Пауль Хоровиц - Искусство схемотехники. Том 1 [Изд.4-е]
- Название:Искусство схемотехники. Том 1 [Изд.4-е]
- Автор:
- Жанр:
- Издательство:Мир
- Год:1993
- Город:Москва
- ISBN:5-03-002337-2 (русск.); 5-03-002336-4; 0-521-37095-7 (англ.)
- Рейтинг:
- Избранное:Добавить в избранное
-
Отзывы:
-
Ваша оценка:
Пауль Хоровиц - Искусство схемотехники. Том 1 [Изд.4-е] краткое содержание
Широко известная читателю по предыдущим изданиям монография известных американских специалистов посвящена быстро развивающимся областям электроники. В ней приведены наиболее интересные технические решения, а также анализируются ошибки разработчиков аппаратуры; внимание читателя сосредоточивается на тонких аспектах проектирования и применения электронных схем.
На русском языке издается в трех томах. Том 1 содержит сведения об элементах схем, транзисторах, операционных усилителях, активных фильтрах, источниках питания, полевых транзисторах.
Для специалистов в области электроники, автоматики, вычислительной техники, а также студентов соответствующих специальностей вузов.
Искусство схемотехники. Том 1 [Изд.4-е] - читать онлайн бесплатно полную версию (весь текст целиком)
Интервал:
Закладка:
Схемы с высоким полным сопротивлением (слаботочные).Сюда относятся буферные или обычные усилители для тех применений, где ток базы или конечное полное входное сопротивление биполярных транзисторов ограничивает их характеристики. Хотя мы можем построить такие схемы на отдельно взятых ПТ, однако сегодняшняя практика отдает предпочтение использованию интегральных схем, построенных на ПТ. В некоторых из них ПТ используется только в качестве высокоомного входного каскада, а вся остальная схема построена на биполярных транзисторах, в других вся схема построена на ПТ.
Аналоговые ключи.МОП-транзисторы являются превосходными аналоговыми ключами, управляемыми напряжением, как мы уже указывали в разд. 3.01 . Мы еще обсудим вкратце данный предмет. И снова говоря «аналоговый ключ», мы должны в общем случае иметь в виду интегральные микросхемы, а не схемы, построенные на дискретных элементах.
Цифровая логика.МОП-транзисторы доминируют при построении микропроцессоров, схем памяти и большинства высококачественных цифровых логических схем. Микромощные логические схемы изготавливаются исключительно на МОП-транзисторах. Здесь, как и прежде, МОП-транзисторы используются в составе интегральных схем. Далее мы увидим, почему ПТ отдается предпочтение перед биполярными транзисторами.
Мощные переключатели.Мощные МОП-транзисторы часто бывают предпочтительнее биполярных транзисторов для переключения нагрузок, как мы уже показали в нашей первой схеме, приведенной в данной главе. Для таких применений используются мощные дискретные ПТ.
Переменные резисторы; источники тока.В «линейной» области стоковых характеристик ПТ ведут себя подобно резисторам, управляемым напряжением; в области «насыщения» они являются управляемыми напряжением источниками тока. Вы можете использовать эти присущие ПТ свойства в своих схемах.
Общая замена биполярных транзисторов.Вы можете использовать ПТ в генераторах, усилителях, стабилизаторах напряжения, радиоприемных схемах (по крайней мере в некоторых из них), — там, где обычно используются биполярные транзисторы. Применение ПТ не гарантирует улучшения схемы - иногда такая замена желательна, иногда нет. Их следует просто иметь в виду как возможную альтернативу.
Давайте теперь посмотрим на указанные области применения. Для лучшего понимания мы слегка изменим порядок изложения.
ПТ используется в качестве источников тока в составе интегральных схем (в частности, в ОУ), а также иногда и в схемах на дискретных элементах. Простейший источник тока на ПТ показан на рис. 3.16; мы выбрали ПТ с p-n -переходом, а не МОП-транзистор, поскольку ему не требуется смещения затвора (режим с обеднением).

Рис. 3.16.
Из стоковых характеристик ПТ (рис. 3.17) видно, что ток будет приблизительно постоянным при U СИ больше 2 В. Однако в силу разброса I С нач величина этого тока непредсказуема.

Рис. 3.17. Семейство выходных характеристик n-канального ПТ с p-n-переходом типа 2Ν5484: зависимость I С ( U СИ) при различных значениях U ЗИпри полном масштабе изменений параметров ( а) и на начальном участке ( б).
Например, устройство 2N5484 (типичный n -канальный транзистор с p-n -переходом) имеет паспортную величину I С нач от 1 до 5 мА. И все же эта схема привлекает своей простотой двухвыводного устройства, дающего постоянный ток. Существуют дешевые серийные «диодные стабилизаторы тока», представляющие собой всего лишь отобранные по току ПТ c p-n -neреходом, у которых затвор соединен со стоком. Это токовые аналоги стабилитронов (стабилизаторов напряжения).
Приведем характеристики таких приборов из серии 1Ν5283-1Ν5314:

Мы построили график вольт-амперной характеристики устройства 1Ν5294, имеющего номинальный ток стабилизации 0,75 мА; рис. 3.18, а демонстрирует хорошее постоянство тока вплоть до напряжения пробоя (140 В для данного конкретного образца), тогда как из рис. 3.18, б видно, что полный ток данного устройства достигается при падении напряжения на нем несколько меньше 1,5 В.

В разд. 5.13 мы покажем, как можно использовать такого рода устройство для создания генератора пилообразного напряжения с острыми вершинами сигнала.
В табл. 3.4 дан неполный перечень устройств серии 1Ν5283.

Источник тока с автоматическим смещением.Вариация предыдущей схемы дает регулируемый источник тока у(рис. 3.19).

Рис. 3.19.
Резистор автоматического смещения R задает обратное смещение затвора I CR , уменьшая I C и приводя ПТ с p-n -переходом в состояние, близкое к отсечке. Можно рассчитать значение R по выходным характеристикам для конкретного ПТ. Эта схема не только дает возможность устанавливать ток (который должен быть меньше I С нач ), но и сделать это более предсказуемым образом. Кроме того, эта схема является лучшим источником тока (с более высоким динамическим сопротивлением) в силу того, что истоковый резистор обеспечивает обратную связь по току (которую мы рассмотрим в разд. 4.07 ), а также потому, что характеристики ПТ с p-n -переходом как источника тока при обратном смещении затвора всегда улучшаются, как это видно из приведенных на рис. 3.2 и 3.17 характеристик, где чем ниже кривая зависимости I C от U ЗИ , тем она ближе к горизонтали. Однако, конечно, надо помнить, что значение I C , полученное при каком-то значении U ЗИ для данного конкретного ПТ, может отличаться от взятого из характеристики на значительную величину ввиду, технологического разброса. Если надо получить строго заданный ток, то можно использовать в цепи истока подстроечный резистор.
Упражнение 3.1.Подберите значение R для получения тока 1 мА в схеме источника тока на ПТ с p-n -переходом 2N5484, используя полученные измерениями кривые, представленные на рис. 3.17. Теперь оцените, к чему приводит тот факт, что паспортные данные Icнач для 2N5484 имеют разброс от 1 до 5 мА.
Читать дальшеИнтервал:
Закладка: