А. Красько - Схемотехника аналоговых электронных устройств
- Название:Схемотехника аналоговых электронных устройств
- Автор:
- Жанр:
- Издательство:Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
- Год:2005
- Город:Томск
- ISBN:нет данных
- Рейтинг:
- Избранное:Добавить в избранное
-
Отзывы:
-
Ваша оценка:
А. Красько - Схемотехника аналоговых электронных устройств краткое содержание
В учебном пособии рассмотрены теоретические основы и принципы действия аналоговых устройств на биполярных и полевых транзисторах. Анализируются основные схемы, используемые в аналоговых трактах типовой радиоэлектронной аппаратуры, приводятся расчетные формулы, позволяющие определить элементы принципиальных схем этих устройств по требуемому виду частотных, фазовых и переходных характеристик. Излагаются основы построения различных функциональных устройств на основе операционных усилителей. Рассмотрены так же ряд специальных вопросов с которыми приходится сталкиваться разработчикам аналоговых электронных устройств – оценка нелинейных искажений, анализ устойчивости, чувствительности и др.
Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 552500, 654200 – «Радиотехника», 654100 – «Электроника и микроэлектроника», и может быть полезно для преподавателей и научных работников.
Схемотехника аналоговых электронных устройств - читать онлайн бесплатно полную версию (весь текст целиком)
Интервал:
Закладка:

где τ ос = R осC ос , τ' = K 0 R осC н .
Эмиттерная коррекция позволяет значительно увеличить f в (уменьшить t у ) при заданных величинах подъема АЧХ на ВЧ (выброса ПХ δ в области МВ). Готовые таблицы и графики для расчета каскада с эмиттерной коррекцией приведены в [6].
Входная емкость каскада с ПООСТ уменьшиться примерно в F раз:
C вх дин ОС = τ/ r б / F + (1 + K 0ОС) C к ≈ C вх дин / F .
Расчет каскада с ОЭ и ПООСТ в области НЧ ничем не отличается от каскада без ОС (следует только учитывать изменение R вх при расчете постоянных времени разделительных цепей), исключение составляет расчет постоянной времени цепи эмиттера:
τ нэОС = C э (1/ S 0+ R ос ).
3.3. Последовательная ООС по напряжению
Входное сопротивление усилителя с ООС определяется способом подачи напряжения ОС во входную цепь. Согласно элементарной теории ОС, последовательная ООС по напряжению (ПООСН) увеличивает входное сопротивление усилителя в F раз, т.е.
R вхОС = R вх · F .
Выходное сопротивление усилителя с ООС определяется способом снятия напряжения ОС с нагрузки усилителя. Согласно элементарной теории ОС, ПООСН уменьшает выходное сопротивление усилителя в F раз, т.е.
R выхОС = R вых / F .
Уменьшение выходного сопротивления УУ снижает зависимость выходного напряжения от изменения величины нагрузки, следовательно, можно утверждать, что ПООСН стабилизирует коэффициент усиления по напряжению при изменении нагрузки. Ранее были рассмотрены эмиттерный и истоковый повторители, в которых имеет место 100%-ная ПООСН (подразделы 2.8, 2.11), поэтому ограничимся иллюстрацией применения ПООСН — трехкаскадным интегральным усилителем с внешней цепью ОС (резистор R ос , рисунок 3.4).

Рисунок 3.4. Усилитель с общей ПООСН
Возможность менять глубину общей ООС значительно расширяет сферу применения данного усилителя и делает ИМС многоцелевой.
3.4. Параллельная ООС по напряжению
Согласно элементарной теории ОС, параллельная ООС по напряжению (∥ООСН) не меняет коэффициент усиления по напряжению K 0 усилителя, но за счет изменения его входного сопротивления меняется сквозной коэффициент усиления K E . В результате уменьшения входного сопротивления R вх к входу усилителя приложится напряжение
U вх = E г · ν вх ,
где ν вх — коэффициент передачи входной цепи УУ.
По аналогии с K 0 ОС можно записать:
K E ОС = K E /(1 + βK 0) = ν вхK 0/(1 + βK 0).
При глубокой ∥ООСН ( βK 0 >> 1) получаем:
K E ОС ≈ ν вх / β .
Входное сопротивление усилителя с ∥ООСН определится как:
R вхОС = R вх / F I ,
где глубина ООС по току F I =1+ β IK I , β I = I ос / I вых .
Величину выходного сопротивления УУ, охваченного ∥ООСН, можно приближенно оценить по уже известному соотношению:
R выхОС ≈ R вых / F .
Из изложенного следует, что ∥ООСН стабилизирует сквозной коэффициент усиления по напряжению при постоянном сопротивлении источника сигнала, уменьшает входное и выходное сопротивления усилителя.
Каскад на БТ с ОЭ и ∥ООСН представлен на рисунке 3.5.

Рисунок 3.5. Усилительный каскад на БТ с ОЭ и ∥ООСН
При ∥ООСН выходное напряжение каскада вызывает ток ОС, протекающий через цепь ОС R осL осC рос . Ранее (см. подраздел 2.6) рассматривалась схема коллекторной термостабилизации, работа которой основана на действии ∥ООСН. В данном же каскаде ∥ООСН действует только на частотах сигнала, что отражено на рисунке 3.5б.
Воспользовавшись рекомендациями подраздела 2.3, получим выражения для основных параметров в области СЧ . Для коэффициента усиления по напряжению получим:

т.к. S 0 R ос >>1, R экв = R к ∥ R н . В большинстве случаев R ос > R экв , поэтому K 0 меняется незначительно. Само же изменение K 0 объясняется тем, что, в отличие от классической структуры УУ с ∥ООСН, в реальной схеме каскада нет столь четкого разделения цепи ОС и цепи прямого усиления.
Входное сопротивление каскада с ∥ООСН равно:

Обычно K 0>> g ( R ос + R экв ), R ос > R экв и K 0>>1, тогда

Выходное сопротивление каскада с ∥ООСН равно:

т.к. как правило S 0>> g и S 0 R г >>1.
Для определения параметров каскада в области ВЧ следует воспользоваться соотношениями для каскада с ОЭ (см. подраздел 2.5), принимая во внимание, что при расчете постоянной времени каскада τ в следует учитывать выходное сопротивление каскада с ∥ООСН, т.е. R экв = R вых ∥ R н и влияние ∥ООСН на крутизну — S 0 ОС = S 0–1/ R ос .
Следует заметить, что существует возможность коррекции АЧХ (ПХ) в области ВЧ (МВ) путем включения последовательно с R ос корректирующей индуктивности L ос . Эффект коррекции объясняется уменьшением глубины ООС в области ВЧ (МВ). Расчет каскада с ОЭ и ∥ООСН в области НЧ ничем не отличается от расчета каскада без ОС (следует только учитывать изменение R вх и R вых при расчете постоянных времени разделительных цепей), исключение составляет расчет разделительной емкости C рос из условия X Cрос ≤ R ос /(10…20).
Следует заметить, что существует возможность коррекции АЧХ (ПХ) в области НЧ (БВ) путем уменьшения емкости C рос . Эффект коррекции объясняется уменьшением глубины ООС в области НЧ (БВ).
Механизм действия ∥ООСН в каскаде на ПТ с ОИ (схема не приводится ввиду совпадения ее топологии рисунку 3.5) во многом идентичен только что рассмотренному. Приведем расчетные соотношения для основных параметров каскада на ПТ с ∥ООСН:
,
т.к. S 0 R ос >>1, R экв = R с ∥ R н .
Читать дальшеИнтервал:
Закладка: