Михаил Гук - Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

«Фасадный» обмен с канальными буферами выполняется по командам чтения и записи ( READи WRITE), в которых указывается номер канала и часть адреса, соответствующая адресу колонки в обычной микросхеме DRAM или SDRAM. Этот обмен выполняется в пакетном режиме, длина пакета программируется (1,2,4,8 или 16 передач), но пакет может быть укорочен подачей следующей команды обращения к каналу. Первые данные при чтении канала появляются с задержкой (Read Latency) в 2 такта относительно команды чтения, следующие идут в каждом такте. В некоторых моделях микросхем имеется поддержка комбинированной команды PFR(перед которой тоже должна быть команда ACT) — предвыборка с автопредзарядом и чтение буфера. После подачи этой команды первые данные появляются на 4-м такте — не раньше и не позже, чем при последовательной подаче команд PRF(А)и READ.

Регенерация VC DRAM выполняется так же, как и в SDRAM, — либо периодической подачей команд REF(авторегенерация по внутреннему счетчику адреса регенерируемых строк), либо в энергосберегающем режиме саморегенерации, в который микросхемы переходят по команде SELF.

Как видно из этого описания, работа VC DRAM очень похожа на работу SDRAM, но операции обмена данными разделены на две сравнительно независимые фазы. Активация-деактивация банков выглядит так же, но при чтении VC DRAM данные появляются даже позже, чем в SDRAM: у SDRAM эта задержка, CL (CAS Latency), составляет 2–3 такта, а у VC DRAM — 4 такта. Тем не менее применение VC DRAM дает прирост производительности памяти почти по всем тестам. Этот выигрыш получается за счет поддержки многозадачности в самих микросхемах и в контроллере памяти. Для работы с VC DRAM контроллер памяти должен «знать» ее систему команд, не имеющую прямой совместимости с командами SDRAM. Поддержка VC DRAM имеется далеко не во всех чипсетах — ее вводят, например, VIA и SiS, но фирма Intel эту память игнорирует. Механически и электрически модули VC DRAM совместимы с обычными модулями DRAM. Во время начального тестирования (POST) модули VC DRAM могут быть опознаны по информации, хранящейся в микросхеме EEPROM последовательной идентификации модуля, либо по поведению после инициализации.

Память VC DRAM по сравнению с другими типами динамической памяти обеспечивает меньшее среднее время задержки данных в многозадачных системах. Однако по пиковой скорости передачи она не имеет преимуществ перед SDRAM и проигрывает RDRAM и DDR SDRAM.

Динамическая память чаще всего применяется в виде модулей с разрядностью 1, 2, 4 или 8 байт, которые могут устанавливаться пользователем без каких-либо приспособлений. Модули стандартизованы, поэтому обеспечивается взаимная совместимость.

♦ SIPP и SIMM-30 — самые первые модули с однобайтной организацией, применялись вплоть до 486-х процессоров.

♦ SIMM-72-pin — 4-байтные модули, применявшиеся на системных платах для 486 и Pentium.

♦ DIMM-168 — 8-байтные модули для Pentium и выше. Существует два поколения, существенно различных по интерфейсу. Модули DIMM 168-pin Buffered (1-го поколения), как и слоты для них, встречаются редко и с широко распространенными модулями DIMM 2-го поколения несовместимы даже механически (по ключам). Наиболее популярно второе поколение с микросхемами SDRAM. Различают модификации в зависимости от наличия буферов или регистров на управляющих сигналах: Unbuffered, Buffered и Registered.

♦ DIMM-184 — 8-байтные модули DDR SDRAM для системных плат 6–7 поколений процессоров.

♦ RIMM — 2-байтные модули RDRAM для системных плат 6–7 поколений процессоров.

♦ SO DIMM (72 и 144-pin) и SO RIMM — малогабаритные варианты модулей (для блокнотных ПК).

♦ AIMM (AGP Inline Memory Module), они же GPA Card (Graphics Performance Accelerator) — 66-контактные 32- или 16-битные модули SDRAM, предназначенные для расширения памяти графических адаптеров, встроенных в системную плату.

Не пересчитывая контакты, отличить «короткие» SIMM от «длинных» и DIMM-модулей легко по их размеру: длина модуля SIMM-30 pin примерно 89 мм, SIMM-72 — 108 мм. Модули DIMM-168 и DIMM-184 имеют одинаковую длину около 134 мм (5,25"), но у 168-контактных модулей два ключа, а у 184-контактных — один (за счет чего больше контактов); кроме того, у DIMM-184 по две прорези по бокам, а не по одной. Модули RIMM имеют ту же длину, но легко отличимы по меньшему числу контактов — середина краевого разъема свободна от ламелей. У модулей RIMM микросхемы памяти закрыты пластиной радиатора. Кроме того, их левый ключ гораздо ближе к центру, чем у DIMM.

Модули памяти применяются и в принтерах (лазерных) — DIMM-168, 100-Pin DIMM, AIMM, SO DIMM-144, но иногда для них требуются и специальные модули (по конструктиву или параметрам).

Современные модули памяти имеют шину данных разрядностью 1, 4 или 8 байт. Кроме основных информационных бит, модули могут иметь дополнительные контрольные биты с различной организацией.

♦ Модули без контрольных бит ( non Parity ) имеют разрядность 8, 32 или 64 бита и допускают независимое побайтное обращение с помощью отдельных для каждого байта линий CAS#.

♦ Модули с контролем паритета ( Parity ) имеют разрядность 9, 36 или 72 бита и также допускают независимое побайтное обращение, контрольные биты по обращению приписаны к соответствующим байтам.

♦ Модули с генератором паритета ( Fake Parity, Parity Generator, Logical Parity ) так же допускают независимое побайтное обращение, логические генераторы паритета по чтению приписаны к соответствующим байтам. Действительного контроля памяти они не обеспечивают.

♦ Модули с контролем по схеме ЕСС имеют разрядность 36, 40, 72 или 80 бит. Обычно они допускают побайтное обращение к информационным битам, но контрольные биты у них привязаны к одному или нескольким сигналам CAS#, поскольку ЕСС подразумевает обращение сразу к целому слову.

♦ ECC-Optimized — модули, оптимизированные под режим ЕСС. От обычных модулей ЕСС они отличаются тем, что могут не обеспечивать побайтное обращение к информационным битам.

ECC-on-Simm (EOS) — модули со встроенной схемой исправления ошибок. Каждый байт модуля имеет встроенные средства контроля и исправления ошибок, работающие прозрачно. Для системы модули функционируют как обычные паритетные — в случае обнаружения неисправимой ошибки они генерируют ошибочный бит паритета. Эти модули обеспечивают отказоустойчивость по памяти (Kill Protected Memory) для системных плат, поддерживающих только контроль паритета. По «благородству» поведения (делают больше, чем «говорят») они являются прямой противоположностью модулям с генератором паритета.

Набор сигналов модуля SIMM в основном совпадает с сигналами одиночных микросхем динамической памяти. Основные характеристики распространенных модулей приведены в табл. 7.5, более подробное описание — в следующих разделах.