Николай Левашов - Неоднородная Вселенная

А теперь, рассмотрим кристаллические решётки. Кристаллические решётки образуются из атомов одного и того же элемента или из одинаковых молекул. Поэтому все атомы, образующие кристаллическую решётку, имеют одинаковый уровень собственной мерности. Причём, для каждой кристаллической решётки уровень собственной мерности будет свой. Возьмём два металла, имеющие различные уровни мерности ( Рис. 3.3.12).

Рис. 3.3.12. Атомы одного и того же элемента имеют одинаковые оптимальные уровни собственной мерности. Поэтому если среда, где они находятся не насыщена чрезмерно инфракрасными (тепловыми) излучениями, через некоторое время, эти атомы соберутся на уровне оптимальной мерности, что создаёт качественные условия для соединения их электронных оболочек между собой и образования кристаллической структуры. При этом говорят о температуре среды, при которой происходит кристаллизация. Для атомов разных элементов эта температура своя, так же, как и после завершения процесса кристаллизации кристаллы разных элементов будут иметь разные уровни собственной мерности, и между ними будет существовать перепад мерности ΔL.

A 1— ядра атомов первого элемента.

A 2— ядра атомов второго элемента.

L 1— уровень мерности кристалла первого элемента.

L 2— уровень мерности кристалла второго элемента.

ΔL — перепад между уровнями собственной мерности двух разных элементов.

Они представляют собой две качественно разные среды, по-разному влияющие на окружающее пространство. Если они никак друг с другом не взаимодействуют, никаких необычных явлений не наблюдается. Но, стоит им только вступить в непосредственное взаимодействие, как появляются качественно новые явления. В зоне стыкования кристаллических решёток с разными уровнями собственной мерности, возникает горизонтальный перепад (градиент) мерности, направленный от кристаллической решётки с большим уровнем собственной мерности к кристаллической решётке с меньшим уровнем собственной мерности. Теперь, поместим между пластинами из этих материалов жидкую среду, насыщенную положительными и отрицательными ионами. В жидкой среде молекулы и ионы не имеют жёсткого положения и находятся в постоянном хаотичном движении, так называемом, броуновском. Поэтому под воздействием горизонтального перепада мерности ионы начинают двигаться упорядочено. Положительно заряженные ионы начинают двигаться к пластине с большим уровнем собственной мерности, в то время, как отрицательно заряженные ионы — к пластине с меньшим уровнем собственной мерности ( Рис. 3.3.13).

Рис. 3.3.13. Кристаллические структуры разных элементов имеют разные уровни собственной мерности. И если поместить эти кристаллические структуры на расстоянии, соизмеримом с размерами самих кристаллов, в промежуточном пространстве возникнет перепад мерности (градиент) от уровня кристаллической структуры большей собственной мерности к уровню с меньшей. Этот перепад не столь значительный, чтобы вызвать неустойчивость атомов, образующих эти кристаллические структуры, но, если между ними поместить жидкую среду, насыщенную положительными и отрицательными ионами, перепад между кристаллическими структурами заставит двигаться свободные ионы в разных направлениях.

При этом положительные ионы, имеющие более высокий уровень собственной мерности, под воздействием этого перепада начнут скапливаться на поверхности кристаллической структуры с большим уровнем собственной мерности, в то время, как отрицательные ионы с меньшим уровнем собственной мерности — на поверхности с меньшим уровнем собственной мерности. Избыток положительных ионов на одной поверхности позволяет говорить о положительном заряде, в то время, как избыток отрицательных ионов — об отрицательном заряде поверхностей. Наличие перепада уровней собственной мерности между разными кристаллическими поверхностями вызывает перераспределение ионов, насыщающих промежуточную среду и приводит к появлению, так называемого, постоянного электрического тока между этими поверхностями, если соединить их между собой посредством проводника.

1. Кристаллическая поверхность с меньшим уровнем собственной мерности.

2. Кристаллическая поверхность с большим уровнем собственной мерности.

3. Промежуточная жидкая среда насыщенная ионами.

4. Положительные ионы.

5. Отрицательные ионы.

L 1— уровень мерности кристалла первого элемента.

L 2— уровень мерности кристалла второго элемента.

ΔL — перепад между уровнями собственной мерности двух разных элементов.

При этом, происходит перераспределение ионов в жидкой среде, в результате чего, на пластинах происходит накапливание положительных и отрицательных ионов. Положительные ионы, при своих столкновениях с пластиной, захватывают из атомов кристаллической решётки пластины электроны, становясь, при этом, нейтральными атомами, которые начинают оседать на самой пластине, в то время, как в самой пластине возникает недостаток электронов. Причём, «бомбардировке» положительными ионами пластина будет подвергаться постоянно и по всей поверхности. Так как, при всём при этом, перепад мерности между двумя пластинами продолжает сохраняться и ионы из жидкой среды, под воздействием этого перепада, приобретают направленное движение. Хаотический процесс столкновений молекул и ионов жидкой среды между собой, приобретает качественно новый характер. Движение ионов и молекул становится направленным. При этом, поведение положительных и отрицательных ионов будет различным под воздействием существующего перепада мерности между пластинами. Горизонтальный перепад мерности создаёт условия, при которых, положительные ионы должны двигаться против перепада, в то время, как отрицательные ионы — вдоль этого перепада мерности. Положительные ионы вынуждены двигаться «против течения», в то время как отрицательные «по течению».

В результате этого скорость движения, а следовательно энергия положительных ионов уменьшается, а отрицательных ионов — увеличивается. Ускоренные подобным образом отрицательные ионы, при столкновении с кристаллической решёткой, теряют избыточные электроны, становясь нейтральными атомами. Кристаллическая решётка, при этом, приобретает дополнительные электроны. И если теперь, соединить между собой эти две пластины с разными уровнями собственной мерности посредством провода из совместимого с ними материала, то в последнем (проводе) возникнет, так называемый, постоянный электрический ток — направленное движение электронов от плюса к минусу, где плюс — пластина, имеющая больший уровень собственной мерности, а минус — пластина имеющая меньший уровень собственной мерности. И если продолжить данный анализ, то перепад потенциалов между пластинами есть ни что иное, как перепад уровней собственной мерности кристаллических решёток этих пластин. В результате анализа этого процесса, мы пришли к пониманию природы постоянного тока.