А. Красько - Схемотехника аналоговых электронных устройств
- Название:Схемотехника аналоговых электронных устройств
- Автор:
- Жанр:
- Издательство:Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
- Год:2005
- Город:Томск
- ISBN:нет данных
- Рейтинг:
- Избранное:Добавить в избранное
-
Отзывы:
-
Ваша оценка:
А. Красько - Схемотехника аналоговых электронных устройств краткое содержание
В учебном пособии рассмотрены теоретические основы и принципы действия аналоговых устройств на биполярных и полевых транзисторах. Анализируются основные схемы, используемые в аналоговых трактах типовой радиоэлектронной аппаратуры, приводятся расчетные формулы, позволяющие определить элементы принципиальных схем этих устройств по требуемому виду частотных, фазовых и переходных характеристик. Излагаются основы построения различных функциональных устройств на основе операционных усилителей. Рассмотрены так же ряд специальных вопросов с которыми приходится сталкиваться разработчикам аналоговых электронных устройств – оценка нелинейных искажений, анализ устойчивости, чувствительности и др.
Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 552500, 654200 – «Радиотехника», 654100 – «Электроника и микроэлектроника», и может быть полезно для преподавателей и научных работников.
Схемотехника аналоговых электронных устройств - читать онлайн бесплатно полную версию (весь текст целиком)
Интервал:
Закладка:

Рисунок 5.4. Структурная схема УПТ с преобразованием сигналов
В качестве модулятора можно использовать управляемые ключевые схемы, выполненные обычно на ПТ. Простейшим демодулятором является обычный двухполупериодный выпрямитель с фильтром на выходе. Следует заметить, что существует большое многообразие схемных решений как модуляторов, так и демодуляторов, рассмотрение которых не позволяет ограниченный объем данного пособия.
В качестве недостатков УПТ с преобразованием сигнала следует отнести проблему реализации модуляторов малого уровня входного сигнала и повышенную сложность схемы.
Достичь существенного улучшения электрических, эксплуатационных и массогабаритных показателей УПТ можно за счет их построения на основе балансных схем.
5.3. Дифференциальные усилители
В настоящее время наибольшее распространение получили УПТ на основе дифференциальных (параллельно-балансных или разностных) каскадов. Такие усилители просто реализуются в виде монолитных ИМС и широко выпускаются промышленностью (КТ118УД, КР198УТ1 и др.). На рисунке 5.5 приведена принципиальная схема простейшего варианта дифференциального усилителя (ДУ) на БТ.

Рисунок 5.5. Схема ДУ
Любой ДУ выполняется по принципу сбалансированного моста, два плеча которого образованы резисторами R к1 и R к2, а два других — транзисторами VT 1 и VT 2. Сопротивление нагрузки R н включено в диагональ моста. Резисторы цепи ПООСТ R ОС1 и R ОС2 обычно невелики или вообще отсутствуют, поэтому можно считать, что резистор R э подключен к эмиттерам транзисторов.
Двухполярное питание позволяет обойтись на входах (выходах) ДУ без мостовых схем за счет снижения потенциалов баз (коллекторов) до потенциала общей шины.
Рассмотрим работу ДУ для основного рабочего режима — дифференциального. За счет действия U вх 1 транзистор VT 1 приоткрывается, и его ток эмиттера получает приращение Δ I э 1, а за счет действия U вх 2 транзистор VT 2 призакрывается, и ток его эмиттера получает отрицательное приращение –Δ I э 2. Следовательно, результирующее приращение тока в цепи резистора R э при идеально симметричных плечах близко к нулю и, следовательно, ООС для дифференциального сигнала отсутствует.
При анализе ДУ выделяют два плеча, представляющие собой каскады с ОЭ, в общую цепь эмиттеров транзисторов которых включен общий резистор R э, которым и задается их общий ток. В связи с этим представляется возможным при расчете частотных и временных характеристик ДУ пользоваться соотношениями подразделов 2.5 и 2.12 с учетом замечаний, приведенных в подразделе 4.4. Например, коэффициент усиления дифференциального сигнала K U диф будет равен в случае симметрии плеч (см. подраздел 4.4) K U диф =2· K U пл = K 0, т.е. дифференциальный коэффициент усиления равен коэффициенту усиления каскада с ОЭ.
ДУ отличает малый дрейф нуля, большой коэффициент усиления дифференциального (противофазного) сигнала K U диф и большой коэффициент подавления синфазных помех, т.е. малый коэффициент передачи синфазного сигнала K U сф .
Для обеспечения качественного выполнения этих функций необходимо выполнить два основных требования. Первое из них состоит в обеспечении симметрии обоих плеч ДУ. Приблизиться к выполнению этого требования позволила микроэлектроника, поскольку только в монолитной ИМС близко расположенные элементы действительно имеют почти одинаковые параметры с одинаковой реакцией на воздействие температуры, старения и т.п.
Второе требование состоит в обеспечении глубокой ООС для синфазного сигнала. В качестве синфазного сигнала для ДУ выступают помехи, наводки, поступающие на входы в фазе. Поскольку R э создает глубокую ПООСТ для обоих плеч ДУ, то для синфазного сигнала будет наблюдаться значительное уменьшение коэффициентов передачи каскадов с ОЭ, образующих эти плечи.
Коэффициент усиления каждого плеча для синфазного сигнала можно представить как K 0 ОС каскада с ОЭ при глубокой ООС. Согласно подраздела 3.2 имеем:
K U сф 1 ≈ R к 1/ Rэ ,
K U сф 2≈ R к 2/ Rэ .
Теперь можно записать для K U сф всего ДУ:
K U сф ≈ Δ R к / Rэ ,
где Δ R к = | R к 1– R к 2|.
Для оценки подавления синфазного сигнала вводят коэффициент ослабления синфазного сигнала (КОСС), равный отношению модулей коэффициентов передач дифференциального и синфазного сигналов.
Из сказанного следует, что увеличение КОСС возможно путем уменьшения разброса номиналов резисторов в цепях коллекторов (в монолитных ИМС — не более 3%) и путем увеличения R э . Однако увеличение R э требует увеличения напряжения источника питания (что неизбежно приведет к увеличению рассеиваемой тепловой мощности в ДУ), и не всегда возможно из-за технологических трудностей реализации резисторов больших номиналов в монолитных ИМС.
Решить эту проблему позволяет использование электронного эквивалента резистора большого номинала, которым является источник стабильного тока (ИСТ), варианты схем которого приведены на рисунке 5.6.

Рисунок 5.6. ИСТ на БТ и ПТ
ИСТ подключается вместо R э (см. рисунок 5.5), а заданный ток и термостабильность обеспечивают элементы R 1, R 2, R э и VD 1 (рисунок 5.6а), и R 1 (рисунок 5.6б). Для реальных условий ИСТ представляет собой эквивалент сопротивления для изменяющегося сигнала номиналом до единиц мегом, а в режиме покоя — порядка единиц килоом, что делает ДУ экономичным по питанию.
Использование ИСТ позволяет реализовать ДУ в виде экономичной ИМС, с КОСС порядка 100 дБ.
При использовании ПТ характер построения ДУ не меняется, следует только учитывать особенности питания и термостабилизации ПТ.
5.4. Схемы включения ДУ
Можно выделить четыре схемы включения ДУ: симметричный вход и выход, несимметричный вход и симметричный выход, симметричный вход и несимметричный выход, несимметричный вход и выход.
Схема включения ДУ симметричный вход и выход приведена на рисунке 5.7 и в особых комментариях не нуждается, такая схема включения применяется при каскадировании ДУ.

Рисунок 5.7. Схема включения ДУ «симметричный вход и выход»
Читать дальшеИнтервал:
Закладка: