Дж. Кеоун - OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

.TF <[выходная переменная> <���входной источник>;для передаточной функции

.TRAN <���шаг> <���интервал моделирования> [предельная величина шага] [UIC];для анализа переходных процессов

V[имя] <+узел> <-узел> [[DC] <���значение>] [АС <���значение> [фаза] [спецификация переходного процесса];для независимого напряжения

W[имя] <+ узел ключа> <���имя управляющего устройства V> <-узел управления> <���имя модели>;для переключателя, управляемого током

.WIDTH = <���значение>;устанавливает число символов на строку вывода

X[имя] <[узлы]> <���имя подсхемы>;определяет подсхему

(Подробное описание на английском языке находится в файле \Documents\PSpice_with_CapturePspcref.pdf на прилагаемом к книге компакт-диске.)

В — арсенид-галлиевый транзистор GaAsFET

Общая форма:

В<���имя> <���узел стока> <���узел затвора> <���узел истока> <���модель> [<���область>]

Пример:

BIN 100 1 0 GFAST

В13 22 14 23 GNOM 2.0

С — конденсатор

Общая форма:

С [имя] <+узел> <-узел> <���имя модели> <���емкость> [IC = начальное значение]

Пример:

СLOAD 15 0 20pF

CFDBK 3 33 CMOD 10pF IC=1.5v

D — диод

Общая форма:

D[имя] <+узел> <-узел> <���имя модели> [область значений]

Примеры:

DCLAMP 14 0 DMOC

D13 15 17 SWITCH 1.5

Е — источник напряжения, управляемый напряжением

Общие формы:

Е[имя] <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <���коэффициент усиления>

Е[имя] <+узел> <-узел> POLY(значение) <+ узел управления> <- узел управления> <���значения полиномиальных коэффициентов>;

Е[имя] <+узел> <-узел> VALUE = {<���выражение>}

Е[имя] <+узел> <-узел> TABLE{<���выражение>}<(входное значение)(выходное значение)>*

Е[имя] <+узел> <-узел> LAPLACE={<���выражение>}{<���изображение>}

Е[имя] <+узел> <-узел> FREQ {<���выражение>}<(частота в дБ, фаза в град)>

Примеры:

EBUFF 1 2 10 11 1.0

ЕАМР 13 0 POLY(1) 2 6 0 500

ENLIN 100 101 POLY(2) 3 0 4 0 0.0 13.6 0.2 0.005

ESQRT 10 0 VALUE=(SQRT(V(5)))

ETAB 20 5 TABLE (V(2)) (-5v,5v)(0v,0v)(5v,-5v)

E1POLE 10 0 LAPLACE (V(1)) (1/(1 + s))

EATTEN 2 0 0 FREQ (V(100))) (0,0,0 10,-2,-5 20,-6,-10)

F — источник тока, управляемый током

Общие формы:

F[имя] <+узел> <-узел> <���имя управляющего устройства V> <���коэффициент усиления>

F[имя] <+узел> <-узел> POLY(значение) <���имя управляющего устройства V>* <���значения полиномиальных коэффициентов>*

Примеры:

FSENSE 1 2 VSENSE 10.0

FAMP 13 0 POLY(1) VIN 500

FNLIN 100 101 POLY(2) V1 V2 0.0 0.9 0.2 0.005

G — источник тока, управляемый напряжением

Общие формы:

G[имя] <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <���крутизна>

G[имя] <+узел> <-узел> POLY(значение) <+узел управления> <-узел управления>* <���значения полиномиальных коэффициентов>*

G[имя] <+узел> <-узел> VALUE = (<���выражение>)

G[имя] <+узел> <-узел> TABLE(<���выpaжeниe>)<(вxoднoe значение)(выходное значение)>*

G[имя] <+узел> <-узел> LAPLACE =(<���выражение>)(<���изображение>)

G[имя] <+узел> <-узел> FREQ {<���выражение>}<(частота в дБ, фаза в град)>

Примеры:

GBUFF 1 2 10 11 1.0

GAMP 13 0 POLY (1) 2 6 0 500

GNLIN 10 0 101 POLY (2) 3 0 4 0 0.0 13.6 0.2 0.005

GSQRT 10 0 VALUE = (SQRT(V(5)))

GTAB 20 5 TABLE (V(2)) (-5v,5v)(0v,0v)(5v,-5v)

G1POLE 10 0 LAPLACE (V(1)) (1 / (1 + s))

GATTEN 2 0 0 FREQ (V(100)) (0,0,0 10,-2,-5 20,-6,-10)

H — источник напряжения, управляемый током

Общие формы:

Н[имя] <+узел> <-узел> <���имя управляющего устройства V> переходное сопротивление>

Н[имя] <+узел> <-узел> POLY(значение) <���имя управляющего устройства V>* <���значения полиномиальных коэффициентов>*

Примеры:

HSENSE 1 2 VSENSE 10.0

НАМР 13 0 POLY (1) VIN 500

HNLIN 100 101 POLY (2) V1 V2 0.0 0.9 0.2 0.005

I — источник тока

Общая форма:

I[имя] <+узел> <-узел> [[DC] <���значение>] [АС <���значение> [фазовый угол]

Спецификации формы тока:

ехр( )

pulse(

Примеры:

IBIAS 13 0 2.3mA

IAC 2 3 AC 0.01

IACPHS 2 3 AC 0.01 90

IPULSE 1 0 PULSE (-1mA 1mA 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns)

I3 26 77 DC .002 AC 1 SIN(.002 .002 1.5MEG)

J — полевой транзистор (JFET)

Общая форма:

J[имя] <���узел стока> <���узел управляющего электрода> <���узел истока> <���имя модели> [область];

Примеры:

JIN 100 1 0 JFAST

J13 22 14 23 JNOM 2.0

K — катушки индуктивности с магнитной связью

Общие формы:

K[имя] L[имя] L[имя] <���коэффициент связи>

K[имя] L[имя] L[имя] <���коэффициент связи> <���имя модели> [значения размеров]

Примеры:

KTUNED L3OUT L4IN .8

KXFR1 LPRIM LSEC .99

KXFR2 L1 L2 L3 L4 .98 KPQT_3C8

L — катушка индуктивности

Общая форма:

L[имя] <+узел> <-узел> [имя модели] <���индуктивность> [IС = значение]

Примеры:

LLOAD 15 0 20mH

L2 1 2 .2е-6

LCHOKE 3 42 LMOD .03

LSENSE 5 12 2uH IC=2mA

М — МОП-транзистор (MOSFET)

Общие формы:

М [имя] <���узел стока> <���узел управляющего электрода> <���узел истока> <���узел корпуса/подложки> <���имя модели> [L-значение] [W=значение] [AD=значение] [AS-значение] [PD=значение] [NRD=значение] [NRS=значение] [NRG=значение] [NRB=значение]

Примеры:

M1 14 2 13 0 PNOM L=25u W=12u

М13 15 3 0 0 РSTRONG

М2А 0 2 100 100 PWEAK L=33u w=12u

+ AD=288p AS=288p PD-60U PS=60u NRD=14 NRS=24 NRG=10

N — цифровой вход

Общая форма:

N[имя] <���ток узла> <���напряжение низкого уровня> <���напряжение высокого уровня> <���имя модели> [SIGNAME = <���имя>] [IS = начальное значение]

Примеры:

NRESET 7 15 16 FROM_TTL

N12 18 0 100 FROM_CMOS SIGNAME=VCO_GATE IS = 0

O — цифровой выход

Общая форма:

O[имя] <���ток узла> <���опорное напряжение> <���имя модели> [SIGNAME = <���имя>]

Примеры:

OVCO 17 0 16 TO_TTL

O5 22 100 TO_CMOS SIGNAME=VCO_OUT

Q — биполярный транзистор

Общая форма:

Q[имя] <���узел коллектора <���узел базы> <���узел эмиттера> <���узел подложки> <���имя модели> [область значений]

Примеры:

Q1 14 2 13 0 PNPNOM

Q13 15 3 0 1 NPNSTRONG 1.5

Q7 VC 5 12 [SUB] LATPNP

R — резистор

Общая форма: