Юрий Почанин - Конструкции и монтаж фотоэлектрических модулей

Ученые ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН предложили солнечные энергоустановки (СФЭУ) на основе высокоэффективных концентраторных фотоэлектрических модулей с линзами Френеля и КСЭ с КПД 36-40 % на основе наногетероструктур. Важным достоинством разработанных многопереходных СЭ III-V является то, что они эффективно преобразуют в электричество концентрированное солнечное излучение со степенью концентрации К = 500- 1 000х, что не могут делать солнечные элементы на основе кремния.

Известны два способа выполнения преобразования солнечной энергии посредством каскадных солнечных элементов. Первый из этих способов предусматривает использование оптических фильтров, имеющих зеркальную поверхность, второй – создание элементов с переходами, расположенными последовательно вдоль хода солнечных лучей. В случае использования солнечных фильтров солнечное излучение будет разлагаться на несколько пучков, каждый из которых должен быть направлен на конкретный элемент с согласованными характеристиками распределения излучения. В случае использования фотопреобразователей с последовательно расположенными элементами солнечное излучение должно в первую очередь попадать на широкозонный материал. Фотоны с высокой энергией будут поглощаться в первом элементе, остальные фотоны попадут на второй элемент, который также будет поглощать фотоны с наиболее высокой энергией. Оставшиеся фотоны поступят на третий элемент. Этот процесс селективного поглощения будет продолжаться до тех пор, пока солнечное излучение не попадет на элемент с минимальной шириной запрещенной зоны. Подобная конструкция обеспечивает использование существенно большей части солнечного излучения и дает возможность получить высокий КПД.

Схема каскадного солнечного элемента, содержащего оптический фильтр, концентратор солнечного излучения и два каскадных элемента, показана на рис. 2.9.

Рис.2.9. Схема каскадного солнечного элемента с концентратором излучения

Концентратором солнечного излучения в этом солнечном элементе является линза Френеля. Оптический фильтр располагается под углом 45 градусов к оси сконцентрированного солнечного пучка, в результате чего отраженная часть солнечного пучка, направляемая на первый элемент, обладает такой же геометрической формой, что и часть светового пучка, проходящая через фильтр и направляемая ко второму элементу. Если в каскадный элемент необходимо ввести дополнительные солнечные элементы, то при этом потребуется установка дополнительных оптических фильтров, каждый из которых будет отражать солнечное излучение к определенному элементу.

К настоящему времени по технологии перекристаллизации тонкопленочных аморфных или мелкокристаллических пленок разработаны высокоэффективные солнечные элементы, предназначенные для использования в солнечных батареях с сферическими и цилиндрическими концентраторами солнечного излучения, рис. 2.10. и рис 2.11.

Рис.2.10. Схема концентрирования солнечного излучения с сферическим отражателем: 1.сферический отражатель, 2. дополнительный отражатель, 3.каскадный солнечный элемент

Рис.2.11. Солнечная батарея на основе каскадных солнечных элементов с цилиндрическими отражателями

Особенностью сферических концентраторов солнечного света является то, что отражатель в них используется в качестве радиатора. Сферические концентраторы могут иметь степень концентрирования порядка нескольких сотен, а цилиндрические – нескольких десятков (степень концентрации солнечного излучения равна отношению плотности потока излучения на поверхность поглотителя к плотности потока излучения, поступающего на площадь апертуры (действующего отверстия) концентратора). При этом тепловая нагрузка цилиндрических концентраторов значительно ниже, чем тепловая нагрузка сферических концентраторов, однако количество солнечных элементов в этом случае должно быть намного больше.

Что касается технологии получения каскадных солнечных элементов, то здесь используют перекристаллизацию тонкопленочных аморфных или мелкокристаллических пленок соединений AlGaInPAs, состав которых подбирают таким, чтобы в максимальной степени снизить рассогласование параметров решетки и эпитаксиального слоя и одновременно сформировать требуемый профиль ширины запрещенной зоны

Гетероструктуры на основе InP (фосфид индия), являющиеся важными прямозонными полупроводниками с шириной запрещенной зоны 1.34эВ, привлекают внимание исследователей в плане осуществления высокоэффективного преобразования солнечной энергии в электрическую.

Определяющей характеристикой солнечных фотоэлектрических установок и каскадных солнечных элементов является максимальное значение КПД, которое меняется с течением времени в сторону повышения в результате совершенствования технологии изготовления, улучшения свойств исходных материалов и наращивания многослойности элементов. Широко применяемые однослойные поликристаллические солнечные элементы на подложке из кремния характеризуются КПД до 20%, двухслойные элементы на той же подложке – до 30%, трехслойные – до 40%. Аморфные солнечные элементы обеспечивают КПД до 10%, однослойные солнечные элементы на основе AsGa – до 40%. Считается, что солнечные элементы на основе арсенида галлия наиболее перспективны.

На КПД солнечных элементов в значительной степени влияют такие факторы, как каскадность (количество слоев) солнечного элемента и наличие концентраторов солнечного излучения. В настоящее время для экспериментального однослойного солнечного элемента удалось достигнуть КПД 37%; для двухслойного и трехслойного солнечных элементов этот показатель превысил 50%, а для четырехслойного – 72% при коэффициенте концентрации на уровне 1000.

Некоторые ученые полагают, что в четырех-, пяти-, а может быть, и в еще более многокаскадных структурах можно существенно повысить КПД фотоэлемента. Для реализации этой цели нужны новые материалы высокого качества, такие элементы нового поколения, как например, на базе материалов А 3B 5. К полупроводниковым материалам А 3В 5относятся соединения бора, алюминия, галлия и индия с азотом (нитриды), фосфором (фосфиды), мышьяком (арсениды) и сурьмой (антимониды).

Отметим, что для широкозонных нитридов уже существует значительный технолотический задел. Однако для КСЭ требуются скорее узкозонные материалы, в большей степени согласованные по типу и периоду решетки с материалами, уже работающими в трехкаскадных структурах. Такими материалами могут быть, например, твердые растворы GalnNAs, интенсивно изучаемые в настоящее время.