И. Хабловски - Электроника в вопросах и ответах

Создание индуктивности в полупроводниковых интегральных микросхемах связано с некоторыми трудностями. В связи с этим при преобразовании классической схемы в схему, предназначенную для интеграции, следует применять RC-элементы и исключать элементы L. Трудности создания индуктивности в полупроводниковых микросхемах оказывают непосредственное влияние на выбор и структуру схем, предназначенных для интегрального исполнения. Приходится заменять схемы, построенные из дискретных элементов и содержащие индуктивности, несколько более громоздкими схемами, однако без индуктивности.

Некоторое увеличение схемы, предназначенной для интегрального исполнения, однако, имеет второстепенное значение. С этой точки зрения проще создавать схемы цифровой техники, так как они обычно реализуются без индуктивности (триггеры, логические элементы).

Это схемы, элементы которых совместно с межсоединениями создаются в виде тонких пленок [17] Толщина пленок 1–2 мкм. — Прим. ред . , (проводящих, резистивных, диэлектрических и полупроводниковых) разных материалов, осажденных на общей стеклянной или керамической подложке. Схемы подобного типа изготавливают напылением в вакууме через соответствующие маски.

Обычно в виде тонкопленочных схем изготавливаются пассивные схемы. В отличие от полупроводниковых конденсаторов с р-n переходом емкость тонкопленочных конденсаторов не зависит от напряжения и может иметь значительно большее значение (например, в виде многослойных конденсаторов). Тонкопленочные резисторы также могут иметь большие сопротивления. Кроме того, их точность может быть очень высокой, а температурная зависимость слабой. Активные элементы в тонкопленочной технике пока еще недостаточно освоены, поэтому тонкопленочная техника не находит широкого практического применения.

Это схемы, отличающиеся от тонкопленочных прежде всего тем, что они изготовлены путем вжигания окислов [18] Толщина пленок в этом случае составляет 10–20 мкм и более. — Прим. ред . , расположенных на керамической подложке. Их применение ограничено, хотя встречаются чаще, чем тонкопленочные схемы. Толстопленочные схемы охватывают лишь пассивные схемы.

Это схемы, изготовленные путем использования различных технологических методов, чаще всего такие, в которых резисторы, конденсаторы и их межсоединения выполнены с помощью тонкопленочной или толстопленочной технологии на керамической плате, а диоды и транзисторы представляют собой дискретные компоненты, вмонтированные в эту схему. Затем всю сборку заливают изолирующей смолой. В других вариантах пассивные тонкопленочные элементы напыляются на полупроводниковую пластинку, содержащую активные полупроводниковые элементы.

Это нелинейный полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от температуры, причем рост температуры вызывает уменьшение сопротивления. Изменения температуры в термистора могут возникать под влиянием изменений внешней температуры или при изменении тока, протекающего через термистор. Рост тока вызывает увеличение температуры, что ведет к убыванию сопротивления, в результате чего напряженке ка термисторе может оставаться постоянным в определенном диапазоне изменения тока.

Примерный вид характеристик термистора и его графическое изображение представлены на рис. 5.19. Термисторы имеют широкий интервал номиналов сопротивлений. Их применяют для стабилизации напряжения, для компенсации влияния изменений температуры и т. д.

Рис. 5.19. Характеристики термистора ( а) и его условное графическое обозначение ( б)

Это нелинейный полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от напряжения. Примерный вид характеристики варистора и его графическое изображение представлены на рис. 5.20. Варисторы применяются, в частности, для стабилизации напряжения.

Рис. 5.20. Характеристика варистора ( а) и его графическое изображение ( б)

Это газонаполненная лампа, являющаяся аналогом тиристора в том смысле, что помимо анода и катода содержит также электрод, используемый для изменения состояния лампы (пропускание или запирание). Примерная характеристика тиратрона и его графическое изображение показаны на рис. 5.21. Тиратроны выпускаются для работы при напряжениях от 100 В до 20 кВ и токах от долей ампера до 1000 А. Тиратроны применяют в схемах выпрямителей.

Рис. 5.21. Характеристика тиратрона ( а) и его условное графическое обозначение ( б)

Существует несколько типов многосеточных ламп: лампа с двумя сетками — тетрод, с тремя — пентод, с четырьмя — гексод, с пятью — гептод и с шестью — октод. Как известно, электронные лампы применяют все реже, особенно в маломощных схемах. Однако встречаются еще схемы с тетродами и пентодами, в основном в устройствах очень большой мощности.

От триода тетрод отличается конструктивно добавлением второй сетки, называемой экранирующей и расположенной в лампе между управляющей сеткой и анодом. На экранирующую сетку подается положительное, но меньшее, чем на анод, напряжение. Присутствие этой сетки значительно уменьшает емкость между управляющей сеткой и анодом, что ведет к уменьшению проникновения сигнала между цепями анода и первой сетки. Введение второй сетки в значительной степени уменьшает влияние анодного напряжения на анодный ток. Благодаря этому в тетроде роль управляющего электрода играет только первая сеткам изменения анодного напряжения оказывают малое влияние на работу тетрода как усилителя.

Принцип действия тетрода состоит в следующем. Излученные катодом электроны ускоряются из-за действия второй сетки, на которую подано положительное по отношению к катоду напряжение. Электроны достигают второй сетки, и большинство их пролетает через нее, попадая на анод. Анодное напряжение, которое больше, чем напряжение второй сетки, почти не влияет на количество электронов, попадающих на анод. Поэтому характеристика I а = f( U а ) для тетрода (рис. 5.22) при напряжениях U a> U C2почти горизонтальна (полога). Сопротивление лампы и ее коэффициент усиления велики.