Антон Трасковский - BIOS. Экспресс-курс

Может принимать значения:

– Banks 0+1 — режим включен для банков памяти с номерами 0 и 1;

– Banks 2+3 — режим включен для банков памяти с номерами 2 и 3;

– Both — режим включен для всех имеющихся банков памяти;

– No Interleave — функция отключена.

При использовании синхронной памяти опция будет иметь название SDRAM Bank Interleaveи значения: Disabled, 2 Banks и 4 Banks.

• DRAM Page Idle Timer

Опция позволяет устанавливать время в тактах системной шины до закрытия всех открытых страниц памяти. Функция появилась еще во времена FPM-модулей и сохранила актуальность до сих пор.

Может принимать значения:

– 1T – до закрытия открытых страниц памяти выжидается один системный такт;

– 2Т — до закрытия открытых страниц памяти выжидается два системных такта;

– 4Т – до закрытия открытых страниц памяти выжидается четыре системных такта;

– 8Т — до закрытия открытых страниц памяти выжидается восемь системных тактов.

Для увеличения быстродействия устанавливаются меньшие значения задержки, но при этом возможна нестабильная работа системы. Оптимальный вариант подбирается опытным путем.

В некоторых версиях BIOS опция может называться Paging Delayили DRAMIdle Timer.

• DRAM R/WLeadoff Timing

Опция позволяет устанавливать время доступа к оперативной памяти в зависимости от используемого модуля памяти. Если быть более точным, то устанавливается число тактов на системной шине до выполнения любых операций с памятью.

Может принимать значения:

– 8/7 — восемь тактов для чтения и семь тактов для записи данных;

– 7/5 — семь тактов для чтения и пять тактов для записи данных. В некоторых версиях BIOS можно встретить другие значения:

– 5 — обычно устанавливается только при работе с EDO DRAM со временем доступа 50 нс и меньше (или SDRAM со временем доступа 10 нс);

– 6 — устанавливается для модулей EDO DRAM со временем доступа 60 нс.

• DRAM Read Burst Timing

Опция позволяет устанавливать задержку при работе с оперативной памятью. Запрос на чтение или запись генерируется процессором не одним байтом, а сразу 4 или 8 последовательными длинными словами в строке. Это ускоряет операции с памятью, т. к. адрес передается один раз, и в дальнейшем происходит чтение или запись данных, относящихся к одной строке. В циклах чтения это выглядит как х-у-у-у для режима Normal Burst или как x-y-y-y-z-y-y-y для режима Back-to-Back Burst. Для оперативной памяти эти цифры не являются строго определенными и могут варьировать в зависимости от ее типа и скорости. Уменьшение суммарного количества тактов увеличивает быстродействие. Слишком малые значения могут привести к нестабильной работе памяти и, соответственно, к потере данных.

Допустимые значения для циклов обращения к памяти:

– х222 и хЗЗЗ — для памяти типа EDO DRAM;

– хЗЗЗ и х444 — для памяти типа FPM DRAM;

– x111 и х222 — для памяти типа SDRAM.

На стабильную работу при уменьшении значений оказывает влияние тип чипсета, используемого на материнской плате. Например, чипсеты Triton ТХ и НХ "выдерживают" меньшие значения, чем Triton FX. Следовательно, ТХ и НХ могут работать быстрее, чем FX. В таблице 8.1 приведены некоторые рекомендованные значения для чипсетов компании Intel.

Таблица 8.

1. Рекомендуемые значения задержки для некоторых чипсетов компании Intel

где х – значение, зависящее от типа памяти.

Опция может иметь название DRAM Read Timing.

• DRAM Read Latch Delay

Опция позволяет устанавливать задержку между появлением данных в регистре памяти и их чтением. Большее значение уменьшает быстродействие, но увеличивает стабильность работы.

Может принимать значения:

– 0.0 ns — отсутствие задержки;

– 0.5 ns — задержка равна 0,5 нс;

– 1.0 ns — задержка равна 1 нс;

– 1.5 ns — задержка равна 1,5 нс.

• DRAM Speed Selection

Опция позволяет установить время доступа к оперативной памяти.

Может принимать значения:

– 50 ns — время доступа устанавливается равным 50 нс;

– 60 ns — время доступа устанавливается равным 60 нс;

– 70 ns — время доступа устанавливается равным 70 нс.

Установка меньшего значения, чем требуется для конкретного модуля памяти, может несколько увеличить производительность, но при этом увеличивается шанс получить полностью неработоспособную систему.

• DRAM Timing

Опция позволяет настроить временную характеристику записи/чтения данных в оперативной памяти. Чем меньше значение, тем быстрее идет обмен с памятью.

Может принимать значения:

– Auto — автоматическое определение временных характеристик при каждом включении компьютера;

– 70 ns — устанавливается для памяти со временем доступа 70 нс;

– 60 ns — устанавливается для памяти со временем доступа 60 нс;

– 50 ns — устанавливается для памяти со временем доступа 50 нс.

• DRAM Write Burst Timing

Смысл данной опции полностью идентичен DRAM Read Burst Timing,но речь идет о записи данных.

• Data Integrity (PAR/ECC)

Опция позволяет включить коррекцию ошибок/контроль четности. Вид контроля определяется значением параметра DRAM ECC/Parity Select.

Может принимать значения:

– Enabled — функция контроля включена;

– Disabled — функция отключена.

• EDO CAS# MA Wait State

Опция позволяет установить дополнительный такт задержки после выдачи сигнала CAS# для модулей оперативной памяти типа EDO.

Может принимать значения:

– 1 – используется только один такт задержки. Устанавливается по умолчанию;

– 2 — устанавливается один дополнительный такт задержки. Используется при ошибках в работе памяти.

• EDO RAS# Wait State

Опция позволяет установить дополнительный такт задержки после выдачи сигнала RAS# для модулей оперативной памяти типа EDO.

Может принимать значения:

– 1 – используется только один такт задержки. Устанавливается по умолчанию;

– 2 — устанавливается один дополнительный такт задержки. Используется при ошибках в работе памяти.

• EMS

Опция позволяет включить поддержку центральным процессором расширенной памяти спецификации EMS (Expanded Memory Specification). Применяется на компьютерах класса 286.