Владимир Токарев - Стратегия стартапа. Практикум: Выпуск № 1
- Название:Стратегия стартапа. Практикум: Выпуск № 1
- Автор:
- Жанр:
- Издательство:Литагент Ридеро
- Год:неизвестен
- ISBN:9785447461751
- Рейтинг:
- Избранное:Добавить в избранное
-
Отзывы:
-
Ваша оценка:
Владимир Токарев - Стратегия стартапа. Практикум: Выпуск № 1 краткое содержание
Стратегия стартапа. Практикум: Выпуск № 1 - читать онлайн бесплатно ознакомительный отрывок
Интервал:
Закладка:
Об авторе
Автор – директор консультационной фирмы «КЦ «Русский менеджмент», к.т.н., консультант по управлению, автор более 50 статей по менеджменту в профильных журналах, автор 70 книг: «Сказки для топ-менеджеров», «Три менеджмента в одном флаконе», «Русский менеджмент», «Стратегическое управление персоналом», «Стратегические секреты консультанта», а также журналов в книжном исполнении, и др., член жюри конкурса в номинации «Лучшая корпоративная стратегия», где принимали участие крупнейшие компании страны – МТС, Северсталь, Уралкалий и др.
Прочитать в первую очередь
Сразу хочу предупредить читателей/покупателей практикума по стратегии: если вы купили один практикум, например, Выпуск №1 или №2 (и далее номера с 3 по 10), например, с названием «Стратегия стартапа», не торопитесь покупать практикум с теми же номерами выпуска, но с другим названием, например «Стратегия фирмы».
Дело в том, что практические задания и др. самые важные материалы в практикумах по разным темам будут очень похожи друг на друга, поскольку предлагается использовать одну и ту же проверенную технологию разработки стратегии, но применительно к разным объектам управления.
Потому, надеюсь, что имея технологию для одного объекта, читатель может вывести для другого объекта стратегию самостоятельно. Отличия практикумов с разными названиями будет в основном одно – это разные сквозные примеры:
Итак, вот главное отличие практикумов с разными названиями:
Стратегия фирмы – содержит сквозной пример по разработке стратегии компании,
Стратегия стартапа – содержит сквозной пример по разработке стратегии одного стартапа,
Стратегия на войне за таланты (стратегическое управление персоналом) – будет содержать сквозной пример по разработке стратегии компании в отношении персонала,
Стратегия карьеры – будет содержать сквозной пример по разработке стратегии одной карьеры личности,
Стратегия на войне за лучшего поставщика – будет содержать сквозной пример по разработке стратегии в отношении поставщиков.
И потому, приобретая одни и те же выпуски в отношении разных объектов, вы сами принимаете решение и ответственность за такую покупку.
Другое дело, что если будут полезные находки в ходе разработки таких сквозных примеров, об этом будет обязательно написано в аннотации к соответствующему практикуму и, скорее всего, будет представлено в беседах любознательного генерального директора и автора (в практикумах используется такая форма представления нового и важного).
Выпуск большого количества похожих практикумов объясняется просто – тому, кому нужно разработать стратегию своей карьеры – лучше приобрести практикум по разработке стратегии карьеры, а если стоит задача – разработать стратегию своего стартапа – лучше, конечно, приобрести соответствующую серию одноименных с вашей задачей практикумов и т. п.
Вместо предисловия – Как увеличить рентабельность инвестиций в стартапы
Менеджмент 0.5 – Что у нас сегодня
Эта история произошла в далеком 1982 году. Одна из лабораторий НИИ, в котором я тогда работал, изготавливала полупроводниковые пленки арсенида галлия, выращенные эпитаксией, которые поставлялись на опытный завод при НИИ, где из них изготавливались полупроводниковые приборы (диоды). Статистика была такова – из десяти полупроводниковых пластин, которые полностью соответствовали ТУ по результатам испытаний, только на двух получались годные диоды с нужными характеристиками. Но выяснялось это уже на заключительной стадии производства, в результате на заводе были большие непроизводительные затраты. Причина брака была непонятна. Будучи в то время старшим инженером, я руководил небольшой группой по измерению параметров этих полупроводниковых пленок. Начальник лаборатории эпитаксии уговорил меня стать руководителем ОКР – опытно-конструкторской работы по увеличению выхода годных в два раза – до четырех пластин из 10. Я понимал ответственность, но согласился.
В ходе работы выяснилось, что главная проблема в качестве оборудования для эпитаксиального наращивания пленок. Это оборудование производилось единично специальным подразделением нестандартного оборудования нашего НИИ, в результате было крайне сложно выдержать нужный сложный по форме профиль легирования (обеспечивающий нужный профиль распределения электронов) этих полупроводниковых пленок, толщиной всего 0,2—0,25 мкм. (Сегодня такую работу можно было бы смело назвать – нанотехнологией, но тогда это слово не было в обиходе). Если объяснить, что называется «на пальцах», то это звучит так: нужные высоколегированные полупроводниковые слои (содержащие большое количество электронов) получались или слишком тонкие или слишком толстые, и в том, и другом случае диоды получались бракованные (с негодными параметрами). Группе, которую я возглавил, нужно было решить задачу увеличения выхода годных как минимум в два раза на имеющемся не очень качественном оборудовании.
Один из специалистов НИИ, руководитель химической лаборатории особо чистых веществ, которые и использовались для производства полупроводниковых пленок, мне рекомендовал для выполнения ОКР активнее использовать статистические методы анализа брака. Но мы пошли другим путем.
Дело в том, что изготовить полупроводниковые слои на имеющемся оборудовании «точно какие нужно» было действительно очень сложной задачей, на уровне искусства инженеров и операторов, занимающихся выращиванием этих слоев. А вот вырастить полупроводниковые пленки с высоколегированным слоем (большим количеством электронов) чуть толще, чем надо, даже на имеющемся оборудовании не представляло особых проблем. Понятно, что в таком случае все эти полупроводниковые пластины переходили автоматически в разряд брака.
Однако в то время нами уже была отработана технология анодного окисления наших полупроводниковых пленок, которая позволяла с очень высокой точностью удалять лишние слои. Причем настолько точная, что теоретически можно было утоньшать полупроводниковую пленку даже на уровне одного монослоя (это как раз и есть нанотехнология, только не выращивания, а удаления).
В результате, в конце годовой ОКР, когда технология была отработана, из десяти пластин годными оказывались не четыре, как планировалось по требованиям работы, а все 10. К слову, руководитель лаборатории меня уговорил сдать работу по требованиям технического задания – чтобы иметь возможность нивелировать любые проблемы некачественного оборудования для выращивания эпитаксиальных слоев. Мы так и сделали, но пока я работал, не помню, чтобы такой запас потребовался – после необходимой обработки пластины становились годными все.
Читать дальшеИнтервал:
Закладка: