Николай Левашов - Неоднородная Вселенная

Теперь, давайте разберёмся, какое влияние магнитное поле — встречный перепад мерности пространства — оказывает на сами атомы, его порождающие. При наличии магнитного поля, электроны атомов становятся более неустойчивыми, что в значительной степени увеличивает возможность их перехода не только на высшие орбиты одного и того же атома, но и возможность полного распада электрона у одного атома и синтез его у другого. Аналогичные процессы происходят, при поглощении атомом волн; отличие заключается лишь в том, что поглощение волн фотонов происходит каждым атомом в отдельности, в то время, как, под воздействием магнитного поля в возбуждённом состоянии одновременно оказываются миллиарды атомов одновременно, без какого-либо существенного изменения их агрегатного состояния ( Рис. 3.3.15).

Рис. 3.3.15. Постоянное магнитное поле В представляет собой перепад мерности пространства, который накладывается на кристаллическую систему в направлении, перпендикулярном оптической оси кристалла. И если условно принять верхнюю границу устойчивости физически плотного вещества за «север», а нижнюю — за «юг», то перепад мерности с юга на север выступает, как северный магнитный полюс, а перепад мерности с севера на юг выступает, как южный магнитный полюс. Эти отличия определяются неоднородностью кристаллов в указанных направлениях (верх-низ). Неоднородность свойств кристаллических решёток связана с пространственной ориентацией электронных орбит. Поэтому перепад мерности с «юга на север» облегчает «переходы» электронов с орбиты на орбиту, как внутри отдельного атома, так и между соседними атомами кристаллической решётки. В то время, как перепад мерности с «севера на юг» — в значительной степени, затрудняет указанные переходы.

A 1, A 2— ядра атомов кристаллической структуры.

1. Постоянное магнитное поле.

B — перепад мерности вдоль оптической оси кристалла.

При наличии продольного перепада мерности, называемого постоянным электрическим полем, внешние электроны атомов, ставшие неустойчивыми под воздействием поперечного перепада мерности, называемого постоянным магнитным полем, начинают распадаться на материи их образующие и, под воздействием продольного перепада мерности, начинают двигаться вдоль кристаллической решётки от большего уровня мерности, называемого плюсом, к меньшему уровню мерности, называемого минусом ( Рис. 3.3.16).

Рис. 3.3.16. Постоянное электрическое поле Е представляет собой перепад мерности вдоль оптической оси кристаллических решёток. Направление электрического поля может быть, как с «запада на восток», так и с «востока на запад». При этом свойства электрического поля будут тождественны в силу того, что кристаллические решётки в данных направлениях тождественны. Природа электрического поля проста. Оно создаёт «гравитационный ветер». Перепад мерности вдоль оптической оси сносит электроны с электронной орбиты одного атома на орбиты другого во время фазы между материализациями электрона. Атомы расположенные вдоль оптической оси кристалла попадают под различное по силе влияние перепада мерности, в результате чего происходит перераспределение электронов у атомов вдоль оптической оси, что и создаёт, так называемый, электрический ток — направленное движение электронов от плюса к минусу.

A 1, A 2— ядра атомов кристаллической структуры.

2. Постоянное электрическое поле.

E — Перепад мерности вдоль оптической оси кристалла.

Продольный поток первичных материй, высвободившихся при распаде внешних электронов одних атомов, попадая в расположение других атомов с меньшим уровнем собственной мерности, вызывает у этих атомов синтез электронов. Другими словами, электроны «исчезают» у одних атомов и «появляются» у других. Причём, это происходит одновременно с миллионами атомов одновременно и в определённом направлении. В так называемом, проводнике возникает постоянный электрический ток — направленное движение электронов от плюса к минусу. Только, в предложенном варианте объяснения, становится предельно ясно, что такое направленное движение, что такое «плюс» и «минус» и, наконец, что такое «электрон». Все эти понятия никогда не объяснялись и принимались, как должное. Только, чтобы быть предельно точным, следует говорить не о «направленном движении электронов от плюса к минусу», а о направленном перераспределении электронов вдоль проводника.

Как стало ясно из вышеизложенного объяснения, электроны не движутся вдоль проводника, они исчезают в одном месте, где уровень собственной мерности атомов становиться критическим для существования внешних электронов и образуются у атомов, у которых выполняются необходимые для этого условия. Происходит дематерилизация электронов в одном месте и материализация их в другом. Подобный процесс происходит в природе постоянно, хаотично и поэтому становится наблюдаемым только в случае управления этим процессом, что и осуществляется при искусственном создании направленного перепада мерности вдоль проводника. Хотелось бы отметить, что причинами проявления, как магнитного поля, так и электрического, являются перепады мерности (градиенты мерности) пространства, которые принципиально не отличаются друг от друга. Как в одном случае, так и в другом это перепад мерности между двумя точками пространства, имеющими, по той или иной причине, разные уровни собственной мерности. Различие в проявлении этих перепадов обусловлено только их пространственной ориентировкой по отношению к кристаллической решётке. Взаимоперпендикулярность двух перепадов мерности относительно, так называемой, оптической оси кристалла, приводит к качественному отличию реакции каждого атома на эти перепады мерности при полной тождественности природы самих перепадов. Анизотропность качественной структуры, как макропространства, так и микропространства приводит к качественно другим реакциям материи, заполняющей эти пространства, как на уровне макропространства, так и на уровне микропространства.

Понимание природы постоянного магнитного и электрического полей и природы их влияния на качественное состояние физически плотной материи позволяет понять и природу переменного электромагнитного поля. Переменное магнитное поле влияет на один и тот же атом по-разному, в разных фазах своего качественного состояния. При нулевой напряжённости переменного магнитного поля, естественно, влияние на качественное состояние атомов кристаллической решётки равно нулю. При прохождении через кристаллическую решётку условно положительной фазы напряжённости переменного магнитного поля, каждый атом начинает терять свои внешние электроны вследствие того, что дополнительное внешнее воздействие перепада мерности влияет на качественное состояние электронных оболочек атомов, не влияя существенно на качественное состояние атомных ядер. В результате этого, некоторые внешние электроны становятся неустойчивыми и распадаются на материи, их образующие. При прохождении условно отрицательной фазы напряжённости переменного магнитного поля наоборот создаются условия для синтеза электронов в зонах деформации микропространства, созданных под воздействием атомных ядер. Поэтому, при прохождении волны переменного магнитного поля через кристаллическую решётку возникает любопытная картина. Если у данного атома или атомов под воздействием магнитного поля внешние электроны стали неустойчивыми и распались на материи их образующие, то у впереди лежащих по оптической оси атома или атомов, та же самая волна создаёт благоприятные условия для синтеза электронов ( Рис. 3.3.17).