LibKing » Книги » Компьютеры и Интернет » Все книги в жанре Компьютерное "железо" » А. Красько - Схемотехника аналоговых электронных устройств

А. Красько - Схемотехника аналоговых электронных устройств

Тут можно читать онлайн А. Красько - Схемотехника аналоговых электронных устройств - бесплатно полную версию книги (целиком). Жанр: Все книги в жанре Компьютерное "железо", издательство Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, год 2005. Здесь Вы можете читать полную версию (весь текст) онлайн без регистрации и SMS на сайте LibKing.Ru (ЛибКинг) или прочесть краткое содержание, предисловие (аннотацию), описание и ознакомиться с отзывами (комментариями) о произведении.
libking
  • Название:
    Схемотехника аналоговых электронных устройств
  • Автор:
  • Жанр:
  • Издательство:
    Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
  • Год:
    2005
  • ISBN:
    нет данных
  • Рейтинг:
    4.22/5. Голосов: 91
  • Избранное:
    Добавить в избранное
  • Ваша оценка:

А. Красько - Схемотехника аналоговых электронных устройств краткое содержание

Схемотехника аналоговых электронных устройств - описание и краткое содержание, автор А. Красько, читайте бесплатно онлайн на сайте электронной библиотеки LibKing.Ru

В учебном пособии рассмотрены теоретические основы и принципы действия аналоговых устройств на биполярных и полевых транзисторах. Анализируются основные схемы, используемые в аналоговых трактах типовой радиоэлектронной аппаратуры, приводятся расчетные формулы, позволяющие определить элементы принципиальных схем этих устройств по требуемому виду частотных, фазовых и переходных характеристик. Излагаются основы построения различных функциональных устройств на основе операционных усилителей. Рассмотрены так же ряд специальных вопросов с которыми приходится сталкиваться разработчикам аналоговых электронных устройств – оценка нелинейных искажений, анализ устойчивости, чувствительности и др.

Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 552500, 654200 – «Радиотехника», 654100 – «Электроника и микроэлектроника», и может быть полезно для преподавателей и научных работников.

Схемотехника аналоговых электронных устройств - читать онлайн бесплатно полную версию (весь текст целиком)

Схемотехника аналоговых электронных устройств - читать книгу онлайн бесплатно, автор А. Красько
Тёмная тема

Шрифт:

Сбросить

Интервал:

Закладка:

Сделать

2.4.2. Полевые транзисторы

Полевыми транзисторами (ПТ) называются полупроводниковые усилительные приборы, в основе работы которых используются подвижные носители зарядов одного типа — либо электроны, либо дырки. Наиболее характерной чертой ПТ является высокое входное сопротивление, поэтому они управляются напряжением, а не током, как БТ.

Рисунок 28 Эквивалентная схема ПТ Определяются малосигнальные Yпараметры ПТ - фото 21

Рисунок 2.8. Эквивалентная схема ПТ

Определяются малосигнальные Y-параметры ПТ по его эквивалентной схеме. Для целей эскизного проектирования можно использовать упрощенный вариант малосигнальной эквивалентной схемы ПТ, представленный на рис.2.8.

Данная схема с удовлетворительной для эскизного проектирования точностью аппроксимирует усилительные свойства ПТ независимо от его типа, параметры ее элементов находятся из справочных данных

Выражения для эквивалентных Y-параметров ПТ, включенного по схеме с ОИ определяют по методике п. 2.3:

Y 11 з = jωC зи ,

Y 12 з = jωC зс ,

Y 21 и = S 0 e jωτ ,

Y 22и = g i + jωC си .

Где з, с, и соответственно затвор, сток и исток ПТ; τ — время пролета носителей, τ= C зи / S 0.

Граничную частоту единичного усиления ПТ f T можно оценить по формуле:

f T = 1/2πτ.

Анализ полученных выражений для эквивалентных Y-параметров ПТ, проведенный с учетом конкретных численных значений справочных параметров, позволяет сделать вывод о незначительной зависимости крутизны от частоты, что позволяет в эскизных расчетах использовать ее низкочастотное значение S 0. При отсутствии справочных данных о величине внутренней проводимости ПТ g i , в эскизных расчетах можно принимать g i ≈0 ввиду ее относительной малости.

Пересчет эквивалентных Y-параметров для других схем включения ПТ осуществляется по тем же правилам, что и для БТ.

2.5. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с ОЭ

Среди многочисленных вариантов усилительных каскадов на БТ самое широкое применение находит каскад с ОЭ, имеющий максимальный коэффициент передачи по мощности K P , вариант схемы которого приведен на рисунке 2.9.

Если входного сигнала нет, то каскад работает в режиме покоя. С помощью резистора R б задается ток покоя I б 0=( E кU бэ 0)/ R б . Ток покоя коллектора I к 0= H 21э I б 0. Напряжение коллектор-эмиттер покоя U к 0= E кI к 0 R к . Отметим, что в режиме покоя напряжение U бэ 0составляет десятки и сотни мВ (обычно 0,5…0,8 В). При подаче на вход положительной полуволны синусоидального сигнала будет возрастать ток базы, а, следовательно, и ток коллектора. В результате напряжение на R к возрастет, а напряжение на коллекторе уменьшится, т.е. произойдет формирование отрицательной полуволны выходного напряжения. Таким образом, каскад с ОЭ осуществляет инверсию фазы входного сигнала на 180°.

Рисунок 29 Простой усилительный каскад с ОЭ Графически проиллюстрировать - фото 22

Рисунок 2.9. Простой усилительный каскад с ОЭ

Графически проиллюстрировать работу каскада с ОЭ можно, используя входные и выходные статические характеристики БТ, путем построения его динамических характеристик (ДХ) [5,6]. Вследствие слабой зависимости входной проводимости транзистора g от величины нагрузки, входные статические и динамические характеристики практически совпадают. Выходные ДХ — это прямые линии, которые в координатах I к , U кэ соответствуют уравнениям, выражающим зависимости между постоянными и переменными значениями токов и напряжений на нагрузках каскада по постоянному и переменному току.

Процесс построения выходных динамических характеристик (нагрузочных прямых по постоянному — R =, переменному — R ≈ току) понятен из рисунка 2.10.

Следует отметить, что простое построение ДХ возможно только при активной нагрузке, т.е. в области СЧ АЧХ (см. рис.2.2), в областях НЧ и ВЧ нагрузочные прямые трансформируются в сложные кривые.

Построение ДХ и их использование для графического расчета усилительного каскада подробно описано в [5,6].

Рисунок 210 Динамические характеристики каскада с ОЭ Нагрузки - фото 23

Рисунок 2.10. Динамические характеристики каскада с ОЭ

Нагрузки рассматриваемого каскада по постоянному и переменному току определяются как:

R == R к ;

R ≈= R кR н .

Координаты рабочей точки ( U к 0, I к 0, U бэ 0, I б 0) для малосигнальных усилительных каскадов выбирают на линейных участках входной и выходной ВАХ БТ, используя в малосигнальных усилительных каскадах так называемый режим (класс) усиления А. Другие режимы работы каскадов чаще используются в усилителях мощности, и будут рассмотрены в соответствующем разделе.

При отсутствии в справочных данных ВАХ БТ, координаты рабочей точки могут быть определены аналитическим путем (см. рисунок 2.10):

U к 0= U вых + U н ,

где U н — напряжение нелинейного участка выходных статических ВАХ транзистора, U н =1…2 В;

I к 0≥ Uвых / R ≈,

I б 0= I к 0/ H 21э,

U бэ 0= 0,6…0,8 В (для кремниевых транзисторов),

U бэ 0= 0,4…0,6 В (для германиевых транзисторов).

Если для малосигнальных каскадов в результате расчета по вышеприведенным формулам значения U к 0 и I к 0 окажутся, соответственно, меньше 2 В и 1 мА, то, если не предъявляются дополнительные требования к экономичности каскада, рекомендуется брать те значения координат рабочей точки, при которых приводятся справочные данные и гарантируются оптимальные частотные свойства транзистора.

Для расчета параметров усилительного каскада по переменному току удобно использовать методику, описанную в разделе 2.3, а БТ представлять моделью, предложенной в разделе 2.4.1.

Полная электрическая схема усилительного каскада с ОЭ приведена на рис. 2.11.

Рисунок 211 Усилительный каскад со ОЭ В отличие от ранее рассмотренного - фото 24

Рисунок 2.11. Усилительный каскад со ОЭ

В отличие от ранее рассмотренного каскада (рис.2.9) здесь применена эмиттерная схема термостабилизации ( R б 1, R б 2, R э ), обеспечивающая лучшую стабильность режима покоя, принцип ее работы будет рассмотрен далее. Конденсатор C э необходим для шунтирования R э с целью соединения эмиттера транзистора с общим проводом на частотах сигнала (устранения обратной связи на частотах сигнала, вид и характер этой связи будет рассмотрен в соответствующем разделе).

Читать дальше
Тёмная тема

Шрифт:

Сбросить

Интервал:

Закладка:

Сделать


А. Красько читать все книги автора по порядку

А. Красько - все книги автора в одном месте читать по порядку полные версии на сайте онлайн библиотеки LibKing.




Схемотехника аналоговых электронных устройств отзывы


Отзывы читателей о книге Схемотехника аналоговых электронных устройств, автор: А. Красько. Читайте комментарии и мнения людей о произведении.


Понравилась книга? Поделитесь впечатлениями - оставьте Ваш отзыв или расскажите друзьям

Напишите свой комментарий
Большинство книг на сайте опубликовано легально на правах партнёрской программы ЛитРес. Если Ваша книга была опубликована с нарушениями авторских прав, пожалуйста, направьте Вашу жалобу на PGEgaHJlZj0ibWFpbHRvOmFidXNlQGxpYmtpbmcucnUiIHJlbD0ibm9mb2xsb3ciPmFidXNlQGxpYmtpbmcucnU8L2E+ или заполните форму обратной связи.
img img img img img