Дмитрий Соколов - Патентование изобретений в области высоких и нанотехнологий
- Название:Патентование изобретений в области высоких и нанотехнологий
- Автор:
- Жанр:
- Издательство:Техносфера
- Год:2010
- Город:Москва
- ISBN:978-5-94836-24
- Рейтинг:
- Избранное:Добавить в избранное
-
Отзывы:
-
Ваша оценка:
Дмитрий Соколов - Патентование изобретений в области высоких и нанотехнологий краткое содержание
Монография является пособием по составлению заявок на изобретения в области высоких и нанотехнологий. В ней на конкретных примерах с минимальным использованием специальной терминологии изложены методики патентования широкого круга объектов: от простейших до многокомпонентных нанотехнологических комплексов. Поэтому книга может быть полезна широкому кругу изобретателей, а также студентам высших учебных заведений, обучающихся по специальностям: «Нанотехнологий в электронике», «Наноматериалы», «Микроэлектроника и твердотельная электроника», «Микросистемная техника», «Электроника и микроэлектроника».
Патентование изобретений в области высоких и нанотехнологий - читать онлайн бесплатно ознакомительный отрывок
Интервал:
Закладка:
Если для зависимых признаков по металлообработке будет совсем невозможно придумать использование датчиков, применяемых в нанотехнологии, то можно будет зонтичный патент расширить и на другие области, например, ионную и (или) электронную технологии, где воздействие на образцы осуществляется, соответственно, ионными и электронными пучками. С одной стороны, эта область ближе к зондовой микроскопии и патент будет менее маскирующим, с другой, – за счет охвата большего числа областей он будет более зонтичным. В зависимости от стратегии заявителя будет приниматься то или иное решение.
Для первого пункта патента, включающего ионные и электронные технологии, нужна корректировка терминологии и взаимосвязи элементов. В этом случае для подвижки инструмента не будет использоваться точный трехкоординатный (X,Y,Z) блок перемещения. Ионная и электронная пушки могут быть названы инструментами, ионные и электронные пучки в зоне взаимодействия с объектом – рабочими частями инструментов, а отклоняющие системы для управления этими пучками – модулями перемещения рабочих частей инструментов. В этом случае первый пункт формулы будет выглядеть следующим образом. Устройство воздействия на объекты, содержащее платформу (7), на которой установлен двухкоординатный (X,Y) стол (6) с блоком грубой подачи по координате Z (5), на котором закреплен объект, имеющий возможность сопряжения с рабочей частью инструмента (1), сопряженной с модулем перемещения рабочей части инструмента (3), при этом инструмент (1) закреплен в держателе инструмента (2), установленном на платформе (7), отличающееся тем, что инструмент (1) сопряжен с первыми датчиками линейного перемещения (9), а объект (4) сопряжен со вторыми датчиками линейного перемещения (10), настроенными на область, максимально приближенную к зоне воздействия инструмента (1).
Инструмент, выполненный в виде ионной или электронной пушек, на самом деле не перемещается в процессе работы. Тем не менее, его сопряжение с датчиками линейного перемещения может быть обосновано контролем его термодрейфа относительно общей платформы.
Для описания электронных и (или) ионных технологий может быть приведен дополнительный чертеж, раскрывающий их особенности. В зависимых пунктах этой формулы нужно будет привести различные варианты выполнения датчиков линейных перемещений для ионных и электронных технологий, максимально подходящих для СЗМ. Описание работы по первому или второму вариантам можно сделать на примере металлообрабатывающего станка (например, координатно-фрезерного) или установок ионной и (или) электронной литографий. А в конце целесообразно указать возможность использования базового решения в зондовых технологиях или даже непосредственно в сканирующих зондовых микроскопах, но при этом необязательно выносить это в реферат.
Таким образом, автор объединенных решений может выбирать степень маскируемости своих изобретений в зависимости от задач коммерциализации.Литература
1. Линник Л.Н. Высокие патентные технологии и перспективы их использования // Интеллектуальные ресурсы, интеллектуальная собственность, интеллектуальный капитал. – М.: АНХ, 2001, с. 365–378.
2. Патент US5289004. Scanning probe microscope having cantilever and detecting sample characteristics by means of reflected sample examination light. 22.02.1994.
3. Патент US5463897. Scanning stylus atomic force microscope with cantilever tracking and optical access. 17.08.1993.
4. Патент US5705814. Scanning probe microscope having automatic probe exchange and alignment. 30.08.1995.
5. Патент US5714682. Scanning stylus atomic force microscope with cantilever tracking and optical access. 03.02.1998.
6. Патент RU222733. Сканирующий зондовый микроскоп с системой автоматического слежения за кантилевром. 13.04.2002.Глава 13 Изобретения, основанные на открытиях
Одним из основоположников патентования открытий был Н. Тесла, многие изобретения которого в конце позапрошлого века современники считали чудом, и по сущности эти изобретения очень близки к открытиям. Основы правовой культуры в области защиты интеллектуальной собственности стали формироваться именно в это время. В результате в отдельных зарубежных странах законодательством предусмотрено патентование открытий. Например, в § 101 патентного закона США говорится: «Любой, кто изобретет или откроет новые и полезные способ, машину…. может получить на них патент…».
Следует заметить, что первый патентный закон в России или Манифест «О привилегиях на разные изобретения и открытия в ремеслах и художествах» от 17.06.1812 г. уже включал категорию «открытие». В СССР с 24 апреля 1959 г. существовало положение об открытиях, изобретениях и рационализаторских предложениях и выдавался диплом создателю открытия. Пункт 2 этого положения гласит: «Открытием признается установление неизвестных ранее объективно существующих закономерностей, свойств и явлений материального мира».
В настоящее время в России государственной регистрации открытий не производится. Существует лишь регистрация научных открытий, идей и гипотез общественной международной ассоциацией авторов научных открытий. В исследовании взаимосвязи научных открытий и изобретений В.В. Потоцкий [1] справедливо отметил, что из-за отсутствия государственного положения об открытиях их авторы лишены возможности на заслуженное вознаграждение. Частичное решение этой проблемы он видит в прямом или косвенном патентовании открытий. Основные положения его исследования заключаются в том, что:
– изобретения могут являться выражением научных открытий;
– изобретение может выступать как способ реализации открытия;
– изобретение на реализацию открытия может быть базисным для перехода к новому поколению техники.
Однако примеров оформления таких патентов в исследовании В. В. Потоцкого не приведено. Ниже приведены примеры патентования изобретений, основанные на различных видах открытий.
Открытия, связанные с обнаружением новых эффектов, могут быть реализованы в виде зонтичных патентов, например, на устройства. Туннельный эффект [2] можно было бы зонтично запатентовать в виде туннельного диода или туннельного транзистора. Патентование эффекта Ганна [3] было бы возможно в виде зонтичного патента на диод. Отсутствие первичного зонтичного патента, например, на эффект Ганна привело к тому, что сейчас существуют сотни патентов на диоды с частными случаями использования этого эффекта.
Очевидно, что первый пункт формулы изобретения таких патентов должен содержать минимальное число признаков, изложенных в общем виде, и это возможно, так как в большинстве случаев открытия могут быть реализованы через пионерские изобретения. Тем не менее, не надо забывать о зависимых пунктах формулы, в которых нужно описать максимальное число вариантов устройства. Это еще и увеличит вероятность выдачи патента.
Читать дальшеИнтервал:
Закладка: