БСЭ БСЭ - Большая Советская Энциклопедия (ТУ)
- Название:Большая Советская Энциклопедия (ТУ)
- Автор:
- Жанр:
- Издательство:неизвестно
- Год:неизвестен
- ISBN:нет данных
- Рейтинг:
- Избранное:Добавить в избранное
-
Отзывы:
-
Ваша оценка:
БСЭ БСЭ - Большая Советская Энциклопедия (ТУ) краткое содержание
Большая Советская Энциклопедия (ТУ) - читать онлайн бесплатно полную версию (весь текст целиком)
Интервал:
Закладка:
Тунмэнхой
Тунмэнхо'й,Объединённый союз, Союзная лига, китайская революционная организация, созданная Сунь Ят-сеном в 1905 в Японии на базе Синчжунхоя и др. антиманьчжурских организаций. В Т. входили представители средней и мелкой городской буржуазии, китайских помещиков (выступавших против маньчжурского правительства), крестьянства. Программа Т., в основе которой лежали выработанные Сунь Ят-сеном принципы национализма, народовластия и народного благосостояния, включала следующие требования: «изгнать маньчжуров, восстановить суверенитет Китая, создать республику, осуществить уравнение прав на землю». Последнее требование трактовалось в духе утопических идей американского буржуазного экономиста Г. Джорджа (фиксация цены на землю и передача дифференциальной ренты государству). В программе, однако, отсутствовали чёткие и последовательные антифеодальные требования, не выдвигалась задача борьбы с империализмом. Т. являлся первой общекитайской буржуазно-революционной партией. Его отделения были созданы в каждой провинции Китая, а также во многих странах, где проживали китайские эмигранты. Т. издавал свой орган — журнал «Миньбао». С 1906 по 1911 Т. подготовил и провёл ряд вооружённых восстаний в Южном и Центральном Китае. Т. являлся ведущей политической силой Синьхайской революции, в результате которой была свергнута маньчжурская монархия и провозглашена республика. После Учанского восстания правые элементы Т. стали склоняться к компромиссу с лидером китайской контрреволюции Юань Ши-каем, отдав ему в конце концов власть. В феврале 1912, после отречения Цинской династии, Т. принял новую программу, в которой лозунг «уравнение прав за землю» был заменен абстрактным, расплывчатым требованием «проводить политику государственного социализма». Программа также предусматривала введение всеобщего образования, уравнение в политических правах мужчин и женщин, требование равноправия Китая в области международных отношений. В августе 1912 Т. объединился с несколькими политическими организациями либеральной буржуазии, в результате чего возникла партия гоминьдан.
Лит.: Данилов В. И., «Объединенная революционная лига Китая» и ее роль в подготовке революции 1911—1912 гг., М., 1959; Ефимов Г. В., Буржуазная революция в Китае и Сунь Ят-сен. 1911—1913 гг., М., 1974.
Е. А. Белов.
Туннель
Тунне'ль,см. Тоннель.
Туннельная эмиссия
Тунне'льная эми'ссия(автоэлектронная, холодная, электростатическая, полевая), испускание электронов твёрдыми и жидкими проводниками под действием внешнего электрического поля Е высокой напряжённости ( Е ~ 10 7в/см ) . Т. э. была обнаружена в 1897 Р. Вудом (США). В 1929 Р. Милликен и К. Лоритсен установили линейную зависимость логарифма плотности тока j Т. э. от обратной напряжённости электрического поля: 1/Е. В 1928—29 Р. Фаулер и Л. Нордхейм дали теоретическое объяснение Т. э. на основе туннельного эффекта. Т. э. — результат туннельного «просачивания» электронов сквозь потенциальный барьер, существующий на границе проводник — вакуум (или др. среда). Сильное электрическое поле снижает этот барьер и делает его достаточно проницаемым (то есть относительно тонким и невысоким). Распространённый термин «автоэлектронная эмиссия» отражает отсутствие энергетических затрат на возбуждение электронов, свойственных др. видам электронной эмиссии. В зарубежной литературе принят термин «полевая эмиссия» (field emission).
Плотность тока Т. э. j составляет часть плотности потока электронов n, падающих изнутри проводника на барьер, и определяется прозрачностью барьера D:
. (1)
Здесь d — доля энергии электрона, связанная с компонентой его импульса, нормальной к поверхности проводника, Е — напряжённость электрического поля у поверхности, е — заряд электрона. Из формулы (1) следует зависимость j от концентрации электронов в проводнике и их энергетического спектра, а также от высоты и формы барьера, определяющих его прозрачность D.
Наиболее полно изучена Т. э . металлов в вакуум. В этом случае величина j следует закону Фаулера — Нордхейма:
(2)
Здесь h — Планка постоянная, m — масса электрона, j — потенциал работы выхода металла, t (y) и J(y) — табулированные функции аргумента . Подставив значения констант и положив t 2( y ) » 1,1, а J( y ) » 0,95—1,03 y 2, получим из формулы (2) приближённое соотношение:
(3)
(величины j, Е и j соответственно в а/см 2, в/см и эв ) . Значения lg j для некоторых Е и j приведены в таблице.
j = 20 | j = 4,5 | j = 6,3 | |||
Е •10 –7 | lg j | Е • 10 –7 | lg j | Е • 10 –7 | lg j |
1 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 | 2,98 4,45 5,49 6,27 6,89 7,40 7,82 8,16 8,45 | 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0 12,0 | –3,33 1,57 4,06 5,59 6,62 7,36 7,94 8,39 8,76 9,32 | 2,0 4,0 6,0 8,0 10,0 12,0 14,0 16,0 18,0 20,0 | –12,90 –0,88 3,25 5,34 6,66 7,52 8,16 8,65 9,04 9,36 |
Формула (2) получена в предположениях, что температура Т = 0 К и что вне металла в отсутствие поля на электроны действуют только силы зеркального изображения (см. Работа выхода ) . Форма потенциального барьера для этого случая показана на рис. 1 . Прозрачность барьера D может быть рассчитана по методу Венцеля — Крамерса — Бриллюэна. Несмотря на упрощения, теория Фаулера — Нордхейма хорошо согласуется с экспериментом.
На практике обычно измеряют зависимость тока I = jS ( S — площадь эмитирующей поверхности) от напряжения V: Е = a V (a — так называемый полевой множитель). Т. э. металлов характеризуется высокими предельными плотностями тока до величин j ~ 10 10 а/см 2, что объясняется теорией Фаулера — Нордхейма. Лишь при j ~ 10 6—10 -9 а/см 2 имеют место отклонения от формулы (2), связанные с влиянием объёмного заряда или же с деталями формы потенциального барьера вблизи поверхности металла. Неограниченное повышение напряжения приводит при j ~ 10 8—10 10 а/см 2 к электрическому пробою вакуумного промежутка и гибели эмиттера, которому предшествует интенсивная кратковременная взрывная эмиссия электронов.
Т. э. слабо зависит от температуры. Малые отклонения от формулы (2) с ростом температуры Т пропорциональны T 2:
Читать дальшеИнтервал:
Закладка: