Интернаука - Интернаука №16 ((часть2) 2020

25

Журнал «Интернаука»

№ 16 (145), часть 2, 2020 г.

Приложение 8

United States Patent Application

20150066592

Kind Code

A1

Ehm; Hans; et al.

March 5, 2015

METHODS OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING AND SUPPLY CHAIN MANAGEMENT SYSTEMS

Abstract

In various embodiments, a method of semiconductor manufacturing is provided. The method may include: gathering information impacting production of semiconductor goods via a computer network platform; gathering information from a social networking platform via an interface of the computer network platform to the social networking platform; modelling at least one agent of a manufacturing entity in carrying out its tasks to manufacture semiconductor goods; and determining manufacturing capacity of the manufacturing entity as a function of at least the gathered information impacting the production of semiconductor goods, the gathered information from the social networking platform and the modelled agent.

Приложение 9

United States Patent Application

20080008837

Kind Code

A1

SHIBA; Yasuhiro; et al.

January 10, 2008

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD FOR HEAT-TREATING SUBSTRATE

Abstract

A substrate coated with a coating solution for an anti-reflective film is placed on a heat treatment plate and is heat-ed. Nitrogen gas flows near the periphery of the heat treatment plate into a heat treatment space. An exhaust outlet is formed in an upper central portion of an inner cover, and the inner cover has an inner wall surface configured in the form of a tapered surface. This produces a smooth flow of nitrogen gas along the tapered surface to smoothly discharge a sublimate produced from the coating solution together with the gas flow outwardly through the exhaust outlet. After the heating process for a predetermined period of time is completed, the cover moves upwardly, and support pins move upwardly to thrust up the substrate from the heat treatment plate, thereby spacing the substrate apart from the heat treatment plate. This gradually decreases the temperature of the substrate. The substrate is placed in a standby condition within a hot plate in this state until the substrate temperature is decreased down to at least a temperature at which the

production of the sublimate from the anti-reflective film after firing stops, and thereafter a transport robot transports the substrate out of the hot plate.

Приложение 10

United States Patent Application

20050264777

Kind Code

A1

Gardner, Steven D.; et al.

December 1, 2005

High speed lithography machine and method

Abstract

A machine and method for high speed production of circuit patterns on silicon wafers or similar substrates may be used for applications including printing Integrated Circuit (IC) packaging patterns onto wafers prior to separating IC

chips. Projection camera(s) simultaneously project image(s) onto substrate(s) carried on an X, Y,.theta. stage. The projection camera(s) may include independent alignment systems, light sources, and control of focus, image placement, image size, and dose. In one embodiment, each camera inlcudes a 6-axis reticle chuck that moves a reticle to correct image-to-substrate overlay errors. In-stage metrology sensors and machine software establish and maintain the correct relationship among the machine's coordinate systems. Thus, two or more projection cameras can print simultaneously even when substrates are slightly misplaced on the X, Y,. theta. stage.

26

Журнал «Интернаука»

№ 16 (145), часть 2, 2020 г.

МЕТОДЫ ИЗВЛЕЧЕНИЯ ГАЛЛИЯ ИЗ ПРОМПРОДУКТОВ

АЛЮМИНИЕВОГО ПРОИЗВОДСТВА

Несмеянова Римма Михайловна

канд. хим. наук, профессор, Павлодарский Государственный Университет имени С. Торайгырова, Республика Казахстан, г. Павлодар

Скибра Евгений Иванович

магистрант, Павлодарский Государственный Университет имени С. Торайгырова, Республика Казахстан, г. Павлодар

Для обработки алюминиевых руд используется в

изменение длительности процесса и увеличение

настоящее время несколько щелочных способов. По

температуры сокращают соосаждение галлия.

методу Байера сырье для получения глинозема вы-

Вследствие того, что маточные растворы после

щелачивают под давлением оборотными щелочны-

выделения основной массы алюминия являются

ми растворами. Получившийся раствор алюмината

оборотными, в них накапливается галлий, даже до

после отделения шлама разлагают при смешении с

установления равновесия меж его извлечением из

затравкой – гидроокисью алюминия. Данный про-

руды и выпадением с гидроксидом алюминия. В

цесс в индустрии именуют выкручиванием, или же

этих обогащенных растворах концентрация галлия

декомпозицией. При разложении раствора алюми-

может составлять 0,15–0,25 г/л Ga2O3 при атомном

ната образуется гидрооксид алюминия и щелочной

отношении алюминия к галлию около (400–700):1,

раствор, который впоследствии упаривания возвра-

то есть достигается приблизительно пятидесяти-

щается на выщелачивание Данный метод подходит

кратное обогащение галлием раствора по сравнению

для переработки бокситов со сравнительно невысо-

с рудой.

ким содержанием диоксида кремния. По способу

Галлий, содержащийся в осадке с гидроокисью

спекания бокситовая или же нефелиновая руда раз-

алюминия, при кальцинации остается в глиноземе, а

лагается спеканием с содой (известняком) и выще-

затем большая его часть переходит в алюминий в

лачивается водой или же содой. Гидроксид алюми-

процессе электролиза.

ния отделяют от алюминатных смесей после удале-

В процессе электролиза алюминия появляется

ния шлама и чистки от кремниевой кислоты, про-

угольная пена, из которой флотацией может быть

пуская через раствор диоксид углерода (карбониза-

регенерирован криолит. В такой угольной пене мо-

ция). Образовавшийся раствор соды после упарива-

жет содержаться до 0,02–0,05% галлия.

ния возвращают на спекание и выщелачивание.

Кроме указанных промышленных продуктов,

При обоих методах обработки руды, содержа-

для извлечения галлия также может быть применен

щийся в рудах галлий ведет себя аналогично алю-

осадок гидроксида алюминия со стенок карбониза-

минию и его значительная часть переходит в алю-

торов, трубопроводов и емкостей для хранения

минатный раствор в виде галлата натрия. Остаток от

алюминатных растворов, вследствие того, что этот

выщелачивания – шламы – также содержит какое-то

осадок образуется в результате спонтанного разло-

количество галлия (около 0,001–0,002%) вследствие

жения алюминатного раствора, которое происходит

неполноты вскрытия и адсорбции раствора.

наряду с соосаждением галлия.

Степень изоморфного соосаждения галлия с

Сырьем также могут быть осадки оксида алю-

осадками гидроокиси алюминия находится в зави-

миния со стенок карбонизаторов и гидроксид алю-

симости от критериев осаждения. Увеличение кон-

миния с последней стадии карбонизации, которые

центрации галлата в растворе увеличивает сооса-

содержат 0,01 % оксида галлия, 0,08 % оксида желе-

ждение; повышение же щелочности, при тех же

за и иные примеси. Эти осадки перерабатывались на

критериях, ведет к некому ухудшению соосаждения.

сульфат алюминия (коагулянт).

Степень соосаждения в процессе декомпозиции по

Извлечение из отходов изготовления алюминия

некоторым данным находится в пределах 4 %. При

высочайшей чистоты.

спонтанном разложении алюминатных смесей уро-

Отработанные анодные сплавы после рафиниро-

вень осаждения галлия составляет порядка 14 %.