И. Хабловски - Электроника в вопросах и ответах

Рис. 9.3. Ламповый ( а) и транзисторный ( б) усилительные каскады с одиночным резонансным контуром

Так же как и для нерезонансного усилителя, коэффициент усиления каскада зависит от крутизны характеристики активного элемента Sи сопротивления нагрузки Z( К u = S· Z). Поскольку крутизна имеет постоянное значение, вид коэффициента усиления от частоты определяется исключительно зависимостью сопротивления Zот частоты.

На рис. 9.4 показана зависимость сопротивления контура Z, а следовательно, и коэффициента усиления каскада от частоты. Из рисунка видно, что зависимость аналогична характеристике параллельного резонансного контура, состоящего из индуктивности Lи параллельно подключенной к ней емкости С. Эта емкость состоит из емкости конденсатора и суммы емкостей: выходной активного элемента, входной емкости следующего каскада, собственной емкости катушки индуктивности и емкостей рассеяния.

Рис. 9.4. Зависимость сопротивления Zпараллельного резонансного контура от частоты

Максимум усиления имеет место на резонансной частоте контура ( f 0= 1/2π√( L· C)) и составляет

К u = — Sω 0LQ эф

где ω 0= 2π f 0— резонансная круговая частота; Q эф— результирующая добротность контура. Знак минус обозначает инверсию фазы выходного напряжения на 180° относительно входного.

Из приведенной зависимости следует, что усиление прямо пропорционально результирующей добротности контура Q peз. Результирующая добротность контура Q peзравна собственной добротности резонансного контура, уменьшенной из-за затухания, связанного с выходным сопротивлением активного элемента, и подключенного дополнительного гасящего сопротивления.

От результирующей добротности Q peззависит также избирательность усилителя. Из рис. 9.5 следует, что чем больше добротность, тем «острее» резонансная кривая и тем усилитель более избирателен.

Рис. 9.5. Амплитудная характеристика усилителя с одиночным резонансным контуром при разных значениях его добротности Q

Ширина полосы пропускания усилителя Вили 2 Δfсоответствующая снижению усиления на 3 дБ, обратно пропорциональна добротности Q эф:

2 Δf= В= f 0/ Q peз

Следовательно, чем больше добротность Q peз, тем уже полоса пропускания усилителя, но одновременно больше усиление. Подключая параллельно резонансному контуру сопротивление R, можно регулировать его добротность и тем самым влиять на ширину полосы пропускания усилителя. При этом не следует забывать, что коэффициент усиления также подвергается изменению. В связи с этим в случае широкополосных усилителей номинальное усиление на каскад получается меньшим.

Помимо сложностей, связанных с разделением постоянных напряжений, действующих во входной и выходной цепях, не всегда можно подвести к следующему каскаду все переменное напряжение, действующее на резонансном контуре. Для ламп это возможно. Используя конденсатор связи с достаточно большой емкостью, такой, чтобы его емкостное сопротивление было малым на рабочей частоте усилителя, мы передаем все переменное напряжение, действующее на резонансном контуре, на сетку следующего каскада (рис. 9.6).

Рис. 9.6. Усилитель с одиночным резонансным контуром, связанный со следующим каскадом

Входное сопротивление лампы достаточно велико, особенно в диапазоне частот до 30 МГц, и не влияет отрицательно на добротность контура.

Для транзисторных усилителей ситуация совершенно иная. Транзистор как элемент, управляемый током, характеризуется низким входным сопротивлением [22] Речь идет о биполярных транзисторах. Полевые транзисторы имеют большое входное сопротивление — Прим ред . . Соединение коллектора с базой транзистора следующего каскада с помощью конденсатора с пренебрежимо малым реактивным сопротивлением вызвало бы значительное затухание в резонансном контуре, уменьшение его добротности и в результате расширение полосы пропускания усилителя с одновременным уменьшением коэффициента усиления. Поэтому в транзисторных усилителях необходимо согласовать высокое выходное сопротивление транзистора с низким входным сопротивлением последующего каскада. Задачу согласующих цепей выполняют модифицированные резонансные контуры, которые не только устанавливают требуемую среднюю частоту f 0и соответствующую ширину полосы, но также трансформируют сопротивление.

На рис. 9.7 представлены три способа согласования сопротивления в транзисторных усилителях. В схеме на рис. 9.7, а использован емкостный делитель. Результирующая емкость последовательного соединения конденсаторов С 1и С 2является емкостью контура, причем в емкости конденсатора С 2следует учитывать входную емкость последующего резонансного каскада. Отношение суммы емкостей конденсаторов С 1и С 2к емкости конденсатора С 1определяет коэффициент передачи, с которым входное сопротивление трансформируется в цепь коллектора. Аналогично действуют и другие схемы с тон разностью, что в схеме рис. 9.7, б коэффициент передачи определяется положением отвода на катушке индуктивности, а в схеме рис. 9 7, в — коэффициентом связи между первичной и вторичной обмотками Конденсаторы С бхарактеризуются большой емкостью и служат только для разделения постоянных напряжений, действующих на коллекторе и базе следующего транзистора.

Рис. 9.7. Три способа согласования сопротивления в транзисторных усилителях:

а— с емкостным делителем; б— с отводом от катушки индуктивности; в— трансформаторный