Пауль Хоровиц - Искусство схемотехники. Том 1 [Изд.4-е]

При малых токах стока (когда доминирует температурная зависимость U П ) I С растет с ростом температуры и точка перехода от возрастания к убыванию находится при некотором промежуточном значении тока стока. Этот эффект используется в операционных усилителях на ПТ для минимизации температурного дрейфа, как мы увидим в следующей главе.

Субпороговая область.Приведенное выше выражение для тока насыщения стока непригодно для очень малых значений тока стока. Этот диапазон известен как «субпороговая» область, где канал находится ниже порога проводимости, однако некоторый ток все-таки проходит за счет небольшой вероятностной популяции электронов с большим тепловым возбуждением. Если вы изучали физику или химию, то, возможно, знаете из того, что проходили, что результирующий ток имеет экспоненциальную зависимость:

I С= k·exp( U ЗИ— U П)

Мы измерили ток стока некоторых МОП-транзисторов в диапазоне изменения его на 9 декад (от 1 нА до 1 А) и построили графики зависимости I С от U ЗИ (рис. 3.14).

Рис. 3.14. Измеренные графики зависимости тока стока от напряжения затвор-исток для двух типов МОП-транзисторов.

Диапазон от 1 нА до 1 мА очень точно соответствует экспоненте; выше этого субпорогового участка кривые входят в нормальную область насыщения. Для n -канальных МОП-транзисторов (типа VN01) мы проверили выборку из 20 транзисторов (четырех разных изготовителей, разброс выпуска — 2 года) и нанесли диапазон разноса значений, чтобы получить представление о их вариабельности (см. следующий разд.). Обратите внимание на несколько худшие характеристики ( U П, I С вкл ) «комплементарного» транзистора VP01.

Перед тем как рассматривать какие-нибудь схемы, оценим сначала диапазон параметров ПТ (таким как I СИ нач и U П ), а также их «разброс» среди приборов одного типа с целью получения более полного представления о ПТ. К сожалению, многие характеристики ПТ имеют разброс намного больше, чем соответствующие характеристики биполярных транзисторов, — факт, который проектировщик должен помнить. Например, в паспорте на VN01 (типичный n -канальный МОП-транзистор) оговорено, что U П может составлять от 0,8 до 2,4 В (при I С = 1 мА), в сравнении с тем, что аналогичный параметр биполярного npn -транзистора, U БЭ имеет разброс от 0,63 до 0,83 В (также при I К = 1 мА). Итак, вот что мы можем ожидать:

В этой таблице R СИ вкл — сопротивление сток-исток (линейная область, т. е. малое напряжение U ЗИ ) для полностью открытого ПТ, т. е. при заземленном затворе в случае ПТ с p-n -переходом или при большом (обычно принимается 10 В) напряжении затвор-исток у МОП-транзистора. I СИ нач и I С вкл ~ значения тока стока в области насыщения (большое U СИ ) при тех же самых отпирающих условиях возбуждения затвора. U отс есть напряжение отсечки (ПТ с p-n -переходом), U П — пороговое напряжение затвора (МОП-транзисторы), а U СИ пр и U ЗИ пр — соответствующие напряжения пробоя. Как можно видеть, ПТ с заземленным истоком может быть хорошим источником тока, но нельзя точно предсказать, каким будет этот ток. Напряжение U ЗИ , при котором получается заданный ток стока, может заметно варьировать в отличие от предсказуемого (~= 0,6 В) U БЭ у биполярных транзисторов.

Согласование характеристик.Как вы можете видеть, ПТ уступают биполярным транзисторам в предсказуемости U ЗИ , т. е. значения U ЗИ , обеспечивающие заданный I С , имеют большой разброс. Приборы, обладающие большим разбросом, будут, вообще говоря, давать больший сдвиг (напряжение небаланса), если их применять в качестве дифференциальных пар. Например, типичный серийный биполярный транзистор дает разброс U БЭ в 50 мВ или около того при некотором заданном токе коллектора без всякого отбора транзисторов (берем подряд любой прибор, имеющийся под рукой). Соответствующая цифра для МОП-транзисторов — более 1 В! Но поскольку ПТ обладают весьма желательными характеристиками, имеет смысл затратить некоторые дополнительные усилия для уменьшения сдвига путем изготовления согласованных пар.

Проектировщики ИС пользуются такими приемами как перемежающаяся (гребенчатая) структура (два прибора разделяют между собой один и тот же участок подложки ИС) и выравнивание температурных градиентов в схеме между приборами (рис. 3.15).

Рис. 3.15. Гребенчатая структура ( а) и температурно-градиентная компенсация ( б).

Получаемые результаты впечатляют. Хотя ПТ не могут сравняться с биполярными транзисторами в согласованности U ЗИ , их параметры вполне пригодны для большинства применений. Например, наилучшим образом согласованная пара ПТ имеет сдвиг 0,5 мВ и температурный коэффициент 5 мкВ/°С (макс), в то время как у лучшей биполярной пары эти значения будут 25 мкВ и 0,6 мкВ/°С, грубо говоря, в 10 раз лучше. Операционные усилители (универсальные дифференциальные усилители с высоким коэффициентом усиления, о которых мы будем говорить в следующей главе) выпускаются как на полевых, так и на биполярных транзисторах; для высокоточных применений вы сможете, вообще говоря, выбрать ОУ с биполярной «начинкой», (ввиду тесного согласования входных транзисторов по U БЭ ), в то время как ОУ с ПТ-входом, очевидно, является наилучшим выбором для высокоомных схем (их входы — затворы ПТ — не потребляют тока). Например, недорогой ОУ типа LF 411 со входом на ПТ с р-n -переходом, который мы используем повсеместно в схемах, приводимых в следующей главе, имеет типичное значение входного тока 50 пА и стоит 60 цент; популярный TLC212 со входом на МОП-транзисторах стоит примерно столько же и имеет типичное значение входного тока всего 1 пА! Для сравнения укажем, что обычный биполярный ОУ μΑ741 имеет типичное значение входного тока 80 000 пА (80 нА).

В табл. 3.1–3.3 дан перечень типичных ПТ с p-n -переходом (как одиночных, так и сдвоенных) и малосигнальных МОП-транзисторов. Мощные МОП-транзисторы, которые мы рассмотрим в разд. 3.14 , перечислены в табл. 3.5.

Теперь мы готовы к тому, чтобы рассмотреть схемы на ПТ. Обычно можно найти способ преобразовать схему на биполярных транзисторах в схему с использованием ПТ. Однако эта новая схема может не дать улучшения характеристик! В оставшейся части этой главы мы постараемся показать схемные решения, в которых проявляются преимущества уникальных свойств ПТ, т. е. схемы, которые работают лучше, будучи построены на ПТ, или которые совсем нельзя изготовить на биполярных транзисторах. С этой целью может оказаться полезным сгруппировать схемы на ПТ по категориям; здесь особенно важным является, как мы это видим.