БСЭ БСЭ - Большая Советская Энциклопедия (ДИ)

Методы измерения диэлектрической проницаемости различны для разных частот (см. Диэлектрические измерения ).

Поляризация диэлектриков в отсутствии электрического поля.До сих пор рассматривались Д., в которых поляризация возникала под действием внешнего электрического поля. Однако в ряде твёрдых Д. наличие поляризации может быть вызвано др. причинами. В пироэлектриках поляризация существует и без электрического поля. В таких кристаллах заряды располагаются столь несимметрично, что центры тяжести зарядов противоположного знака не совпадают, т. е. Д. спонтанно (самопроизвольно) поляризован. В пьезоэлектриках поляризация возникает при деформировании кристалла. Это связано с особенностями строения кристаллической решётки таких веществ (см. Пьезоэлектричество ).

Большой интерес представляют сегнетоэлектрики , которые являются особой разновидностью пироэлектриков. Спонтанная поляризация сегнетоэлектриков существенно меняется, в отличие от обычных пироэлектриков, под влиянием внешних воздействий (температуры, электрического поля). Сегнетоэлектрики поэтому характеризуются очень большими значениями e, сильной нелинейной зависимостью P от Е , доме'нной структурой (см. Домены ) и наличием спонтанной поляризации лишь в определённом интервале температур. В этом смысле диэлектрические свойства сегнетоэлектриков аналогичны магнитным свойствам ферромагнетиков .

Поляризация в отсутствии электрического поля может наблюдаться также в некоторых веществах типа смол и стёкол, называемых электретами . Поляризованные при высоких температурах, а затем охлаждённые, электреты сохраняют достаточно долгое время поляризацию без поля.

Электропроводность Д.мала, однако всегда отлична от нуля (таблица 2). Носителями тока в Д. могут быть электроны и ионы. Электронная проводимость Д. обусловлена теми же причинами, что и электропроводность полупроводников . В обычных условиях, однако, электронная проводимость Д. мала по сравнению с ионной. Ионная проводимость может быть обусловлена перемещением как собственных ионов, так и примесных. Возможность перемещения ионов по кристаллу тесно связана с наличием дефектов в кристаллах . Если, например, в кристалле есть вакансии (незанятые узлы кристаллической решётки), то под действием поля ион может перескочить на соседнее с ним вакантное место. Во вновь образовавшуюся вакансию может перескочить следующий ион и т.д. В итоге происходит движение вакансий, которое приводит к переносу заряда через весь кристалл. Перемещение ионов может происходить и в результате перескоков ионов по междоузлиям. С ростом температуры ионная проводимость сильно возрастает. Заметный вклад в электропроводность Д. может вносить поверхностная проводимость.

Пробой.Электрический ток в Д. пропорционален напряжённости электрического поля Е ( Ома закон ). Однако в достаточно сильных полях ток нарастает быстрее, чем по закону Ома. При некотором критическом поле Е пр наступает электрический пробой Д. Величина Е пр называется электрической прочностью Д. (таблица 2). При пробое однородное то'ковое состояние становится неустойчивым и почти весь ток начинает течь по узкому каналу. Плотность тока j в этом канале достигает очень больших значений, что приводит к необратимым изменениям в Д.

Табл. 2. — Удельное сопротивление r и электрическая прочность Е пр некоторых твёрдых диэлектриков, используемых в качестве изоляционных материалов

На рис. 6 приведена зависимость плотности тока j от напряжённости электрического поля Е , рассчитанная в предположении, что ток однороден по сечению образца. Эта зависимость может быть описана соотношением:

где удельное сопротивление r не постоянная величина, как в законе Ома, а зависит от j . Дифференцируя это соотношение, получим выражение:

из которого видно, что, если величина

отрицательна, то с ростом j величина

может стать отрицательной (дифференциальное отрицательное сопротивление ). Состояние с отрицательным дифференциальным сопротивлением является неустойчивым и приводит к образованию канала тока при Е = Е пр .

В твёрдых Д. различают тепловой и электрический пробой. При тепловом пробое с ростом j растёт джоулево тепло и, следовательно, температура Д., что приводит к увеличению числа носителей тока n . В результате r падает. При электрическом пробое с ростом j также возрастает число носителей n , а r c увеличением n падает.

В реальных Д. большую роль при пробое играют всегда присутствующие неоднородности. Они способствуют пробою, т.к. в местах неоднородности Е может локально возрасти. Необратимые изменения в Д., связанные с образованием токового канала при пробое, могут быть разного характера. Например, в Д. образуется сквозное отверстие или Д. проплавляется по каналу. В канале могут протекать химические реакции, например в органических Д. осаждается углерод, в ионных Д. выпадает металл (металлизация канала).

Электрическая прочность жидких Д. в сильной степени зависит от чистоты жидкости. Наличие примесей и загрязнений существенно понижает Е пр . Для чистых, однородных жидких Д. Е пр близка к Е пр твёрдых Д.

Пробой в газах связан с механизмом ударной ионизации и проявляется в виде электрического разряда в газах .

Нелинейные свойства Д.Поляризация Д., как указывалось выше, пропорциональна напряжённости электрического поля. Однако такая линейная зависимость справедлива только для электрических полей, значительно меньших внутрикристаллических полей Е кр ~ 10 8 в/см (см. Кристаллическое поле ). Т. к. обычно Е пр « Е кр , то в большинстве Д. не удаётся наблюдать нелинейную зависимость P ( Е ) в постоянном электрическом поле. Исключение составляют сегнетоэлектрики, где в определённом интервале температур (в сегнетоэлектрической области и вблизи точек фазовых переходов) наблюдается сильная нелинейная зависимость P ( Е ).