А. Красько - Схемотехника аналоговых электронных устройств

Тут можно читать онлайн А. Красько - Схемотехника аналоговых электронных устройств - бесплатно полную версию книги (целиком) без сокращений. Жанр: Все книги в жанре Компьютерное "железо", издательство Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, год 2005. Здесь Вы можете читать полную версию (весь текст) онлайн без регистрации и SMS на сайте лучшей интернет библиотеки ЛибКинг или прочесть краткое содержание (суть), предисловие и аннотацию. Так же сможете купить и скачать торрент в электронном формате fb2, найти и слушать аудиокнигу на русском языке или узнать сколько частей в серии и всего страниц в публикации. Читателям доступно смотреть обложку, картинки, описание и отзывы (комментарии) о произведении.
  • Название:
    Схемотехника аналоговых электронных устройств
  • Автор:
  • Жанр:
  • Издательство:
    Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
  • Год:
    2005
  • Город:
    Томск
  • ISBN:
    нет данных
  • Рейтинг:
    4.22/5. Голосов: 91
  • Избранное:
    Добавить в избранное
  • Отзывы:
  • Ваша оценка:
    • 80
    • 1
    • 2
    • 3
    • 4
    • 5

А. Красько - Схемотехника аналоговых электронных устройств краткое содержание

Схемотехника аналоговых электронных устройств - описание и краткое содержание, автор А. Красько, читайте бесплатно онлайн на сайте электронной библиотеки LibKing.Ru

В учебном пособии рассмотрены теоретические основы и принципы действия аналоговых устройств на биполярных и полевых транзисторах. Анализируются основные схемы, используемые в аналоговых трактах типовой радиоэлектронной аппаратуры, приводятся расчетные формулы, позволяющие определить элементы принципиальных схем этих устройств по требуемому виду частотных, фазовых и переходных характеристик. Излагаются основы построения различных функциональных устройств на основе операционных усилителей. Рассмотрены так же ряд специальных вопросов с которыми приходится сталкиваться разработчикам аналоговых электронных устройств – оценка нелинейных искажений, анализ устойчивости, чувствительности и др.

Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 552500, 654200 – «Радиотехника», 654100 – «Электроника и микроэлектроника», и может быть полезно для преподавателей и научных работников.

Схемотехника аналоговых электронных устройств - читать онлайн бесплатно полную версию (весь текст целиком)

Схемотехника аналоговых электронных устройств - читать книгу онлайн бесплатно, автор А. Красько
Тёмная тема
Сбросить

Интервал:

Закладка:

Сделать

R н ≈≈ R н · n ²,

где n — коэффициент трансформации, n = U 1/ U 2.

Данный каскад находит ограниченное применение в современной схемотехнике УМ из-за ряда существенных недостатков:

◆ малого КПД;

◆ больших частотных искажений за счет трансформатора;

◆ больших НИ за счет тока подмагничивания трансформатора;

◆ невозможности реализации в виде ИМС.

Трансформаторные УМ подробно описаны в классических учебниках по УУ, например, в[5,6].

4.4. Двухтактные УМ

Двухтактные УМ ввиду возможности использования режимов АВ, В, С и D характеризуются лучшими энергетическими показателями. На рисунке 4.5 приведена схема двухтактного УМ с трансформаторной связью .

Рисунок 45 Двухтактный трансформаторный УМ При работе данного УМ в режиме - фото 163

Рисунок 4.5. Двухтактный трансформаторный УМ

При работе данного УМ в режиме класса В, цепь резистора R б2 отсутствует. Трансформатор Tp 1 осуществляет согласование входа УМ с источником сигнала, трансформатор Tp 2 согласует выходное сопротивление УМ с сопротивлением нагрузки. Трансформатор Tp 1 выполняет еще и функции фазоинвертора (см. на рисунке 4.5 фазировку его обмоток).

Усиление сигнала в рассматриваемом УМ происходит в два такта работы устройства. Первый такт сопровождается усилением положительной полуволны гармонического сигнала с помощью транзистора VT 2, второй — усилением отрицательной полуволны гармонического сигнала с помощью VT 1.

Графический и энергетический расчет двухтактного трансформаторного УМ двухтактного достаточно полно представлены в классических учебниках по усилительным устройствам, например, [5,6]. Энергетический расчет показывает, что КПД такого УМ реально достигает порядка 70%, что примерно в 1,5 раза больше чем у однотактных УМ.

При выборе типа для УМ следует учитывать то обстоятельство, что на коллекторе закрытого транзистора действует напряжение, равное примерно 2· E к , что объясняется суммированием E к и напряжения на секции первичной обмотки Tp 2.

Вследствие того, что каждый транзистор пропускает ток только для одной полуволны гармонического сигнала, режим класса В характеризуется лучшим использованием транзистора по току.

Поскольку токи в секциях обмоток трансформаторов протекают в разных направлениях, отсутствует подмагничивание их сердечников. Отметим так же, что в двухтактном УМ исключена (при симметрии плеч УМ) паразитная ОС по источнику питания и в выходном сигнале отсутствуют четные гармонические составляющие.

Как уже отмечалось выше, отсутствие тока покоя в УМ класса В приводит к появлению значительных НИ. Вследствие нелинейности входных ВАХ, выходной сигнал в двухтактном УМ класса В имеет переходные искажения типа "ступеньки" (рисунок 4.6).

Рисунок 46 Искажения сигнала в двухтактном трансформаторном УМ Уменьшение НИ - фото 164

Рисунок 4.6. Искажения сигнала в двухтактном трансформаторном УМ

Уменьшение НИ возможно путем перехода к режиму класса АВ (см. рисунки 4.2 и 4.6). Т.к. токи покоя в режиме класса АВ малы, то они практически не влияют на энергетические показатели УМ.

Поскольку трансформатор является весьма "неудобным" элементом при выполнении УМ в виде ИМС и вносит существенные искажения в выходной сигнал усилителя, УМ с трансформаторами находят ограниченное применение в современной схемотехнике УУ.

В современной электронике наиболее широко применяются бестрансформаторные двухтактные УМ . Такие УМ имеют хорошие массогабаритные показатели и просто реализуются в виде ИМС.

Возможно построение двухтактных бестрансформаторных УМ по структурной схеме, показанной на рисунке 4.7.

Рисунок 47 Структурная схема УМ с использованием ФИ Здесь ФИ фазоинверсный - фото 165

Рисунок 4.7. Структурная схема УМ с использованием ФИ

Здесь ФИ — фазоинверсный каскад предварительного усиления (драйвер), УМ — двухтактный каскад усиления мощности.

В качестве драйвера может использоваться каскад с разделенной нагрузкой (рисунок 4.8).

Рисунок 48 Каскад с разделенной нагрузкой Можно показать что при - фото 166

Рисунок 4.8. Каскад с разделенной нагрузкой

Можно показать, что при Несмотря на такие достоинства как простота и малые частотные и нелинейные - фото 167, Несмотря на такие достоинства как простота и малые частотные и нелинейные - фото 168.

Несмотря на такие достоинства, как простота и малые частотные и нелинейные искажения, каскад с разделенной нагрузкой находит ограниченное применение из-за малого K 0 и разных R вых , что приводит к несимметричности АЧХ выходов в областях ВЧ и НЧ.

Гораздо чаще применяются ФИ на основе дифференциального каскада (ДК) (рисунок 4.9).

Рисунок 49 Фазоинверсный каскад на основе ДК ДК будут рассмотрены далее пока - фото 169

Рисунок 4.9. Фазоинверсный каскад на основе ДК

ДК будут рассмотрены далее, пока же отметим, что через R э будет протекать удвоенный ток покоя транзисторов VT1 и VT2 и, следовательно, номинал резистора R э в схеме фазоинверсного каскада уменьшается вдвое по сравнению с расчетом каскада с ОЭ.

При рассмотрении, например, левой половины фазоинверсного каскада видно, что в цепи эмиттера транзистора VT1 (включенного с ОЭ) присутствует R э и параллельно ему входное сопротивление транзистора VT2 (включенного с ОБ), R вхОБ ≈1/ S 0.

Обычно берут R э >> R вхОБ (или заменяют R э эквивалентом высокоомного сопротивления в виде источника стабильного тока, который будет рассмотрен в дальнейшем вместе с ДК), поэтому можно подставить вместо R ос в выражение для глубины ПООСТ (см. подраздел 3.2) R вхОБ :

A = 1 + SR вхОБ ≈ 1 + S 0/ S 0= 2

Следовательно, можно считать, что в фазоинверсном каскаде присутствует ПООСТ с глубиной, равной двум. Принимая во внимание, что относительно эмиттера VT2 транзистор VT1 включен по схеме с ОК, нетрудно показать, что при идентичности параметров транзисторов K 01≈ K 02≈ K 0/2, т.е. коэффициенты передачи по напряжению плеч фазоинверсного каскада на основе ДК равны половине коэффициента передачи каскада с ОЭ.

Довольно широко применяется ФИ на комплиментарных транзисторах, вариант схемы которого представлен на рисунке 4.10.

Рисунок 410 ФИ на комплиментарных БТ Использование комплиментарной пары - фото 170

Рисунок 4.10. ФИ на комплиментарных БТ

Читать дальше
Тёмная тема
Сбросить

Интервал:

Закладка:

Сделать


А. Красько читать все книги автора по порядку

А. Красько - все книги автора в одном месте читать по порядку полные версии на сайте онлайн библиотеки LibKing.




Схемотехника аналоговых электронных устройств отзывы


Отзывы читателей о книге Схемотехника аналоговых электронных устройств, автор: А. Красько. Читайте комментарии и мнения людей о произведении.


Понравилась книга? Поделитесь впечатлениями - оставьте Ваш отзыв или расскажите друзьям

Напишите свой комментарий
x