Ричард Фейнман - 9. Квантовая механика II

А как же обстоит дело с электронами — с отрицательными носителями, которыми мы до сих пор пренебрегали? Заметьте, во-первых, что между базой и коллектором мы не ожидаем сколько-нибудь заметного тока электронов. При столь большом отрицательном напряжении на коллекторе электронам из базы пришлось бы карабкаться на очень высокий потенциальный холм, и вероятность этого очень мала. Ток электронов на кол­лектор очень слаб.

Но, с другой стороны, электроны с базы могут переходить в область эмиттера. Можно ожидать, что электронный ток в этом направлении будет сравним с дырочным током от эмиттера к базе. Такой электронный ток пользы не приносит, даже на­оборот, потому что он увеличивает полный ток через базу, нужный для того, чтобы ток дырок к коллектору имел данную величину. Поэтому транзистор устраивается так, чтобы ток электронов к эмиттеру свести до самой малости. Электронный ток пропорционален N n (базы)—плотности отрицательных носи­телей в веществе базы, тогда как дырочный ток от эмиттера зависит от N p (эмиттера)—плотности положительных носителей в области эмиттера. Сравнительно небольшим добавлением примеси в материал n- типа N n (базы) может быть сделано много меньше, чем N p (эмиттера). (Кроме того, сильно помогает очень малая толщина базы, потому что выметание дырок из этой области в коллектор заметно увеличивает средний дырочный ток от эмиттера к базе, не затрагивая электронного тока.) В итоге ток электронов через переход эмиттер — база может быть сделан много слабее тока дырок, так что электроны в ра­боте p—n—p -транзистора заметной роли не играют. Токи в основном определяются движением дырок, и транзистор иг­рает роль усилителя.

Можно также сделать транзистор, поменяв на фиг. 12.11 местами материалы p -типа и n -типа. Тогда получится так назы­ваемый n—p — n -транзистор. В таком транзисторе основной ток — это ток электронов, текущий от эмиттера к базе, а от­туда — в коллектор. Разумеется, все рассуждения, которые мы проводили для p — n—p- транзистора, в равной мере приме­нимы и к n — p—n -транзистору, если только переменить знаки потенциалов электродов.

*Во многих книжках эта же энергетическая диаграмма истолковывает­ся иначе. Шкалу энергий относят только к электронам. Вместо того чтобы думать об энергии дырки, говорят о той энергии, которую имел бы элект­рон, если бы он заполнил дырку. Эта энергия меньше, нежели энергия сво­бодного электрона, причем как раз на ту величину, которая показана на фиг. 12.5. При такой интерпретации шкалы энергий ширина энергетиче­ской щели — это наименьшая энергия, которой нужно снабдить элект­рон, чтобы перевести его из связанного состояния в зону проводимости.

Литература: Ч. Киттель, Введение в фи­зику твердого тела, М.—Л., 1958, гл. 13, 14, 18.

§ 1. Спиновые волн

§ 2. Две спиновые волны

§ 3. Независимые частицы

§ 4. Молекула бензола

§ 5. Еще немного органической химии

§ 6. Другие приме­нения прибли­жения

§ 1. Спиновые волны

В гл. 11 мы разработали теорию распро­странения электрона или любой другой «частицы», например атомного возбуждения, вдоль кристаллической решетки. В предыдущей главе мы эту теорию применили к полупроводникам. Но хотя электронов у нас всегда было много, мы тем не менее неизменно пренебрегали каким-либо взаимодействием между ними. Это, конеч­но, было не более чем приближение, и мы сейчас постараемся глубже разобраться в самой мысли о том, что взаимодействием между элект­ронами разрешается пренебрегать. Мы к тому же воспользуемся возможностью продемонстри­ровать новые применения теории распростране­ния частиц. Поскольку мы по-прежнему будем продолжать пренебрегать взаимодействием меж­ду частицами, то фактически в этой главе будет очень мало нового, разве что новые при­ложения. Однако первый пример, который мы хотим рассмотреть,— это пример, в котором есть возможность совершенно точно выписать правильные уравнения для случая, когда «частиц» больше чем одна. Из них мы сможем увидеть, как делается приближение пренебре­жения взаимодействием. Впрочем, мы не будем слишком тщательно анализировать эту про­блему.

В качестве первого примера рассмотрим «спиновую волну» в ферромагнитном кристалле.

Теории ферромагнетизма мы касались в гл.36 (вып. 7). При нулевой температуре все спины электронов, которые дают вклад в магнетизм всего ферромагнитного кристалла, параллельны между собой. Между спинами существует энер­гия взаимодействия, которая ниже всего тогда, когда все спины направлены вниз. Но при ненулевой темпера­туре имеется какая-то вероятность того, что часть спинов перевернется. Эту вероятность тогда мы приближенно под­считывали. На этот раз мы разовьем квантовомеханическую теорию явления, чтобы знать, что делать, если нужно будет решить задачу точнее. Но мы все еще будем прибегать к идеали­зации; будем считать, что электроны расположены вблизи ато­мов, а спины взаимодействуют только со своими соседями.

Рассмотрим такую модель: пусть в каждом атоме все элект­роны, кроме одного, спарены, и весь магнитный эффект обязан тому, что в каждом атоме остается один неспаренный электрон со спином 1/ 2. Вообразим еще, что эти электроны расположены в тех самых узлах решетки, где находятся атомы. Модель в об­щих чертах отвечает металлическому никелю.

Кроме того, допустим, что любая пара вращающихся со­седей-электронов взаимодействует друг с другом и что каж­дое такое взаимодействие добавляет в энергию системы по сла­гаемому;

Здесь s представляют собой спины, а суммирование идет по всем парам соседей-электронов. Мы уже говорили о по­добной энергии взаимодействия, рассматривая сверхтонкое расщепление водорода, вызываемое взаимодействием магнитных моментов электрона и протона в атоме водорода. Тогда мы выра­жали это в виде А s е ·s р . На этот раз для данной пары, скажем для электронов из атома № 4 и из атома № 5, гамильтониан имеет вид — K s 4·s 5. Каждая такая пара дает по одному слагае­мому, а весь гамильтониан (как это бывает и с классическими энергиями) есть сумма таких слагаемых для каждой взаимо­действующей пары. Энергия написана с множителем — К, так что положительное К отвечает ферромагнетизму, т. е. тому слу­чаю, когда наинизшая энергия получается при параллельности соседних спинов. В реальном кристалле могут появиться и другие слагаемые — взаимодействие с соседом через одного и т. д., но на нашем уровне такие усложнения нам не пона­добятся.