В. Пестриков - Энциклопедия радиолюбителя

Условное графическое изображение на корпусе диода наносится в виде стрелки, указывающей прямое направление, если стрелки нет, то ставится знак «+». На плоских выводах некоторых диодов (например, серии Д2) прямо выштамповано условное обозначение диода и его тип.

При нанесении цветового кода, цветную метку, точку или полоску наносят ближе к аноду (рис. 2.1).

Рис. 2.1. Нанесение цветового кода на диоды

Для некоторых типов диодов используется цветная маркировка в виде точек и полосок (табл. 2.1).

Диоды старых типов, в частности точечные, выпускались в стеклянном оформлении и маркировались буквой «Д» с добавлением цифры и буквы, обозначающих подтип прибора. Германиево-индиевые плоскостные диоды имели обозначение «Д7».

Таблица 2.1. Цветовая маркировка полупроводниковых диодов

* Цвет корпуса коричневый

Общая характеристика

В современном понимании транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя или более р-n переходами и тремя или более выводами, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

Наиболее широкое применение в радиолюбительских конструкциях находят биполярные и полевые транзисторы. У полевых транзисторов управление выходным током производится с помощью электрического поля, отсюда и название, полевые. Эти транзисторы имеют три электрода: исток, затвор и сток. Электроды полевого транзистора в определенной степени соответствуют электродам биполярного транзистора — эмиттеру, базе и коллектору. Достоинством полевого транзистора является то, что ток входного электрода (затвора) очень мал. Это определяет высокое входное сопротивление каскадов на этих транзисторах и тем самым устраняет влияние последующих каскадов схемы на предыдущие.

Еще одно достоинство этих транзисторов — низкий уровень собственных шумов, что дает возможность использовать полевые транзисторы в первых каскадах высококачественных усилителей звуковой частоты.

Основная классификация транзисторов

Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе которого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе и частотным свойствам. Эти параметры определяют их основные области применения. По мощности транзисторы делят на транзисторы малой, средней и большой мощности, а по частоте — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные. По исходному полупроводниковому материалу — германиевые и кремниевые.

Основными параметрами биполярных транзисторов являются:

• статический коэффициент усиления по току αв схеме с общей базой;

• статический коэффициент усиления по току βв схеме с общим эмиттером. Параметры αи βсвязаны зависимостями вида β= α/(1 — α) или α= β/(1 + β);

• обратный ток коллектора I ко;

• граничная f гри предельная f h21частоты коэффициента передачи тока.

Основными параметрами полевых транзисторов являются:

• напряжение отсечки U o — приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;

• максимальный ток стока I с. макс;

• напряжения: между затвором и стоком U зс, между стоком и истоком U сии между затвором и истоком U зи;

• входная С вх, проходная С при выходная С выхемкости.

Система обозначений

Встречаются транзисторы (биполярные), которые имеют старую, введенную до 1964 г. систему обозначений. По старой системе в обозначение транзистора входит буква Пи цифровой номер. По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой Пстоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции.

Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:

Низкочастотные (до 5 МГц):

• 1…100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;

• 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;

• 201…300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;

• 301…400 — кремниевые более 0,25 Вт.

Высокочастотные (свыше 5 МГц):

• 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;

• 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;

• 601…700 — германиевые более 0,25 Вт;

• 701…800 — кремниевые более 0,25 Вт.

Например , П416Б — транзистор германиевый, высокочастотный, малой мощности, разновидности Б; МП39Б — германиевый транзистор, имеющий холодносварочный корпус, низкочастотный, малой мощности, разновидности Б.

В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:

1 элементсистемы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть Гили 1— германий, Кили 2— кремний, Аили 3— арсенид галлия, Иили 4— индий.

2 элемент— буква Т(биполярный) или П(полевой).

3 элемент— цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности, Р тах< 0,3 Вт:

1— маломощный низкочастотный, f гр< 3 МГц;

2— маломощный среднечастотный, 3 < f гр < 30 МГц;

3— маломощный высокочастотный, 30 < f гр < 300 МГц.

Транзисторы средней мощности, 0,3 < Р тах< 1,5 Вт:

4— средней мощности низкочастотный;

5— средней мощности среднечастотный;

6— средней мощности высокочастотный.

Транзисторы большой мощности, Р тах> 1,5 Вт:

7— большой мощности низкочастотный;

8— большой мощности среднечастотный;

9— большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный ( f гр> 300 Гц).

4 элемент— цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.

5 элемент— одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.