Николай Левашов - Последнее обращение к человечеству

Рис. 144— влияние атома водорода на пространство, в котором он находится. Вторичное искривление пространства.

1. Физически плотная сфера.

2. Эфирная сфера.

Н — ядро атома водорода.

S — электрон атома водорода.

Ядра трансурановых элементов производят вторичное вырождение мерности микрокосмоса:

Δλ′ транс. уран.≈ -0,020203236…

И уже достаточно незначительного воздействия извне, чтобы произошло раскрытие качественного барьера между физическим и эфирным планами планеты, при котором начинается распад атомов и происходит перетекание материй их образующих на эфирный план (см. Рис. 145).

Рис. 145— влияние атома урана на пространство, в котором он находится. Продавливание эфирной сферы ядром урана.

1. Физически плотная сфера.

2. Эфирная сфера.

S, P, D, F — электронные оболочки атома урана.

U — ядро атома урана.

| Δλ′ транс. уран.+ ΔЕ| ≥ Δλ = 0,020203236…

Таким образом, каждый атом, в зависимости от его атомного веса, в большей или меньшей степени влияет на мерность своего микрокосмоса, вызывая вторичное вырождение мерности.

Деформация пространства происходит не только в зоне самого ядра атома. Образовавшееся ядро деформирует пространство вокруг себя. Но этого изменения структуры пространства недостаточно для синтеза вещества из семи форм материй.

Возникает искривление пространства, где в состоянии слиться воедино шесть форм материй, но для слияния семи форм материй не хватает незначительного искривления микрокосмоса. Мерность этих зон колеблется в пределах

2,9800 < λ< 3,00017

Причём, для того, чтобы образовался электрон, необходима величина мерности:

3,0001 < λ эл< 3,00017

При этом, седьмая материя начинает сливается с шестью остальными, но это соединение очень неустойчиво. Незначительные изменения окружающей среды приводят к распаду этого соединения материй. Именно поэтому электрон проявляет себя и как вещество, и как волна (дуализм свойств).

Другими словами, происходит постоянный синтез и распад вещества, образующего электрон. При этом образуется электронное облако, которое может приобретать несколько форм: S-облако, Р-облако, D-облако, F-облако. Эти электронные облака отличаются друг от друга своими пространственными формами, что в свою очередь, влияет на свойства электронов и, в результате они создают разные пространственные соединения между собой.

При соединении атомов в молекулы или при создании из атомов кристаллической решётки, электронные облака разных атомов создают общие системы, которые более устойчивы. При этом систему образуют два электрона, имеющие так называемые, разные спины. Это связано с разным типом искривления мерности микрокосмоса, что приводит к прогибу пространства как в одну, так и в другую сторону относительно нулевого (балансного) уровня.

Электронные структуры соседних атомов сливаются в единую замкнутую систему. Наружные электронные оболочки отдельных атомов не заполнены до баланса. Если атом имеет нечётное число «наружных» электронов, то атом — неустойчив. Когда атомы соединяются в единую систему, каждые два атома отдают по одному «свободному» электрону для образования общей устойчивой системы. Условно электрон, движущийся по часовой стрелке вокруг ядра, определяется, как имеющий положительный спин, а движущийся против часовой стрелки — отрицательный спин (см. Рис. 146, Рис. 146а, Рис. 147).

Рис. 146— отрицательный спин электрона. Движение сгустка материи в краевой зоне искривления пространства первого типа.

1. Электрон.

3. Краевая зона искривления пространства первого типа.

Рис. 146а— положительный спин электрона. Движение сгустка материи в краевой зоне искривления пространства второго типа.

2. Электрон.

4. Краевая зона искривления пространства второго типа.

Рис. 147— образование электронной пары при соединении атомов в молекулы.

1. Электрон, имеющий отрицательный спин.

2. Электрон, имеющий положительный спин.

3. Краевая зона искривления первого типа.

4. Краевая зона искривления второго типа.

Соединяясь в молекулы, создавая кристаллические решётки, атомы переходят в более устойчивое состояние. Особенно интересны создаваемые атомами кристаллические решётки. Разные типы кристаллических решёток, имеющие особенности электронных систем, образуют собой три группы: проводники, полупроводники и изоляторы. Различие свойств связано со степенью устойчивости электронных структур.

У проводников общие электронные системы нестабильны, постоянно образуются и распадаются. Вся такая система постоянно находится в движении, правда это движение хаотично. Если тем или иным способом создать направленное воздействие на проводники (приложить напряжение), возникает электрический ток.

Но, что самое интересное, электроны не двигаются в проводнике. Внешнее воздействие (поле) увеличивает степень неустойчивости электронов, они распадаются и материи, их образующие, перетекают на эфирный уровень, где продолжают подвергаться воздействию внешнего поля. Внешнее поле вынуждает перетекать эти материи в определённом направлении (внешнее воздействие [поле] влияет на мерность микрокосмоса атомов, что и приводит к перетеканию материй на эфирный план).

При таком вынужденном перетекании эти материи теряют часть своей энергии, что приводит к новому слиянию материи в очередной зоне искривления микрокосмоса атомов. Электрон вновь синтезируется. Таким образом, движение электронов вдоль проводника есть периодическое перетекание материй, их образующих, с физического уровня на эфирный и обратно.

Именно поэтому при соединении в единое целое кристаллических решёток разных типов, (как в случае полупроводников) и при создании необходимых внешних условий, проявляется так называемый, туннельный эффект. Когда расстояние между точкой распада и точкой синтеза электронов составляет от доли миллиметра до нескольких миллиметров. При этом в этом промежутке — зона «затишья» — не происходит перетекание материй с физического уровня на эфирный и обратно. Это явление возникает при резком отличии электронных структур кристаллических решёток, образующих полупроводник (см. Рис. 148).