БСЭ БСЭ - Большая Советская Энциклопедия (ДВ)

В соединениях с двумя Д. с., разделёнными одной простой связью, имеет место сопряжение p-связей и образование единого p-электронного облака, лабильность которого проявляется вдоль всей цепи ( рис. 2 , слева). Следствием такого сопряжения является способность к реакциям 1,4-присоединения:

Если три Д. с. сопряжены в шестичленном цикле, то секстет p-электронов становится общим для всего цикла и образуется относительно стабильная ароматическая система (см. рис. 2, справа). Присоединение к подобным соединениям как электрофильных, так и нуклеофильных реагентов энергетически затруднено. (См. также Химическая связь. )

Г. А. Сокольский.

Рис. 1. Схема двойной связи >С = С<

Рис. 2. Системы сопряжённых связей (вид сверху).

Двойна'я то'чка,одна из особых точек кривой.

Двойникова'ние,образование в монокристалле областей с закономерно измененной ориентацией кристаллической структуры. Структуры двойниковых образований являются либо зеркальным отражением атомной структуры материнского кристалла (матрицы) в определенной плоскости (плоскости Д.), либо образуются поворотом структуры матрицы вокруг кристаллографической оси (оси Д.) на некоторый угол, постоянный для данного вещества, либо другими преобразованиями симметрии (см. Симметрия кристаллов ) . Пара — матрица и двойниковое образование — называется двойником.

Д. происходит в процессе роста кристаллов (см. Кристаллизация ) из-за нарушений в укладке атомов при нарастании атомного слоя на зародыше или на готовом кристалле (дефекты упаковки), а также при срастании соседних зародышей (двойники роста, рис. 1 ). Д. происходит также благодаря деформации при механическом воздействии на кристалл — при ударе острия, растяжении, сжатии, кручении, изгибе и т. д. (механические, двойники), при быстром тепловом расширении и сжатии, при нагревании деформированных кристаллов (двоиники рекристаллизации), при переходе из одной модификации кристалла в другую (см. Полиморфизм ) .

Переброс части или всего кристалла в двойниковое положение у металлов осуществляется послойным скольжением атомных плоскостей. Каждый атомный слой последовательно смещается на долю межатомного расстояния, при этом все атомы в двойниковой области перемещаются на длину, пропорциональную их расстоянию от плоскости Д. (плоскости зеркального отражения). У других кристаллов этот процесс сложнее, например у кальцита CaCO 3добавляется вращение групп CO 3. Механические двойники образуются в тех случаях, когда деформация скольжением в направлении приложенной силы затруднена (см. Пластичность ) .

Д. может сопровождаться изменением размеров и формы кристалла, что характерно, например, для CaCO 3. Д. CaCO 3можно осуществить нажатием лезвия ( рис. 2 , а) , при этом в двойниковое положение переходит участок в правой части кристалла ( рис. 2 , б). Д. с изменением формы имеют место у всех металлов, полупроводников — германия, кремния и у многих др. кристаллов. Другой вид Д., не вызывающий изменения формы кристалла, наблюдается, например, у кварца и триглицинсульфата.

Если однородность структуры монокристалла нарушена многочисленными двойниковыми образованиями, то его называют полисинтетическим двойником ( рис. 3 ). В кристаллах сегнетоэлектриков двойниковые образования являются одновременно сегнетоэлектрическими доменами, причём они характеризуются различными оптическими свойствами ( рис. 4 ).

Д. сильно влияет на механические свойства кристаллов: прочность, пластичность, хрупкость, а также на электрические, магнитные и оптические свойства. Д. ухудшает качество полупроводниковых приборов. Закономерности механической Д. кристаллов используются в геологии для диагностики минералов и для выяснения условий образования горных пород. Распределение двойниковых прослоек в породообразующих минералах позволяет характеризовать воздействия, которым подвергалась порода. Механические Д. учитывается геологами и петрографами при анализе течения горных пород после их деформирования.

М. В. Классен-Неклюдова.

Рис. 2б. Фотография сдвойникованного кальцита.

Рис. 3. Слева — полисинтетический двойник сегнетовой соли; справа — полисинтетический двойник триглицинсульфата, выявленный травлением (фотография в отражённом свете).

Рис. 4. Схема расположения оптической индикатриссы: а — в ромбическом кристалле сегнетовой соли; б , в — в компонентах двойника, вытянутых вдоль осей с и b моноклинного кристалла.

Рис. 2а. Двойникование кальцита нажатием лезвия (метод Баумгауера).

Рис. 1. Двойники роста.

Двойно'е гражда'нство,см. Бипатриды.

Двойно'е лучепреломле'ние,расщепление пучка света в анизотропной среде (например, в кристалле) на два слагающих, распространяющихся с разными скоростями и поляризованных в двух взаимно перпендикулярных плоскостях. Д. л. впервые обнаружено и описано профессором Копенгагенского университета Э. Бартолином в 1669 в кристалле исландского шпата. Если световой пучок падает перпендикулярно к поверхности кристалла, то он распадается на 2 пучка, один из которых продолжает путь без преломления, как и в изотропной среде, другой же отклоняется в сторону, нарушая обычный закон преломления света (рис.). Соответственно этому лучи первого пучка называются обыкновенными, второго — необыкновенными. Угол, образуемый обыкновенным и необыкновенным лучами, называется углом Д. л. Если в случае перпендикулярного падения пучка поворачивать кристалл вокруг пучка, то след обыкновенного луча остаётся на месте, в центре, а след необыкновенного луча вращается по кругу.