита. В начале 2-го тысячелетии до н. э. Т. стал центром раннеклассового государства ахейцев. Время расцвета Т. приходится на 16—13 вв., когда на акрополе был выстроен большой царский дворец, украшенный фресками. Около 1400 акрополь Т. был обнесён мощными каменными стенами, так называемыми циклопическими, упомянутыми в «Илиаде» (II, 559) и описанными позднее Павсанием («Описание Эллады», II, 25). Укрепленные башнями стены Т. местами достигали 10 м толщины и имели внутри кладовые для оружия и др. Из крепости Т. подземный ход вёл к подземному источнику. Среди царей Т. особенно прославился Диомед (около 1240), согласно греческой традиции принимавший участие в походе на Трою. В 12 в., при вторжении дорийцев, акрополь Т. в результате пожара был опустошён, жизнь продолжалась в лежавшем вокруг акрополя нижнем городе. В 1-м тысячелетии до н. э. Т. оставался небольшим полисом. Около 470 до н. э. Т. был окончательно разрушен аргосцами.

Археологические исследование Т. началось с 1831; наиболее значительные результаты дали раскопки В. Дёрпфельда (в 1884—85), немецких археологов Г. Каро и К. Мюллера (в 1912—38, с перерывами), греческого археолога Н. Верделиса (в 60-х гг. 20 в.).

Лит.: Блаватская Т. В., Ахейская Греция во втором тысячелетии до н. э., М., 1966; Tiryns. Die Ergebnisse des Ausgrabungen des Institute, Bd I—6, Athen—Augsburg— Mainz am Rhein, 1912—73.

Г. В. Блаватская.

Тири'стор(от греч. thýra — дверь, вход и англ. resistor — резистор ) , полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с четырёхслойной структурой р—n—p—n -типа, обладающий свойствами вентиля электрического и имеющий нелинейную разрывную вольтамперную характеристику (ВАХ). С крайними слоями (областями) монокристалла контактируют силовые электроды (СЭ) — анод и катод, от одного из промежуточных слоев делают вывод электрода управления (УЭ).

К СЭ подсоединяют токоподводы силовой цепи и устройства теплоотвода. В случае, когда к СЭ прикладывается напряжение прямой полярности U np(как указано на рис. 1 ), первый (П 1) и третий (П 3) электронно-дырочные переходы смещаются в прямом направлении, а второй (П 2) — в обратном. Через переходы П 1и П 3в области, примыкающие к переходу П 2, инжектируются неосновные носители, которые уменьшают сопротивление перехода П 2, увеличивают ток через него и уменьшают падение напряжения на нём. При повышении прямого напряжения ток через Т. сначала растет медленно, что соответствует участку ОА на ВАХ ( рис. 2 ). В этом режиме Т. можно считать запертым, так как сопротивление перехода П 2всё ещё очень велико (при этом напряжения на переходах П 1и П 3малы, и почти всё приложенное напряжение падает на переходе П 2). По мере увеличения напряжения на Т. снижается доля напряжения, падающего на П 2, и быстрее возрастают напряжения на П 1и П 2, что вызывает дальнейшее увеличение тока через Т. и усиление инжекции неосновных носителей в область П 3. При некотором значении напряжения (порядка десятков или сотен в ), называется напряжением переключения U пер(точка А на ВАХ), процесс приобретает лавинообразный характер, Т. переходит в состояние с высокой проводимостью (включается), и в нём устанавливается ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внешней цепи (точка В на ВАХ).

Процесс скачкообразного переключения Т. из состояния с низкой проводимостью в состояние с высокой проводимостью можно объяснить, рассматривая Т. как комбинацию двух транзисторов (T 1и Т 2), включенных навстречу друг другу ( рис. 3 ). Крайние области монокристалла являются эмиттерами ( р -слой называется анодным эмиттером, n -слой — катодным), а средние — коллектором одного и одновременно базой др. транзистора. Ток i , протекающий во внешней цепи Т., является током первого эмиттера i э1 и током второго эмиттера i э2. Вместе с тем этот ток складывается из двух коллекторных токов i к1и i к2, равных соответственно a 1 i э1и a 2 i э2, где «a 1и a 2— коэффициенты передачи эмиттерного тока транзисторов T 1и Т 2; кроме того, в его состав входит ток коллекторного перехода i кo(так называемый обратный ток). Таким образом i = a 1 i э1+ a 2 i э2+ i кo. С учётом i э1= i э2= i имеем . При малых токах a 1и a 2значительно меньше 1 (и их сумма также меньше 1). С увеличением тока a 1и a 2растут, что ведёт к возрастанию i. Когда он достигает значения, называется током включения I вк , сумма a 1+a 2становится приблизительно равной 1, и ток скачком возрастает до величины, ограничиваемой сопротивлением нагрузки (точка В на рис. 2 ). Всякий Т. характеризуется предельно допустимым значением прямого тока I пред(точка Г на рис. 2 ), при котором на приборе будет небольшое остаточное напряжение U ocт. Если же уменьшать ток через Т., то при некотором его значении, называется удерживающим током I yд(точка Б на рис. 2 ), Т. запирается — переходит в состояние с низкой проводимостью, соответствующее участку ОА на ВАХ. При напряжении обратной полярности кривая зависимости тока от напряжения выглядит так же, как соответствующая часть ВАХ полупроводникового диода.

Описанный способ включения Т. (повышением напряжения между его СЭ) применяют в Т., называется вентилями-переключателями (реже неуправляемыми Т., или динисторами). Однако преимущественное распространение получили Т., включаемые подачей в цепь УЭ импульса тока определённой величины и длительности при положительной разности потенциалов между анодом и катодом (обычно их называют управляемыми вентилями или Т.). Особую группу составляют фототиристоры, перевод которых в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. Выключение Т. производят либо снижением тока через Т. до значения I yд, либо изменением полярности напряжения на его СЭ.

В соответствии с назначением различают Т. с односторонней проводимостью, с двухсторонней проводимостью (симметричные), быстродействующие, высокочастотные, импульсные, двухоперационные и специальные.

Полупроводниковый элемент Т. изготовляют из кремниевых монокристаллических дисков (пластин), вводя в Si добавки В, Al и Р. При этом в основном используют диффузионную и сплавную технологию. Конструктивно Т. выполняют ( рис. 4 ) в герметичном корпусе; для обеспечения механической прочности и устранения тепловых напряжений, возникающих из-за различия коэффициентов расширения Si и Cu (материал электродов), между кристаллом и электродами устанавливают термокомпенсирующие вольфрамовые или молибденовые диски. Различают Т. штыревой конструкции — в металлических и металлокерамических корпусах, прижимные (с отводом тепла с одной стороны Т.) и таблеточные (с двухсторонним отводом тепла). Основные конструкции Т. — таблеточная и штыревая. Т. на токи до 500 а изготовляют с воздушным охлаждением, на токи свыше 500 а — обычно с водяным.