Юрий Почанин - Конструкции и монтаж фотоэлектрических модулей

Предполагаемой альтернативой перспективы развития солнечных фотоэлементов может быть использование материалов на основе наногетероэпитаксиальных структур. При этом дизайн солнечного элемента значительно упрощается, так как солнечный элемент на основе многослойных наногетероэпитаксиальных структур однокаскадный. Чтобы изготовить такой солнечный элемент необходимы два полупроводниковых материала: матричный (широкозонный) и узкозонный

В узкозонном полупроводнике вблизи границы раздела может образовываться инверсионный слой, играющий роль потенциально ямы для электронов, в которой существуют уровни размерного квантования. Важнейшим достоинством гетероперехода является высокое качество гетерограницы, которое можно добиться выбором в качестве компонент гетеропары веществ с хорошим согласием постоянных решетки. Примером такой гетеропары являются узкозонный GaAsи и широкозонный твердый раствор AlxGa1-xAs.

Различают два типа квантовых точек: эпитаксиальные квантовые точки и коллоидные квантовые точки. По сути, они названы так по методам их получения. При помощи коллоидного синтеза можно получать нанокристаллы, покрытые слоем адсорбированных поверхностно-активных молекул. Таким образом, они растворимы в органических растворителях, после модификации – также в полярных растворителях. Обычно квантовой точкой является кристалл полупроводника, в котором реализуются квантовые эффекты. Электрон в таком кристалле чувствует себя как в трехмерной потенциальной яме и имеет много стационарных уровней энергии. Соответственно при переходе с одного уровня на другой квантовой точкой может излучать фотон. При всем при этом переходами легко управлять меняя размеры кристалла. Возможно также перекинуть электрон на высокий энергетический уровень и получать излучение от перехода между более низколежащими уровнями.

Многопереходные каскадные солнечные элементы очень сложны по структуре. Однако решающим обстоятельством экономически оправданного их использования является то, что каскадные солнечные элементы способны эффективно работать в условиях концентрированного солнечного излучения.

Гетероструктурная технология (HJT) является гибридом (совмещением) кристаллической и тонкопленочной технологий исполнения солнечных элементов. Результатом служит объединение ключевых преимуществ как кристаллических панелей (довольно высокий КПД, малая степень световой деградации), так и тонкопленочных (незначительное падение производительности при нагреве ячеек, более высокая эффективность в улавливании рассеянного и отраженного света). Эффективность гетеропереходных модулей HEVEL превосходит показатели классических поликристаллических модулей.

При реализации метода преобразования концентрированного солнечного излучения возникают следующие проблемы:

–при повышении мощности солнечного излучения пропорционально увеличивается плотность генерированного в КСЭ фототока. Это требует уменьшения последовательного сопротивления элемента для уменьшения омических потерь;

–увеличивается тепловая нагрузка на СЭ, что требует создания эффективной системы теплоотвода;

–возникает необходимость применения высокоэффективных и дешевых концентрирующих систем излучения;

–возникает необходимость разработки систем точного наведения и слежения за положением Солнца, что усложняет конструкцию и эксплуатацию фотоэлектрических установок.

2.4. Методы производства солнечных элементов

Более 85% солнечных батарей производятся на основе моно и поликристаллического кремния. Технология их производства достаточно трудная, длительная и энергоемкая. Можно выделить несколько основных направлений разработки методов.

1. Пиролиз летучих соединений кремния . Высокочистый кремний получают моно-, ди-, три-, тетрахлорсилановым, методом алкоксисилановой технологии, дигалогенидным способом.

2 .«Сименс»-процесс – один из основных промышленных способов получения материала для ФЭП, предложенный фирмой «Siemens A.G.» и включающий в себя очистку Si путем перевода его в трихлорсилан с последующим водородным восстановлением с получением поликристаллического кремния.

3. Высокочистый кремний можно получать путем его восстановления из тетрахлорида активным металлом (данный способ относится к одним из первых для получения кремния высокой чистоты). Способ основан на восстановлении чистого кремния с помощью активного металла при использовании в качестве исходного материала SiCl4 (в качестве восстановителя используют Zn).

4.Метод получения материала для создания дешевых солнечных батарей – гидрогенизированные аморфные пленки кремния (Si:H), которые представляют собой сплав кремния с водородом, содержание последнего составляет 10-35 %.

5. Карботермический способ получения кремня для ФЭП.

6.Экстрагирование кремния из сплава. Этот способ представляет собой разделительное экстрагирование кремния из алюмокремниевого расплава. Он основан на том, что при охлаждении расплава первой выделяемой кристаллической фазой является высокочистый кремний. Более усовершенствованный метод предполагает использование в качестве анода сплава Cu-Si, а в качестве электролита – водный раствор H2SO4. После электролитического извлечения меди из оставшегося шлама выделялся чистый кремний (чистотой порядка 99,999-99,9999 %).

7. Выращивание чистых кристаллов кремния из расплава. Для очистки полупроводниковых материалов в технологии солнечных преобразователей используется метод перекристаллизации. Применение метода нормальной направленной кристаллизации из расплава позволяет совмещать в одном технологическом цикле сразу три операции: очистку материала, легирование и выращивание из него мульти-, монокристалла.

Текст предоставлен ООО «ЛитРес».

Прочитайте эту книгу целиком, на ЛитРес.

Безопасно оплатить книгу можно банковской картой Visa, MasterCard, Maestro, со счета мобильного телефона, с платежного терминала, в салоне МТС или Связной, через PayPal, WebMoney, Яндекс.Деньги, QIWI Кошелек, бонусными картами или другим удобным Вам способом.