Михаил Гук - Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

Обозначение микросхем для изделий лидеров в области разработки и производства флэш-памяти — фирм Intel и AMD — несколько отличаются. Остальные производители для своих изделий, по свойствам аналогичных, в основном придерживаются системы обозначений лидеров.

Обозначение микросхем флэш-памяти Intel начинается с признака 28F, за которым следует трехзначный код объема (табл. 7.24), а за ними — два символа технологии и архитектуры:

♦ B5, ВС, BX, BR — Boot Block с питанием 5 В;

♦ C3 — Boot Block с питанием 3 В;

♦ F3 — Boot Block с питанием 3 В, повышенное быстродействие;

♦ J3 и J5 — StrataFlash (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно;

♦ S3 и S5 — Flash File (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно.

Таблица 7.24. Популярные микросхемы флэш-памяти

¹ BE — Bulk Erase (стираемые целиком), BB — Boot Block (несимметричные блоки), SA — Symmetric Architecture (симметричные блоки). Через косую черту указана организация для микросхем с переключаемой разрядностью данных.

Для флэш-памяти AMD первая часть обозначения определяет тип и характеристики микросхем:

♦ Am29BDS — 1,8 В, считывание одновременно с записью, пакетный режим чтения;

♦ Am29DS — 1,8 В, считывание одновременно с записью;

♦ Am29SL — 1,8 В;

♦ Am29LV — 3 B;

♦ Am29DL — 3 В, считывание одновременно с записью;

♦ Am29BL — 3 В, пакетный режим чтения;

♦ Am29PL — 3 В, страничный режим чтения;

♦ Am30LV — 3 В, UltraNAND;

♦ Am29F — 5 В.

Далее следует трехзначный код объема, за ним символ технологии изготовления (В, С или D), за которым следует символ архитектуры:

♦ T — boot sector, верхний;

♦ В — boot sector, нижний;

♦ H — симметричная, защищен со старшим адресом;

♦ L — симметричная, защищен с младшим адресом;

♦ U (нет символа) — симметричная;

♦ J40 — число 100%-годных блоков (только для UltraNAND).

Оставшаяся часть определяет параметры питания, быстродействие, тип корпуса, температурный диапазон и некоторые особенности.

Флэш-память с интерфейсом PCMCIA (PC Card) оптимизирована для построения внешней памяти миниатюрных PC. Модуль флэш-памяти в формате PC Card имеет интерфейс дисков IDE (ATA) как на уровне электрических сигналов, так и по системе команд. Кроме собственно микросхем накопителя этот модуль обычно содержит управляющую микросхему программируемой логики. Флэш-память в стандарте PC Card логически является устройством внешней памяти. Ее не следует путать с похожей по виду памятью в формате Credit Card, которая является оперативной и вставляется в специальный (не PCMCIA) слот компьютера. Внешнюю память, в отличие от оперативной, в принципе можно вставлять и вынимать без перезагрузки ОС.

По организации и программированию можно выделить три поколения флэш-памяти Intel.

Микросхемы первого поколения ( 28F256, 28F512, 28F010, 28F020 ) представляют собой единый массив памяти, стираемый целиком (bulk erase). Для выполнения стирания и записи микросхемы имеют внутренний регистр команд и управляющий автомат WSM (Write State Machine). Стирание и программирование флэш-памяти возможны только при подаче на вход V PPнапряжения 12 В по командам, записываемым во внутренний регистр в шинном цикле записи по сигналу WE#.

Выполнение команд инициируется записью кодов команд во внутренний регистр, для чего процессор должен выполнить команду записи в память по адресу, принадлежащему области программируемой микросхемы флэш-памяти. На микросхему при этом должны прийти сигналы СЕ#(выбор) и WE#(запись). Последующие обращения к этой области как по записи (W), так и по чтению (R) должны соответствовать исполняемой команде (табл. 7.25). В шинном цикле записи адрес (если он требуется для данной команды) фиксируется по спаду сигнала WE#, фиксация данных выполнения команды происходит по фронту WE#. Большинство команд подается безадресно (по любому адресу, принадлежащему данной микросхеме); команда верификации стирания и второй цикл команды программирования подаются по адресу требуемой ячейки. Результаты стирания и программирования считываются по адресу конкретной интересующей ячейки.

Таблица 7.25. Команды микросхем флэш-памяти Intel первого поколения

¹ Здесь X обозначает несущественный адрес, M_Id и D_Id — идентификаторы производителя и устройства, EA — адрес ячейки, в которой контролируется стирание, EVD — данные, считанные при верификации стирания (должны быть FFh), PA и PD — адрес и данные программируемой ячейки, PVD — данные, считанные при верификации программирования.

Ниже описано назначение команд.

♦ Read Memory— команда чтения данных, переводящая микросхему в режим чтения, совместимый по интерфейсу с EPROM.

♦ Read ID— команда чтения идентификаторов. В последующих шинных циклах чтения по адресу 0 считывается M_Id(Manufacturer Identifier — идентификатор производителя, 89h), по адресу 1 — D_Id(Device Identifier — идентификатор устройства, для микросхем 8F256, 28F512, 28F010, 28F020 это B9h, B8h, B4h и BDh соответственно). Из этого режима микросхема выходит по записи любой другой действительной команды. Идентификаторы можно читать и путем подачи высокого напряжения на А9(как и для EPROM).

♦ Set-up Erase/ Erase— подготовка и собственно стирание. Внутренний цикл стирания начинается по подъему сигнала WE#во втором шинном цикле и завершается по последующему шинному циклу записи или по внутреннему таймеру (Stop Timer). Последующей командой обычно является верификация стирания. Два шинных цикла записи, необходимые для выполнения команды, Снижают вероятность случайного стирания и позволяют отказаться от выполнения стирания посылкой команды Reset. Наличие внутреннего таймера позволяет не заботиться о точной выдержке времени для стирания, необходимо только выдержать минимальный интервал (около 10 мс). Перед стиранием все биты микросхемы должны быть предварительно запрограммированы в нули.