БСЭ БСЭ - Большая Советская Энциклопедия (ШО)

Шотемо'рШириншо (дек. 1899—27.10. 1937), советский государственный и партийный деятель. Член Коммунистической партии с 1921. Родился в кишлаке Паршнев (ныне Шугнанский район Горно-Бадахшанской АО) в крестьянской семье. С 1919 рабочий в Ташкенте, участник борьбы за установление Советской власти в Туркестане. В 1921—24 председатель ревкома на Памире, инструктор ЦК КП (б) Туркестана. В 1925—27 нарком РКИ и уполномоченный ЦК КП (б) Узбекистана в Таджикской АССР, один из руководителей борьбы с басмачеством. В 1929 окончил Коммунистический университет трудящихся Востока, работал ответственным секретарём Таджикского обкома КП (б) Узбекистана. Делегат 16—17-го съездов партии. В 1930—33 2 и секретарь ЦК КП (б) Таджикистана. С 1933 председатель ЦИК Таджикской ССР. С 1925 член ЦИК СССР.

Лит.: Государственный деятель, в сборнике: За народное дело, Душ., 1970.

Шо'тки барье'р, потенциальный барьер , образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом; назван по имени немецкого учёного В. Шотки (W. Schottky). исследовавшего такой барьер в 1939. Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода металла и полупроводника были различными, на что впервые указал сов. учёный Б. И. Давыдов в 1939. При сближении полупроводника n -типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода Ф, металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, т.к. электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно (при сближении полупроводника р -типа с металлом, обладающим меньшей Ф, металл заряжается положительно, а полупроводник — отрицательно). При установлении равновесия между металлом и полупроводником возникает контактная разность потенциалов : U k = (Ф м— Ф п)/ е ( е — заряд электрона). Из-за большой электропроводности металла электрическое поле в него не проникает, и разность потенциалов U kсоздаётся в приповерхностном слое полупроводника. Направление электрического поля в этом слое таково, что энергия основных носителей заряда в нём больше, чем в толще полупроводника. Это означает, что в полупроводнике n -типа энергетической зоны в приконтактной области изгибаются вверх, а в полупроводнике р -типа — вниз (см. рис. ). В результате в полупроводнике вблизи контакта с металлом при Ф м> Ф пдля полупроводника n -типа, или при Ф м< Ф пдля полупроводника р -типа возникает потенциальный барьер. Высота Ш. б. Ф 0= Ф м— Ф п. В реальных структурах металл — полупроводник это соотношение не выполняется, т.к. на поверхности полупроводника или в тонкой диэлектрической прослойке, часто образующейся между металлом и полупроводником, обычно имеются локальные электронные состояния; находящиеся в них электроны экранируют влияние металла так, что внутренне поле в полупроводнике определяется этими поверхностными состояниями и высота Ш. б. не зависит от Ф м. Как правило, наибольшей высотой обладают Ш. б., получаемые нанесением на полупроводник n -типа плёнки Au. На высоту Ш. б. оказывает также влияние сила «электрического изображения» (см. Шотки эффект ) .

Ш. б. обладает выпрямляющими свойствами. Ток через Ш. б. при наложении внешнего электрического поля создаётся почти целиком основными носителями заряда. Величина тока определяется скоростью прихода носителей из объёма к поверхности или в случае полупроводников с высокой подвижностью носителей — током термоэлектронной эмиссии в металл. Контакты металл — полупроводник с Ш. б. широко используются в сверхвысокочастотных детекторах и смесителях (см. Шотки диод ), транзисторах , фотодиодах и в др.

Лит.: Стриха В. И., Бузанева Е. В., Радзиевский И. А., Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки, М., 1974; Стриха В. И., Теоретические основы работы контакта металл — полупроводник, К., 1974; Милнс А., Фойхт Д., Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник, пер. с англ., М., 1975.

Т. М. Лифшиц.

Энергетическая схема контакта металл — полупроводник; а — полупроводник и металл до сближения; б, в — идеальный контакт металла с полупроводником n- и p-типов; г — реальный контакт; М — металл, П — полупроводник, Д — диэлектрическая прослойка, С — поверхностные электронные состояния; E вак, E n, E с— уровни энергии электрона у «потолка» валентной зоны, у «дна» зоны проводимости и в вакууме; E F— энергия Ферми.

Шо'тки дио'д,Шоттки диод, диод с барьером Шотки, полупроводниковый диод , выполненный на основе контакта металл — полупроводник; назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938—39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже Ge) наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами вакуумного испарения, катодного распыления либо химического или электролитического осаждения. В Ш. д. (в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным переходом (в области этого перехода), возникает потенциальный барьер (см. также Шотки барьер ), изменение высоты которого под действием внешнего напряжения (смещения) приводит к изменению тока через прибор (см. рис. 2 ). Ток через контакт металл — полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда.

Отличительные особенности Ш. д. по сравнению с полупроводниковыми диодами др. типов: возможность получать требуемую высоту потенциального барьера посредством выбора соответствующего металла; значительная нелинейность вольтамперной характеристики при малых прямых смещениях; очень малая инерционность (до 10 ¾11 сек ); низкий уровень ВЧ шумов; технологическая совместимость с интегральными схемами ; простота изготовления. Ш. д. служат главным образом СВЧ-диодами различного назначения (детекторными, смесительными, лавинно-пролётными, параметрическими, импульсными, умножительными); кроме того, Ш. д. применяют в качестве приёмников излучения , детекторов ядерного излучения , тензодатчиков , модуляторов света; их используют также в выпрямителях тока ВЧ, солнечных батареях и т.д.

Лит. см. при ст. Полупроводниковый диод.

Ю. Р. Носов.

Рис. 2. Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р — n-переходом: U — напряжение на диоде; I — ток через диод; U* o бри I* o бр— максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; U c т— напряжение стабилизации.