Виктор Борисов - Юный радиолюбитель [7-изд]

В сетевом блоке питания, например, о котором я буду рассказывать в восьмой беседе, будет использован стабилитрон Д813. Напряжение его стабилизации (при I ст = 5 мА) может быть от 11,5 до 14 В, I ст.min = 3 мА, I ст.max = 20 мА, максимальная рассеиваемая мощность Р max ( U ст· I ст. max) = 280 мВт.

Перейдем к транзисторам.

В большую «семью» полупроводниковых приборов, называемых транзисторами, входят два вида: биполярные и полевые . Первые из них, чтобы как-то отличить их от вторых, часто называют обычными транзисторами. Биполярные транзисторы используются наиболее широко. С них я и начну рассказ.

Термин «транзистор» образован из двух английских слов: transfer — преобразователь и resistor — сопротивление. В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя (как в слоеном пироге) чередующимися областями разной электропроводности (рис. 83), которые образуют два р-n перехода. Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, средняя — электропроводностью другого типа.

Рис. 83. Схематическое устройство и графическое изображение на схемах транзисторов структуры р-n-ри n-р-n

У каждой области свой контактный вывод. Если в крайних областях преобладает дырочная электропроводность, а в средней электронная (рис. 83, а ), то такой прибор называют транзистором структуры р-n-р. У транзистора структуры n-р-n , наоборот, по краям расположены области с электронной электропроводностью, а между ними область с дырочной электропроводностью (рис. 83, б ).

Прикрой листком бумаги любую из крайних областей транзисторов, изображенных схематически на рис. 83. Что получилось? Оставшиеся две области есть не что иное, как плоскостной диод. Если прикрыть другую крайнюю область, то тоже получится диод. Значит, транзистор можно представить себе как два плоскостных диода с одной общей областью, включенных навстречу друг другу. Общую (среднюю) область транзистора называют базой , одну крайнюю область — эмиттером , вторую крайнюю область — коллектором . Это три электрода транзистора. Во время работы транзистора его эмиттер вводит (эмитирует) в базу дырки (в транзисторе структуры р-n-р ) или электроны (в транзисторе структуры n-р-n ), коллектор собирает эти электрические заряды, вводимые в базу эмиттером. Различие в обозначениях транзисторов разных структур на схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в транзисторах она обращена в сторону базы, а в n-р-n транзисторах — от базы.

Электронно-дырочные переходы в транзисторе могут быть получены так же, как в плоскостных диодах. Например, чтобы изготовить транзистор структуры р-n-р , берут тонкую пластину германия с электронной электропроводностью и наплавляют на ее поверхность кусочки индия. Атомы индия диффундируют (проникают) в тело пластины, образуя в ней две области типа р — эмиттер и коллектор, а между ними остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника типа n — база.

Транзисторы, изготовляемые по такой технологии, называют сплавными . Запомни наименования р-n переходов транзистора: между коллектором и базой — коллекторный, между эмиттером и базой эмиттерный.

Схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора показаны на рис. 84.

Рис. 84. Устройство и конструкция сплавного транзистора структуры р-n-р

Прибор собран на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу — ее наружный проволочный вывод. Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проволочкам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Цельнометаллический колпак защищает прибор от механических повреждений и влияния света. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные транзисторы серий МП39, МП40, МП41, МП42 и их разновидности. Буква Мв обозначении говорит о том, что корпус транзистора холодносварной, буква П— первоначальная буква слова «плоскостной», а цифры — порядковые заводские номера приборов. В конце обозначения могут быть буквы А, Б, В(например, МП39Б), указывающие разновидность транзистора данной серии.

Существуют другие способы изготовления транзисторов, например, диффузионно-сплавной (рис. 85).

Рис. 85. Устройство диффузионно-сплавного транзистора структуры р-n-р

Коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного полупроводника. На поверхность пластины наплавляют очень близко один от другого два маленьких шарика примесных элементов. Во время нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластинку полупроводника. При этом один шарик (на рис. 85 правый) образует в коллекторе тонкую базовую область, а второй (на рис. 85 — левый) эмиттерную область. В результате в пластине исходного полупроводника получаются два р-n перехода, образующие транзистор структуры р-n-р . По такой технологии изготовляют, в частности, наиболее массовые маломощные высокочастотные транзисторы серий П401-П403, П422, П423, ГТ308.

В настоящее время действует система обозначения транзисторов, но которой выпускаемые серийно приборы имеют обозначения, состоящие из четырех элементов, например: ГТ109А, КТ315В, ГТ403И. Первый элемент этой системы обозначения — буква Г, Кили А(или цифра 1, 2и 3) характеризует полупроводниковый материал транзистора и температурные условия работы прибора. Буква Г(или цифра 1) присваивается германиевым транзисторам, буква К(или цифра 2) кремниевым транзисторам, буква А(или цифра 3) — транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия.

Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах (германиевый — выше +60 °C, кремниевый — выше + 85 °C).

Второй элемент - буква Т— начальная буква слова «транзистор». Третий элемент — трехзначное число от 101 до 999 — указывает порядковый номер разработки и назначение прибора. Это число присваивается транзистору по признакам, приведенным в помещаемой здесь таблице.