Михаил Гук - Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

Микросхемы с буферированным программированием или страничной записью (Fast Page Write) могут не иметь в своей системе команд отдельной операции стирания сектора. Внутренняя операция стирания (и предварительного обнуления сектора) выполняется при страничном программировании.

Для защиты от случайного выполнения ключевые последовательности команд содержат от 2 до 6 шинных циклов, причем у них может быть важен и адрес (как в микросхемах AMD). Методы защиты секторов имеют различную как программную, так и аппаратную реализацию. Для временного снятия защиты используют различные способы, одним из которых является ключевая последовательность семи шинных циклов чтения.

Микросхемы флэш-памяти Micron совместимы с Intel и обозначаются аналогично, но начинаются с признака MT28F. Среди них есть и особенные, например: MT28F321P2FG — 2 М×16 Page Flash Memory, MT28F322D18FH — 2 М×16 Burst Flash Memory.

Фирма Silicon Storage Technology выпускает разнообразные микросхемы флэш-памяти с одним напряжением питания для всех операций. Их свойства можно определить по обозначению вида SST xx YY zzz— ttt, где xx— семейство:

♦ 28 — побайтное программирование, посекторное стирание;

♦ 29 — страничное программирование с прозрачным стиранием (команда стирания сектора отсутствует, внутренняя операция выполняется автоматически перед записью страницы в массив).

Элемент YYзадает функциональный тип и напряжение питания:

♦ ЕЕ — EEPROM-совместимые, выполнение одной инструкции, V CC= 5 В;

♦ LE — то же, что и ЕЕ, V CC= 3 В;

♦ VE — то же, что и ЕЕ, V CC= 2,7 В;

♦ SF — операции Super Flash Command Register, V CC= 5 В;

♦ LF — то же, что и SF, V CC= 3 В;

♦ VF — то же, что и SF, V CC= 2,7 В;

♦ DM — Disk Media (для флэш-дисков, требует внешнего контроллера), V CC= 5 В;

♦ LM — то же, что и DM, V CC= 3 В;

♦ VM — то же, что и DM, V CC= 2,7 B;

♦ PC — PCMCIA (интерфейс и протоколы), V CC= 5 В.

Элемент zzzзадает объем микросхемы:

♦ 512 — 512 Кбит (64 К×8);

♦ 010 — 1 Мбит (128 К×8);

♦ 040 — 4 Мбит (512 К×8);

♦ 080 — 8 Мбит (1 М×8);

♦ 016 — 16 Мбит (2 М×8);

♦ 032 — 32 Мбит (4 М×8).

Элемент tttзадает время доступа при чтении.

Микросхемы SST29EE010, 29LE010 и 29VE010 , часто применяемые в качестве носителя флэш-BIOS, организованы как 1024 страницы по 128 байт с программной и аппаратной защитой. Каждая страница может быть защищена независимо от других. Временные диаграммы стирания и программирования, а также необходимое напряжение программирования генерируются внутри микросхемы. Окончание операции определяется по алгоритму Toggle Bit или Data# Polling .

Аналогичные параметры имеют микросхемы 29ЕЕ011, 29LE011, 29VE011 фирмы Winbond.

Для микросхем энергонезависимой памяти малого объема, от которых не требуется высокой производительности обмена данными, часто применяют последовательные интерфейсы. Это позволяет упаковывать микросхемы памяти любого объема в корпуса, имеющие минимальное число выводов (рис. 7.23, 7.24, табл. 7.29). С таким интерфейсом выпускаются микросхемы EEPROM, FRAM и флэш-памяти. Микросхемы EEPROM и флэш-памяти выполняют внутренние операции записи автономно; о завершении выполнения операции можно судить по результатам опроса ее состояния. Более сложные микросхемы имеют блочную организацию и средства управления доступом к каждому блоку с помощью программируемых регистров состояния и внешнего вывода управления записью (программированием). Микросхемы FRAM выполняют все операции на скорости интерфейса (на то они и RAM). Существуют модификации микросхем, позволяющие блокировать запись данных пользователем в определенную область (или всю микросхему, что превращает ее в ROM). Вывод управления защитой у разных типов микросхем функционирует и называется по-разному: WP#— Write Protect, WC— Write Control, PP— Programm Protect. Для выбора микросхемы используются либо входы задания внутреннего адреса А[0:2], либо сигнал выборки CS#, с помощью которого контроллер может обратиться к одному из требуемых устройств. Для упрощения внешних схем могут использоваться и несколько сигналов выборки S[0:2], один из которых ( S1) иногда инвертирован.

Рис. 7.23. Назначение выводов микросхем EEPROM с интерфейсом I²C: а — 24Схх, б — 24F016, в — 24F128, г — X76F041

Рис. 7.24. Назначение выводов микросхем FRAM: а — FM24C256, б — FM25640

Таблица 7.29. Популярные микросхемы памяти с последовательным интерфейсом

Микросхемы EEPROM 24C02 с интерфейсом I²C объемом 256 байт применяются для последовательной идентификации модулей DIMM-168 второго поколения, DIMM-184 и SODIMM-144.

Кроме обычных устройств энергонезависимой памяти с интерфейсом I²C выпускают и специализированные устройства защиты (Security Devices). Например, микросхема X76F041, представляющая собой 4 блока памяти по 128 байт, имеет 64-битный регистр пароля, доступный только по записи. Обращение к микросхеме возможно только при предъявлении правильного пароля (который считать невозможно в принципе). Программируемый управляющий регистр (тоже энергонезависимый) позволяет для каждого блока установить свой режим доступа (полный доступ, только чтение, возможность только обнуления бит при записи, доступ только по предъявлении пароля конфигурации). Кроме того, есть возможность включения режима саморазрушения после превышения количества попыток доступа с неверным паролем. Такие устройства могут применяться в аппаратных ключах, защищающих программные средства от несанкционированного исполнения и пиратского копирования.

Последовательные интерфейсы памяти имеются на специальных устройствах- программаторах и копировщиках; их имеют многие модели микроконтроллеров, а там, где нет специальных аппаратных средств, они могут быть легко реализованы программно, занимая несколько бит портов общего назначения. В IBM PC может присутствовать внутренний интерфейс I²C для считывания последовательных идентификаторов модулей памяти (в виде шины SMBus, см. п. 11.1.3). Последовательный интерфейс памяти используется во многих микросхемах программируемой логики (например, в популярных устройствах FPGA фирмы Altera), применяемых в различных устройствах, включая карты расширения PC. Эти микросхемы при инициализации (по включению питания, сбросу) сами «засасывают» описание своей конфигурации (или программное обеспечение) с рядом стоящей микросхемы энергонезависимой памяти. Внешние последовательные интерфейсы, в которых нуждаются разработчики и изготовители электронной аппаратуры с последовательной памятью, могут быть реализованы программно, с использованием несложных адаптеров для LPT-порта.