Михаил Гук - Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

Рис. 7.14. Модули RIMM

Таблица 7.17. Назначение выводов RIMM

72 pin SO DIMM (Small-Outline-Dual-Inline-Memory Module) — малогабаритный (длина 2,35" — 60 мм) модуль с двусторонним 72-контактным разъемом, нечетные контакты расположены с фронтальной стороны, четные — с тыльной (рис. 7.15, табл. 7.18 и 7.19). Модули комплектуются микросхемами DRAM в корпусах TSOP, емкость 2-32 Мбайт, разрядность данных — 32 или 36 бит (с контролем паритета). 36-битные модули отличаются только наличием дополнительных бит PQx. Память организована в виде двух двухбайтных слов с возможностью побайтного обращения и предназначена для двух- и четырехбайтных применений. Информация об объеме, организации, адресации, быстродействии и регенерации передается через семь линий параллельной идентификации:

♦ PD7 — регенерация: 1=стандартная, 0=расширенная или саморегенерация;

♦ PD6, PD5 — время доступа: 00=50 нс, 10=70 нс, 11=60 нс;

♦ PD[4:1] — организация.

Рис. 7.15. Модули SO DIMM-72 pin

Таблица 7.18. Организация информационных и управляющих сигналов модулей SO DIMM-72

Таблица 7.19Назначение выводов SO DIMM-72 pin

¹ У 37-битных модулей контакт свободен

Модуль 144 pin SO DIMM — малогабаритный модуль (длина 2,35" — 60 мм) с двусторонним 144-контактным разъемом (рис. 7.16, табл. 7.20), емкость 8-64 Мбайт, разрядность данных — 64 или 72 бит ЕСС. Модули обеспечивают побайтное обращение по сигналам CAS[0:7]#, сигнал RAS0#выбирает банк 0, сигнал RAS1#— банк 1 (при его наличии). Напряжение питания — 5 или 3,3 В, механический ключ напряжения питания расположен между контактами 59–60 и 61–62. Нечетные контакты находятся с фронтальной стороны, четные — с тыльной. Идентификация последовательная. Модули могут содержать микросхемы как DRAM, так и SDRAM, объем 8-256 Мбайт.

Рис. 7.16. Модули SO DIMM-144 pin

Таблица 7.20. Назначение выводов модулей SO DIMM-144 pin

¹ DRAM/SDRAM