БСЭ БСЭ - Большая Советская Энциклопедия (ТЕ)

Расположение пятен и линий на ионограмме зависит от структуры кристалла и геометрических условий опыта. Распределение интенсивности в пределах одной тени (осевой или плоскостной) определяется многими факторами (состав и структура кристалла, сорт и энергия движущихся частиц, температура кристалла, количество дефектов в кристалле). Пятна и линии на ионограмме по своей природе принципиально отличны от пятен и линий, получаемых при изучении кристалла дифракционными методами (см. Рентгеновский структурный анализ, Электронография, Нейтронография ) . Из-за малой величины длины волны де Бройля для тяжёлых частиц дифракционные явления на образование теней практически не влияют.

Т. э. используется в ядерной физике и физике твёрдого тела. На базе Т. э. разработан метод измерения времени протекания ядерных реакций в диапазоне значений 10 -6—10 -18 сек. Информация о величине t извлекается из формы теней в угловых распределениях заряженных продуктов ядерных реакций, поскольку эта форма определяется смещением составного ядра за время его жизни из узла решётки. В физике твёрдого тела Т. э. используется для исследования структуры кристалла, распределения примесных атомов и дефектов. Особенно эффективными методы, основанные на Т. э., оказываются при изучении тонких монокристаллических слоев вещества (10—1000 ).

Т. э. относится к группе ориентационных явлений, возникающих при взаимодействии частиц с кристаллами. Другое ориентационное явление — каналирование заряженных частиц.

Лит.: Тулинов А. Ф., Влияние кристаллической решетки на некоторые атомные и ядерные процессы, «Успехи физических наук», 1965, т. 87, в. 4, с. 585; Широков Ю. М., Юдин Н. П., Ядерная физика, М., 1972; Медиков Ю. В., Тулинов А. Ф., Ядерные столкновения и кристаллы, «Природа», 1974, № 10; Карамян С. А., Меликов Ю. В., Тулинов А. Ф., Об использовании эффекта теней для измерения времени протекания ядерных реакций, «Физика элементарных частиц и атомного ядра», 1973, т. 4, в. 2.

А. Ф. Тулинов.

Рис. 1. Происхождение эффекта теней.

Рис. 3. Ионограмма кристалла.

Рис. 2. Угловое распределение интенсивности потока вылетающих из кристалла частиц при эффекте теней.

Тенери'фе(Tenerife), вулканический остров в Атлантическом океане, в группе Канарских островов. Территория Испании. Площадь 1946 км 2. Население свыше 500 тыс. чел. (1970). Сложен базальтами. высотой до 3718 м (вулкан Тейде). Климат тропический. Вечнозелёные кустарники и леса. Тропическое земледелие (бананы, цитрусовые, табак, виноград и др.). Рыболовство. Главный город — Санта-Крус-де-Тенерифе. Климатические курорты.

Тензода'тчик, измерительный преобразователь деформации твёрдого тела, вызываемой механическими напряжениями, в сигнал (обычно электрический), предназначенный для последующей передачи, преобразования и регистрации. Наибольшее распространение получили Т. сопротивления, выполненные на базе тензорезисторов (ТР), действие которых основано на их свойстве изменять под влиянием деформации (растяжения или сжатия) своё электрическое сопротивление (см. Тензорезистивный эффект ) . Конструктивно ТР представляет собой либо решётку ( рис. 1 ), изготовленную из проволоки или фольги (из константана, нихрома, различных сплавов на основе Ni, Mo, Pt), либо пластинку из полупроводника, например, Si. ТР механически жестко соединяют (например, приклеивают, приваривают) с упругим элементом Т. ( рис. 2 ) либо крепят непосредственно на исследуемой детали. Упругий элемент воспринимает изменения исследуемого параметра х (давления, деформации узла машины, ускорения и т. п.) и преобразует их в деформацию решётки (пластинки) e( x ), что приводит к изменению сопротивления ТР на величину D R (e) = ± k×R 0 × e , где R 0 — начальное сопротивление ТР, k — коэффициент тензочувствительности (для проволочных Т. k £ 2—2,5, для полупроводниковых k ~ 200). Т. сопротивления обычно работают в области упругих деформаций — при e £ 10 -3 .

Величина D R зависит не только от e, но и от температуры упругого элемента: D R (q) = a × Dq × R 0, где Dq — изменение температуры упругого элемента, a — температурный коэффициент относительного изменения сопротивления ТР: для проволочных и фольговых ТР a = (2—7)×10 -3K -1. Для уменьшения погрешности требуется автоматическое введение поправок на температуру либо термокомпенсация. Наиболее распространён метод «схемной» термокомпенсации с использованием мостовых цепей. На рис. 3 показан пример включения в мостовую цепь двух идентичных ТР, воспринимающих деформацию упругого элемента; при этом D R 1(e) и D R 2(e) имеют разные знаки, тогда как D R 1(q) и D R 2(q) — один и тот же знак. Ток в диагонали моста (выходной сигнал Т.) при условии определяется выражением i аб= М ( R 1 × R 4 – R 2 × R 4) , где М — коэффициент пропорциональности, R’ 1и R' 2 — сопротивления тензорезисторов, равные соответственно R 1+ D R 1(e) + D R 1(q) и R 2– D R 2(e) + D R 2(q). Мостовая цепь с двумя ТР позволяет повысить чувствительность Т. в 2 раза, а с четырьмя — в 4 раза по сравнению с мостовой цепью с одним ТР и обеспечивает полную термокомпенсацию.

Лит.: Туричин А. М., Электрические измерения неэлектрических величин, 4 изд., М.—Л., 1966; Глаговский Б. А., Пивен И. Д., Электротензометры сопротивления, 2 изд., Л., 1972.

А. В. Кочеров.

Рис. 3. Схема включения двух тензорезисторов в мостовую цепь: R 1+ DR 1(e) + DR 1(q) и R 2- DR 2(e) + DR 2(q) — сопротивления тензорезисторов [DR(e) и DR(q) — изменения сопротивлений тензорезисторов в зависимости от изменения деформации e и от температуры q]; R 3, R 4— сопротивления обычных резисторов; i aб— ток в диагонали моста; U — источник питания (постоянного тока); У — усилитель; Р — устройство, регистрирующее результат измерения.

Рис. 2. Схема тензорезисторного датчика: 1 — решётки; 2 — упругий элемент; R1,..., R4 — тензорезисторы; х — измеряемый параметр.