Адриан Вонг - Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам

Также вы можете увеличить значение функции Refresh Intervalили Refresh Mode,чтобы повысить пропускную способность и поддерживать интеграцию данных в ячейках памяти. Так как очень большие интервалы обновления (например, 64или 128m sec)могут привести к потере данных в ячейках, настройка параметра SDRAM Idle Limitна 0 Cycleили 8 Cyclesпозволяет ячейкам памяти чаще обновляться. Причем высока вероятность того, что подобные обновления будут происходить во время пустых циклов. В результате, как кажется, нам удается решить сразу две задачи, – увеличить время активации банка при высокой загрузке контроллера памяти и сделать обновления более частыми при простое контроллера памяти.

Однако в действительности этот способ не является предпочтительным, так как он зависит от возможности памяти к созданию пустых циклов для активации обновлений. Если ваша системная память подвергается большой нагрузке, у нее может не быть пустого цикла, который позволил бы активировать обновление. Это способно привести к потере данных в ячейках памяти.

При работе на обычном компьютере рекомендуем правильно настроить интервал обновления и выбрать опцию Disabled.Это позволит увеличить пропускную способность памяти путем максимальной задержки обновлений, а также сохранить интеграцию данных в ходе регулярных циклов обновления.

Для серверов рекомендуем правильно настроить интервал обновления и выбрать опцию 0 Cycle.Благодаря этому все открытые страницы будут обновляться при наличии пустого цикла.

SDRAM Leadoff Command (Команда времени действия SDRAM)

Обычные опции:3, 4.

Эта опция BIOS называется не совсем верно. Ее следовало бы переименовать в SDRAM Command Leadoff Time(Время действия команды SDRAM).

Чтобы выполнить требования системы, контроллер памяти отправляет сигналы в адресную и командную строку на один цикл раньше, чем нужно. Это дает контроллеру памяти дополнительное время для выполнения запросов материнской платы.

Вы можете подумать, что раннее обращение к адресной и командной строке улучшает производительность; это не так. Контроллер памяти отправляет сигналы раньше, чем необходимо, но они достигают модуля памяти в момент, когда ни один из банков памяти не является активным.

Когда сигналы обращаются к модулю памяти, конечный банк активируется, и контроллер памяти начинает чтение. Так как адресная и командная строка были вызваны заранее, активация конечного банка памяти управляется временем действия команды.

По определению, время действия команды – это период между добавлением адреса/команды и активацией банка памяти. Данная функция BIOS позволяет изменить время действия команды в соответствии с параметрами материнской платы и модуля памяти.

Чем меньше время действия команды, тем раньше может быть активирован банк памяти. Это обеспечивает более быстрый доступ к модулю памяти. Рекомендуем настроить функцию SDRAM Leadoff Commandна 3(3 цикла), чтобы добиться повышения производительности памяти.

Однако ваша материнская плата и память могут не поддерживать время действия команды, равное трем циклам. Если ваша система начнет работать нестабильно, измените настройку опции на 4(4 цикла).

SDRAM Page Closing Policy (Настройка закрытия страниц SDRAM)

Обычные опции:One Bank, All Banks.

Эта функция BIOS является аналогом функции SDRAM Precharge Control.

Контроллер памяти позволяет удерживать открытыми до четырех страниц одновременно. В одном банке памяти может быть открыто не более одной страницы. Если запрос на чтение из SDRAM попадает на открытую страницу, он может быть выполнен мгновенно. Конечно, это повышает производительность.

Если запрос на чтение не может быть выполнен ни одной из четырех открытых страниц, возникают две возможности. Одна из страниц закрывается, чтобы открыть нужную, либо закрываются все открытые страницы. В любом случае запросу приходится ждать полный цикл задержки.

Данная опция определяет, должна ли при наличии пропуска страницы система сохранять все страницы открытыми (закрывая только одну текущую страницу), либо закрывать их (все текущие страницы).

Настройка One Bank(Один банк) вынуждает контроллер памяти закрывать только одну страницу при наличии пропуска страницы. Это позволяет системе получить доступ к другим открытым страницам всего за один цикл.

Когда возникает пропуск страницы, имеется вероятность, что будет пропущена и страница, к которой обращаются последующие данные. При выполнении долгих операция считывания это может привести к тому, что в системе возникнет до четырех циклов ожидания. Разумеется, это сильно влияет на производительность памяти.

Настройка All Banks(Все банки) вынуждает контроллер при наличии пропуска страницы отправлять в интерфейс SDRAM команду All Banks Precharge(Обновить все банки). Все открытые страницы закрываются (обновляются). В результате последующим операциям достаточно лишь активировать нужные банки памяти.

Это полезно в случае, если последующие запросы на чтение обращаются к пропущенным страницам. Причина состоит в том, что банки памяти уже обновлены и готовы к активации. Для активации банков системе не придется ждать их обновления. Но вы не получите никаких преимуществ вследствие того, что запросы могут быть выполнены открытыми страницами.

Как видите, обе настройки имеют свои преимущества и недостатки. Тем не менее, опция One Bankпозволяет получить повышенную производительность, так как открытые страницы обеспечивают очень быстрый доступ. При использовании значения All Banksсодержимое памяти обновляется чаще. Это улучшает интеграцию данных, правда, только в том случае, если вы выбрали для опции SDRAM Refresh Intervalзначение, которое превышает 64 мсек.

Рекомендуем выбрать настройку One Bank,чтобы улучшить производительность памяти. Значение All Banksспособно повысить интеграцию данных, но, если вы не изменяете настройку параметра SDRAM Refresh Interval,это вам не понадобится.

SDRAM Page Hit Limit (Ограничение запросов для страниц SDRAM)

Обычные опции:1 Cycle, 4 Cycles, 8 Cycles, 16 Cycles, 32 Cycles.

Контроллер памяти позволяет одновременно открывать до четырех страниц. Все открытые страницы должны находиться в различных банках (в одном банке памяти можно открывать только одну страницу). Если запрос на чтение SDRAM попадает на открытые страницы, он может быть выполнен без задержки. Это известно как достижение страницы (page hit).

Обычно достижение страниц обеспечивает наилучшую производительность памяти для запрашивающего устройства. Однако поток подобных запросов может привести к тому, что запросы, не достигающие страниц, будут отложены на длительное время. В результате различные устройства получают неравные права на доступ к памяти, что может создать проблемы для некоторых устройств.