Адриан Вонг - Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам

Чем меньше время действия команды, тем раньше может быть активирован банк памяти. Это обеспечивает более быстрый доступ к модулю памяти. Рекомендуем настроить функцию SDRAM Command Leadoff Timeна 3(3 цикла), чтобы добиться повышения производительности памяти.

Однако ваша материнская плата и память могут не поддерживать время действия команды, равное трем циклам. Если система начнет работать нестабильно, измените настройку опции на 4(4 цикла).

SDRAM Command Rate (Коэффициент команды SDRAM)

Обычные опции:1T, 2T.

Когда контроллер памяти получает от операционной системы запрос на чтение данных из памяти, он не имеет информации о точном физическом адресе нужных данных. Контроллер памяти получает лишь виртуальный адрес, который необходимо преобразовать в адреса в физической памяти. Поэтому каждая новая операция в памяти сопровождается небольшой задержкой.

Вместо того чтобы немедленно инициализировать команду на чтение, контроллер памяти присваивает сигнал Chip Select(Выбор чипа) для банка памяти с нужными данными. Этот сигнал активирует банк, чтобы он смог получить команду. Одновременно контроллер памяти конвертирует адреса. Получив адреса в физической памяти, контроллер начинает инициировать команды чтения для активированного банка памяти.

Как видите, задержка команды вызвана вовсе не временем ожидания модуля памяти. Задержка определяется временем, которое требуется для контроллера памяти, чтобы конвертировать виртуальные адреса в адреса физической памяти.

Так как задержка вызвана конвертированием адресов, контроллеру памяти требуется больше времени для обработки адресов модулей памяти большого объема. Кроме того, контроллеру необходимо больше времени и в случае наличия большого количества банков.

Эта функция BIOS позволяет выбрать задержку между получением сигнала Chip Selectи моментом, когда контроллер памяти должен начать отправку команд в банк памяти. Чем меньше значение, тем быстрее контроллер памяти сможет начать отправку команд в активированный банк памяти.

Если задержка команды SDRAM слишком велика, производительность может снизиться, так как контроллер памяти будет отправлять команды позже, чем необходимо.

Если задержка команды SDRAM слишком мала, контроллер памяти не сможет передать адреса вовремя, что приведет к потере и повреждению данных.

К счастью, все модули SDRAM (не имеющие буфера) поддерживают задержку команды 1T для четырех банков памяти на канал. После этого может понадобиться задержка команды 2T. Но поддержка 1T различается в зависимости от материнской платы и даже от модели. Проконсультируйтесь с производителем вашей материнской платы, чтобы узнать, поддерживает ли она задержку 1T.

Рекомендуем включить эту функцию, чтобы улучшить производительность памяти. Если возникнут проблемы, отключите данную опцию.

SDRAM Cycle Length (Длительность цикла SDRAM)

Обычные опции:2, 3 (память SDR) или 1.5, 2, 2.5, 3 (память DDR)

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS.Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS.

Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек. Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Эта задержка называется ожидание CAS.

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это первая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка CASдля него будет равна 2 циклам.

Эта функция BIOS управляет задержкой (в циклах) между сигналом CAS и моментом, когда данные станут доступны в ячейке памяти. Кроме того, данная опция определяет количество циклов, которое требуется для завершения первой части операции. Другими словами, чем меньше время ожидания CAS, тем быстрее выполняется чтение и запись в память.

Так как активация столбца происходит при каждом считывании данных из новой ячейки памяти, ожидание CAS серьезно влияет на производительность памяти, особенно при использовании модулей SDR SDRAM. При работе с модулями DDR SDRAM эффект не так значителен.

Помните, что некоторые модули памяти могут неправильно работать с низким временем ожидания и терять данные. Мы советуем вам уменьшить настройку данной функции до 2или 2.5циклов, чтобы улучшить производительность памяти. Если система начнет работать нестабильно, увеличьте значение опции.

Интересно: если вы увеличите время ожидания CAS, это позволит модулю памяти работать с более высокой скоростью. Поэтому вы можете увеличить время ожидания CAS, если достигли предела при разгонке модулей SDRAM.

Это следует делать, в первую очередь, с модулями памяти DDR SDRAM, так как ожидание CAS не очень сильно влияет на производительность такой памяти (по сравнению с модулями памяти SDR). Нельзя недооценивать повышенную способность к разгонке при использовании более продолжительного времени ожидания CAS. Если вы хотите разогнать модули памяти DDR SDRAM, подумайте о том, чтобы увеличить время ожидания CAS. Полученное преимущество окупает небольшую потерю производительности.

SDRAM Cycle Time Tras/Trc (Tras/Trc для времени цикла SDRAM)

Обычные опции:5/6, 6/8.

Эта функция BIOS определяет параметры tRASи tRCдля модуля памяти SDRAM.

tRASобозначает Row Active Time(Время активации строки) для SDRAM, то есть период, в течение которого строка остается открытой для передачи данных.

tRCобозначает Row Cycle Time(Время цикла строки) для SDRAM, то есть минимальное количество циклов, которое требуется строке памяти, чтобы пройти полный цикл от активации строки до ее обновления в активную строку.

Установка по умолчанию (6/8)является более стабильной и медленной, чем 5/6.При выборе значения 5/6циклы проходят быстрее, но строка может оставаться открытой недостаточно долго, чтобы операция успела завершиться. Это может привести к потере данных и повреждению ячеек памяти. Особенно часто данный эффект проявляется при работе на частоте, которая превышает 100 МГц.

Чтобы улучшить производительность памяти, выберите значение 5/6.Если ваша система будет работать нестабильно, измените настройку на 6/8.Также вы можете использовать значение 6/8,если пытаетесь разогнать модули памяти, поскольку увеличенная задержка позволит им работать на более высокой частоте.

SDRAM ECC Setting (Настройка SDRAM ECC)

Обычные опции:Disabled, Check Only, Correct Errors, Correct+Scrub.

Эта функция BIOS является усовершенствованным аналогом функции DRAM Data Integrity Mode.Она поставляется с новыми материнскими платами и определяет не только настройку ECC для контроллера памяти.