Александр Шадрин - Холодный ядерный синтез. L E N R

Молекула водорода, состоящая из двух атомов очень устойчива и может распасться только при очень высоких температурах – от 2000 до 5000˚ С. Имеются и два состояния молекулы водорода, в зависимости от взаимной ориентации ядерных спинов – ортоводород и параводород. С другой стороны, имеется атом гелия, ядром которой служит известная в ядерной физике альфа-частица. Внешнее поле настолько симметрично и плотно экранировано структурами двух электронов, что этот атом проявляет чудеса инертности в химических (электрических) взаимодействиях – он полностью пассивен. Эти свойства электронов – создавать полный экран из полей электронов вокруг положительного поля ядра для компенсации его поля (невидимость) в третьем внешнем поле, как творение природы, специально приведены здесь для возможности анализа в последующих разделах рукотворного построения аналогичных структур компенсации заряда массы (без разрушения её структуры и инертности движения) кластеров антигравитационным зарядом для организации технического безынерционного и «невидимого» движения в третьем поле.

Нейтроны и другие нейтральные ядра на определённых гравитационных поясах начинают распад, движение и последующую стабилизацию вблизи твёрдой поверхности Земли. В результате образуются достаточно стабильные положительные ядра и стабильные отрицательные электроны. Стабильность тех и других уже достаточна для охлаждения и рекомбинации друг с другом, с образованием долговременных структур атомно-молекулярного вещества. Атомы химических элементов – это синтезированные составные дискретные микропространства-поля, образованные из двух электростатически противоположно заряженных и концентрически расположенных сферических частей с размерами центральной части ~ ядра 10 —13 и нескольких электронов с характеристическим размером 10 —10 см, входящих в состав сферических оболочек, находящихся в слое сферического слоя микропространства атома размером-диаметром ~ 10 —8 см. Другими словами, из двух свободных частиц с указанными размерами, движущихся навстречу друг к другу с разными, но определенными скоростями, образуется с помощью зоны холодной безмассовой плазмы связанная частица-атом, с размером сферы своего микропространства, совпадающей с соответствующими размерами замкнутых дебройлевских длин волн указанных частиц. Причем по устойчивости атомы слабее ядер более чем 10 7 раз.

Структура этого нового микропространства, пожалуй, самая сложная из всех известных. Например, известно, что каждый электронный слой атома из K, L, M, N и т.д., начинается с S-оболочки, на которой удерживаются только не более двух электронов (фото.1) и то с противоположными спинами. Каждая последующая оболочка того или иного слоя имеет вполне определенное максимально возможное значение числа электронов, размещенных на ней. Так, например, у атома алюминия (Z = 13) в слое K имеется лишь одна оболочка S с двумя электронами, в слое L – две, S и Р оболочка с 2 и 6-ю электронами соответственно, а в слое М – 2 электрона на S-оболочке и один электрон на Р-оболочке. У атомов с бóльшим порядковым номером верхние слои имеют D и F оболочки, на которых может быть размещено от десяти и более электронов. Такая структура атомного микропространства носит ярко выраженный ячеисто-сферический характер с центром в виде положительно заряженного ядра, окруженного волноводами электронов, зафиксированными в определенных слоях и специальным образом уложенных на поверхности оболочек. Такое размещение электронов обусловлено исключительно полуцелым спином электронов и гибким изменившимся его волноводом, как «спрутом» охватившим часть сферы диаметром с дебройлевской длиной волны этого связанного электрона. Структура атома представлена на фото 1б и фото 2.

Фото 2. Схема внутренних электрических полей атома с образованием зоны холодной плазмы.

У водорода на такой сфере размещён только один электрон. У гелия два электрона размещены на этой сфере таким образом, чтобы центральное поле электрического заряда ядра « видело» максимальную поверхность волноводов этих электронов не только ближайшей поверхности, но и последующих по мере возрастания радиуса. В данном случае это достигается диаметрально противоположным расположением. Когда ядро обладает более значительным зарядом электрического потенциала, то на оболочке большего диаметра появляется больше свободной поверхности для размещения большего количества электронов. Так, например, у алюминия на втором слое, во второй p-оболочке может на поверхности сферы разместится уже 6 электронов. Эти электроны равномерно перекрывают своими волноводами всю поверхность этой оболочки. Поэтому на поверхности оболочек большего диаметра их число резко возрастает. Такая структура атомов возможна лишь в достаточно свободном пространством, какое имеется на поверхности планет и звёзд, но такая структура реально невозможна в глубине нижней мантии Земли, где благодаря очень высокому давлению отсутствует достаточно свободное пространство для образования перехода нейтрона с объёмом соответствующим размеру 10 —13 см в объём атома водорода с размером радиуса 10 —8 см, но возможно образование мю-атомов водорода, энергия которых может лишь представляться не температурой вращательно-колебательных состояний, а только вращением.

Рассмотренная структура размещения электронов в соответствующих оболочках полностью исключает всякое орбитальное движение электронов в пространстве вокруг ядра. Орбитальное движение электронов, как и движение электрона из возбуждённого состояния в основное состояние атома должно приводить к излучению дебройлевских волн, что наблюдается на практике высвечиванием оптических фотонов, но не наблюдается для атомов, находящихся в основном состоянии.

Запись, отражающая распределение электронов в атоме химического элемента по энергетическим уровням (слоям) и подуровням (оболочкам), называется электронной конфигурацией этого атома. Так, например, выше рассмотренная конфигурация атома алюминия может быть представлена, как 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p.

В основном (невозбужденном) состоянии атома все электроны удовлетворяют принципу минимума потенциальной энергии. Это значит, что сначала заполняются слои, для которых:

– главное квантовое число «n» минимально,

– внутри одного слоя сначала заполняется s- оболочка, затем p- и лишь затем d и т. д.,

– заполнение происходит так, чтобы (n + l) было минимально,

– в пределах одной оболочки электроны располагаются таким образом, чтобы равномерно своими волноводами покрыть всю поверхность этой оболочки не соприкасаясь друг с другом,